微电子行业调研

蔡奇书记调研的清华大学微电子学研究所，深耕集成电路和信息技术领域40年，取得了一大批引领前沿并托举产业发展的重要科研成果。《海淀故事》官微探访清华大学微电子学研究所，洞察那些在微乎其微中构建的博大精深。05:0630多年前，从这里研发生产出的1M存储器，突破了1微米工艺，登上了当年人民日报头条；如今，这里最细的线条加工能力可以达到10纳米工艺，从80年代的1微米，到如今的10纳米，这是三个数量级的跨度。40年来，从0到1的突破，微电子学研究所从未停步。轻轻打开耳机盖，就可以实现人机交互的无线耳机，是当下年轻人的必备单品。但因为拥有众多交互功能，功耗则成为了一个难题。将国际领先的人工智能芯片搭载到无线耳机中，用超低的功耗解决其续航问题，是清华大学微电子学研究所给出的解决方案。针对信息安全设计的津逮服务器CPU，能对CPU的执行过程进行监管，发现它的异常行为，为后续的安全措施的执行提供提前预判，为系统软件和业务应用保驾护航，既能防范黑客的攻击，也可以防范病毒和漏洞，目前已经应用到了一些核心的信息基础设施中。这项采用了清华大学微电子研究学所自主知识产权的成果，从2006年开始研发，几百人为此项技术做过贡献。随着社会进步和集成电路技术的发展，微纳加工技术被越来越多的行业所需求，清华大学微纳加工平台应运而生，这个开放的科研条件平台不仅对校内各学科基础研究起到支撑作用，也同时面向其他院校、科研单位及企业开放。这里拥有覆盖全流程微纳制造设备、材料与结构分析设备、以及器件封装设备等200多台套加工设备 ，提供从设计到测试的一条龙的服务，降低产品研发各个阶段的门槛。凭借过硬的设备和多年的技术积累，平台已有能力与业界领先的代工企业进行工艺开发上的合作。现在，活跃着600多人，100多个课题组在此开展课题研究。基于微纳加工平台的开放服务，平台用户在前沿基础研究、产业高技术创新方面取得了一系列的成果。今年，这里产生了“基于忆阻器的存算一体芯片”，能将存储功能和运算功能集中在同一个芯片上，实现人工智能计算，相关研究成果登上《自然》杂志，在学术领域产生了较大的影响力。同时，作为国家级双创示范基地，不少双创团队在这里将自己的想法快速落地为现实。在微小的世界里，每一粒灰尘都是庞然大物，超净实验室环境是在“微纳世界”进行研究的基础。在千级超净实验室，每立方米的空间里，直径大于1微米的颗粒不会超过8000个；真空泵也很努力，它不分昼夜地工作，为了抽离那些进行实验的设备里的空气和杂质，不停地发出鸣响。除了环境，人想要进入超净实验室，也需要经历重重“工序”：穿戴好净化服，在粘板上粘掉脚底的灰尘，进入风淋室接受10秒的淋风，吹掉净化服上的灰尘，再打开这道门，才能进入超净实验室。很难想象，在这个1000平米的超净实验室中，每天都在纳米工艺上建筑摩天大楼，但，在建筑摩天大楼时，总有些事与愿违：一个实验流程需要涉及多台设备，从这个设备到另一个设备，材料运输中几乎不可避免地会被空气、水蒸气等元素影响，从而影响实验结果，超高真空互联设备实验室就是在那些“事与愿违”中催发而生的。由清华大学自主设计并搭建。（戳视频了解真空互联设备实验室） 01:56用1根真空管道连接8台设备，意味着要与8个不同的生产厂家对接沟通，进行8＋次的改装设计……在有限的空间内“排兵布阵”，在不改变设备性能的前提下“运筹帷幄”，如今，超高真空互联设备实验室已经显露雏形，不久的将来，这套系统就能投入到研究中，而它也将大大提高科学基础研究的效率和水平。其实，对大多数人来说，更多的都是与科研成果接触，每一次手机触屏，每一回刷新网页，每一笔线上支付......我们或许不懂它们的原理，但我们应该懂得，在我们的生活越来越便捷、智能化的背后，是设备、是实验室、是科学技术在支撑，更是无数科研人员的钻研与付出，数据、实验、记录、分析......就是这样单调枯燥的钻研，日复一日，年复一年，科技研发需要长期积累，更需要“坐冷板凳”的决心。择一事，终一生，当自主研发的创新成果被广泛应用，并在不同领域发挥最大价值，那应该就是对科研初心最好的回馈。你「在看」吗？

近日，中科院微电子所夏洋总工程师率中科院上海硅酸盐研究所、武汉文献情报中心、武汉大学信管学院等标准化专家来莞开展制造业质量变革战略和标准化工作调研。市市场监管局陈锡稳局长，市市场监管局、市科技局有关科室及松山湖市场监管分局负责人，东莞云计算中心、双陈普洱等有关企业负责人参与调研。3月23日，调研组一行到双陈普洱养普庄园实地调研并举行了座谈会。调研组听取了企业关于以“标准+认证”推动东莞藏茶高质量发展的报告，讨论了推进全国普洱茶仓储技术标准化技术委员会落户东莞的相关工作。陈锡稳局长介绍了东莞市社会经济发展情况，强调标准化工作在国内国际双循环经济中将发挥重要作用，并对东莞市标准化工作提出了六点要求：一是构建战略服务平台，争取相关标委会或分标委会落户东莞；二是做好行业调研分析，挖掘产业的需求，培育“小巨人”企业；三是强化人才培训，借助中科院等专家开展论坛，培育优秀人才；四是拓宽资金投入渠道，成立质量发展教育基金会；五是建设高水平服务机构，成立质量发展标准研究院，整合市内力量资源，助推东莞经济高质量发展；六是提升标准国际化水平，加强标准对外交流，助力标准冲出国门。3月24日，调研组一行到松山湖管委会进行调研。双方就如何借助中科院在战略规划、标准情报、标准化技术委员会专家资源等优势支撑松山湖科学城建设进行了交流，并在产业布局、大科学装置建设、材料实验室建设、重点企业对接等方面达成了初步合作意向。【来源：东莞市市场监督管理局】声明：此文版权归原作者所有，若有来源错误或者侵犯您的合法权益，您可通过邮箱与我们取得联系，我们将及时进行处理。邮箱地址：jpbl@wccm.sinanet.com

第一章：半导体设备行业概述1.半导体设备简介：半导体设备，即在芯片制造和封测流程中应用到的设备，广义上也包括生产半导体原材料所需的机器设备。在整个芯片制造和封测过程中，会经过上千道加工工序，涉及到的设备种类大体有九大类，细分又可以划出百种不同的机台，占比较大市场份额的主要有：光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、测试机、分选机、探针台等。2.半导体设备是半导体行业基石：半导体设备总市值几百亿美元，支撑着全球上万亿的电子软硬件大生态，设备对整个半导体行业有着放大和支撑作用，其确立了整个半导体产业可达到的硬性尺寸标准边际值。因此，半导体设备是半导体制造的基石。3.半导体设备发展驱动因素导体行业持续增长：作为半导体产业的发动机，半导体设备是半导体技术迭代的基石。近年来，半导体行业政策红利不断，随着物联网、可穿戴设备、5G等下游产业的进一步兴起，半导体行业迎来快速发展阶段。2010-2019年，中国集成电路销售额持续以两位数的增速增长，2019年达到7562.3亿元，同比增长15.8%；2020年上半年，销售额为3539亿元，尽管受到疫情的影响，但仍同比增长16.1%。摩尔定律推动行业技术发展:根据摩尔定律演进，每隔18-24个月芯片性能将提升一倍。1971年英特尔发布的第一个处理器4004，就采用10微米工艺生产，仅包含2300多个晶体管。随后，晶体管的制程节点以0.7倍的速度递减，90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相继被成功研制出来，目前正向5nm、3nm、2nm突破。对半导体设备来说，根据半导体行业内“一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品每更新一代工艺制程，则需更新一代更为先进的制程设备。产业政策有效扶植推进:从政策环境上来看，随着半导体产业不断深化，我国对于半导体设备行业愈加重视。其主要表现在对于整个IC产业链企业的政策优待以及对于半导体设备行业的相关规划与推动。其中较为突出的是《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目(02专项)，其以专项的形式组织了一批国内半导体设备公司进行了一系列重点工艺和技术的攻关，有效促进了我国半导体设备行业的发展，使得我国半导体设备行业涌现出了一批拥有国际竞争力的龙头企业。资本给产业带来新机遇:2014年6月国务院发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，奠定未来集成电路的战略发展方向，同时提出要设立国家产业投资基金的重要举措。同年9月，在工信部和财政部的指导下，国开金融、华芯投资等共同签署了《国家集成电路产业投资基金股份有限公司发起人协议》和《国家集成电路产业投资基金股份有限公司章程》，大基金正式设立（一期）。大基金一期共募得普通股987.2亿元，同时发行优先股400亿元，基金总规模达到1387.2亿元，以IC制造为主。2019年10月22日大基金二期正式成立，总规模高达2041.5亿元，于2020年3月开始进行实质投资，半导体设备、半导体材料等大基金一期投入相对较少的产业迎来发展机遇。第二章：半导体设备行业发展现状1.全球半导体设备行业发展全球半导体行业周期明显 新一轮上升周期来临：从全球半导体发展情况来看，受宏观经济变化及技术革新影响，半导体行业存在周期性。2017-2019年，全球半导体行业来到了下滑周期。2019年，全球固态存储及智能手机、PC需求增长放缓，全球贸易摩擦升温，导致全球半导体需求市场下滑，全年销售额为4121亿美元，同比下降12.1%。进入2020年，有5G商用化、数据中心、物联网、智慧城市、汽车电子等一系列新技术及市场需求做驱动，将给予半导体行业新的动能。全球半导体设备行业销售额出现下滑：根据国际半导体产业协会SEMI统计数据显示，近年来全球半导体设备销售额呈波动态势，2019年为597.5亿美元，比2018年的645.3亿美元的历史高点下降了7.4%。2020年一季度，全球半导体设备销售额为155.7亿美元，比2019年第四季度减少13%，但与2019年一季度相比，增长了13%。前道设备占据主要市场份额：在一个新晶圆投资建设中，设备投资一般占70-80%。按工艺流程分类，在新晶圆的设备投资中，晶圆加工的前道设备占据主要的市场份额，约85%；封测设备占据约15%的比重，其中测试设备9%，封装设备6%。全球半导体设备产业主要集中在中国台湾及大陆地区：从地区分布来看，2019年中国台湾是半导体设备的最大市场，销售额增长了68%，达到171.2亿美元，占全球市场的比重为28.65%。中国大陆则以134.5亿美元的销售额保持其第二大设备市场的地位，占比为22.51%。排名第三的是韩国，销售额为99.7亿美元，同比下降44%，占比为16.69%。尽管日本，欧洲和世界其他地区的新设备市场萎缩，但北美设备销售额在2019年跃升了40%，达到81.5亿美元，占比升到13.64%，这是该地区连续第三年增长。日美荷品牌占据全球前十大设备制造商地位：目前全球半导体设备市场集中度较高，以美国、荷兰、日本为代表的TOP10企业垄断了全球半导体设备市场90%以上的份额。美国著名设备公司应用材料、泛林半导体、泰瑞达、科天半导体合计占据整个设备市场40%以上份额，而且均处于薄膜、刻蚀、前后道检测三大细分领域的绝对龙头地位。技术领先和近半的市场占有率，任何半导体制造企业都很难完全脱离美国半导体设备供应体系。巨头瓜分细分市场：从半导体设备的各细分行业来看，依旧是被TOP10供应商垄断，应用材料、ASML、东京电子（TEL）头部三家公司合计占比高达60%-90%。其中，应用材料、TEL等企业横跨多细分领域，成为航母级龙头企业。2.中国半导体设备行业发展现状行业市场规模持续增长。根据SEMI数据显示，2013-2019年中国大陆半导体设备市场规模呈现逐年增长态势，增速波动变化。2019年行业实现市场规模134.5亿美元，同比增长2.6%，增速较2018年有所回落。2020年一季度行业实现规模35亿元，较2019年同期增长48%，可见我国半导体设备在2020年初的新冠肺炎事件中受到的影响并不显著。同时，中国大陆半导体设备市场规模占全球市场规模的比重一直在增长，2019年中国大陆在全球市场占比实现22.5%，较2018年增长了2.3个百分点。国产化率仍处于较低水平：虽然中国半导体专用设备企业销售规模不断增长，但整体国产率还处于较低的水平，目前中国半导体专用设备仍主要依赖进口。根据中国本土主要晶圆厂设备采购情况的统计数据，目前中国主要本土晶圆厂设备的国产化情况如下图。前道制程设备占主导地位：从产品细分结构来看，半导体设备主要分为前道制造设备以及后道封装测试设备。根据SEMI数据，2018年国内半导体设备主要集中在前道制程设备，其比重为78%，其中以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备为主。此外，测试设备在半导体设备的占比为10%，封装设备在半导体设备中的比重约为7%。国内企业规模整体偏小：据中国电子专用设备工业协会的数据显示，2019年中国半导体设备TOP10企业共完成销售收入143.43亿元。2019年中国半导体设备制造商销售收入排列首位的是浙江晶盛机电股份有限公司，其2019年半导体设备销售收入达到28.86亿元，其次为北方华创科技集团股份有限公司，销售收入为28.42亿元。但对标全球半导体设备企业的销售收入来看，我国半导体设备行业内企业规模仍处于较低水平，行业设备需求多依赖于国际品牌。资本市场处于初级阶段：目前，我国半导体设备行业仍在追赶阶段，多数企业成立时间较短，从融资情况来看，2020年我国半导体设备行业企业的融资轮次多处于A轮以及战略投资。可见行业的融资情况仍处于初级阶段，从行业发展的情况来看，未来行业或将吸收更多的资金。第三章：半导体设备行业细分市场分析1.光刻设备光刻设备简介：光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。光刻的本质是把临时电路结构复制到硅片上，这些结构首先以图形形式制作在掩膜版上；光源透过掩膜版将图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光刻工艺主要流程有涂胶、软烘、对准曝光、显影、坚膜烘焙、刻蚀、去除清洗等一系列步骤。 所涉及到的主要设备有光刻、涂布、曝光显影、量测和清洗设备，其中价值量最大且技术壁垒最高的部分是光刻机。光刻机发展历程分析：光刻机发展至今，已经历了5代产品的迭代。第一二代均为接触接近式光刻机，使用光源分别为436nm的g-line和365nm的i-line；第三代为扫描投影式光刻机，光源改进为248nm的KrF激光，实现了跨越式发展，将最小工艺推进至180-130nm；第四代为浸没步进式投影式光刻机，是最具代表性的光刻机产品，1986年由ASML首先推出，采用193nmArF激光光源；第五代为EUV光刻机，采用极紫外光光源，是未来光刻机技术发展的主要方向。2010年ASML推出第一台EUV光刻机NXE:3100, 目前其是全世界唯一一家能够设计和制造EUV设备的厂商。全球光刻机需求量在300台左右：目前全球光刻机被ASML、Canon和Nikon三家供应商包揽。从行业需求来看，全球每年光刻机产出量300-400台，2019年，全球TOP3企业光刻机合计销售量354台，较2018年下降了3.8%。在2019年的354台光刻机设备中，ASML贡献了229台，占据着超60%的市场份额。2020年第一季度，全球光刻机top3企业销售量实现85台。ArF、i-line光刻机是主流：近年来，市场上销售的光刻机主要为EUV光刻机、ArF lm光刻机、ArF Dry光刻机、KrF光刻机和i-line光刻机。从2019年这五类光刻机的销量情况来看，ArF光刻机销量最高，达122台，其中ArF lm光刻机89台， ArF Dry光刻机33台。在这122台中，ASML贡献了大部分的份额。其次为i-line光刻机，销量为116台。光刻机国产化进行时：从中国市场来看，上海微电子装备有限公司（SMEE）是我国国内唯一能够做光刻机的企业。上海微电已经量产的光刻机中，性能最好的是SSA600/200工艺，能够达到90nm的制程工艺，而最新的荷兰ASML公司所生产的N+1光刻机是采用最新的制程，能够达到7nm的程度。因此，国内晶圆厂所需要的高端光刻机完全依赖进口，国产化脚步有待加快。此外，从光刻机工作台、涂布显影、去胶/清洗等其他光刻设备来看，我国在研企业还有华卓精科、芯源微、屹唐半导体等。2.刻蚀设备刻蚀设备简介：刻蚀是利用化学或者物理的方法将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除的过程。按照刻蚀工艺划分，刻蚀其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀，干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面市值被腐蚀的工艺。湿法刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。目前来看，干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流低位，市场占比超过90%。全球刻蚀设备市场规模至2025年有望达到155亿美元：近年来，全球刻蚀设备市场快速发展。2013年，全球刻蚀设备市场规模约为40亿美元，随着闪存技术突破，存储市场拉动刻蚀设备需求明显增大，至2019年市场规模突破百亿美元，达到115亿美元。 SEMI预测2025年全球刻蚀设备市场空间达到155亿美元，年复合增速约为12%，市场空间增量主要来自于存储制造对刻蚀设备的需求激增。三大巨头垄断市场：从刻蚀设备主要品牌来看，目前该领域被泛林半导体、TEL、应用材料三家海外巨头所垄断。2019年，三家企业合计占全球刻蚀设备市场90%左右，其中泛林半导体又以50%的市场份额遥遥领先。工艺升级带动刻蚀机用量提升：根据中微公司披露的高阶制程刻蚀工艺来看，由于光刻机在20nm以下光刻步骤收到光波长度的限制，因此无法直接进行光刻与刻蚀步骤，而是通过多次光刻、刻蚀生产出符合人们要求的更微小的结构。目前普遍采用多重模板工艺原理， 即通过多次沉积、刻蚀等工艺，实现10nm线宽的制程。根据相关数据，14nm制程所需使用的刻蚀步骤达到64次，较28nm提升60%；7nm制程所需刻蚀步骤更是高达140次，较14nm提升118%，工艺升级持续推动刻蚀机用量提升。有望率先完成国产替代：从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。目前我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐半导体。中微与北方作为我国两家设备龙头企业，偏重领域有一定区别。3.薄膜沉积设备薄膜沉积设备简介：薄膜的沉积，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）、化学式真空镀膜（CVD）三种工艺。全球薄膜沉积设备市场规模至2025年有望达到340亿美元：根据Maximize Market Research数据统计，全球半导体薄膜沉积市场2017年市场空间约为125亿美元，预计到2025年将达到340亿美元，期间以年复合13.33%的速度增长。其中市场将以存储、AMOLED显示屏以及太阳能电站等新兴应用需求的增加为驱动薄膜沉积市场增长的核心动力。CVD设备占据过半市场份额：从半导体薄膜沉积设备主要类型来看，CVD设备占据着57%的薄膜沉积设备市场，领先于其他类型设备；其次是PVD，占比为25%；ALD及其他镀膜设备占据着18%的市场份额。薄膜沉积设备品牌竞争格局分析：从全球市场份额来看，ALD设备龙头TEL和ASM分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据；而应用材料则基本垄断了PVD市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位；在CVD市场中，应用材料全球占比约30%，连同泛林半导体的21%和TEL的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。国产薄膜沉积设备取得重大进展：从国内市场看，中国薄膜沉积设备龙头有北方华创和沈阳拓荆。其中，北方华创产品线覆盖CVD、PVD和ALD三类；沈阳拓荆主攻CVD和ALD，目前技术储备均达到28/14nm节点。近年来两家公司分别在技术储备以及客户认证方面取得良好进展。2020年4月7日，北方华创宣布，其THEORISSN302D型12英寸氮化硅沉积设备进入国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。4.清洗设备清洗设备分类——以湿法清洗为主：半导体清洗设备针对不同的工艺需求，对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。按照清洗原理来分，清洗工艺可分为干法清洗和湿法清洗。在实际生产过程中一般将湿法和干法两种方法结合使用，目前90%以上的清洗步骤以湿法工艺为主。在湿法清洗工艺路线下，目前主流的清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、组合式清洗设备和批式旋转喷淋清洗设备等，其中以单片清洗设备为主流。——清洗步骤贯穿全产业链：清洗设备直接影响集成电路的成品率，是贯穿半导体产业链的重要环节，在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程及封装工艺中均为必要环节，约占所有芯片制造工序步骤30%以上，且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升，清洗设备的需求量也将相应增加。清洗设备发展现状——行业规模波动幅度较大：根据Gartner统计数据，2018年全球半导体清洗设备市场规模为34.17亿美元，2019年和2020年受全球半导体行业景气度下行的影响，有所下降，分别为30.49亿美元和25.39亿美元，预计2021年随着全球半导体行业复苏，全球半导体清洗设备市场将呈逐年增长的趋势，2024 年预计全球半导体清洗设备行业将达到31.93亿美元。——马太效应明显 行业集中度较高：目前，全球半导体清洗设备市场主要由Screen（日本迪恩士）、TEL（日本东京电子）、Lam Research（美国拉姆研究）和SEMES（韩国）和拉姆研究等日美韩企业瓜分。根据Gartner数据显示，2018年全球排名前四的企业合计占据约98%的市场份额，行业马太效应显著，市场高度集中；其中日本厂商迪恩士以市占率45.1%处于绝对领先地位，而国内清洗设备龙头盛美半导体市占率仅为2.3%。——国内生产企业屈指可数：目前，中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美股份、北方华创(002371)、芯源微(688037)以及至纯科技(603690)四家公司。此外，据中国国际招标网统计，在芯片和集成电路制造厂商长江存储、华虹无锡、上海华力二期项目共累计累计采购的200多台清洗设备中，按中标数量对供应商排序，依次是DNS、盛美股份、LAM、TEL以及北方华创，所占份额依次是48%、20.5%、20%、6%和1%，盛美股份在国产清洗设备供应商中排名第一。可见，盛美股份是国内半导体清洗设备行业龙头企业，未来其市场发展空间较大，有望打破外企垄断，扩大市场份额。5.封装设备封装设备分类：典型的半导体封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印 、切筋和成型 、外观检查、 成品测试 、包装出货。与封装流程对应的，整个封装设备包括切割减薄设备、划片机、贴片机、固化设备、引线焊接/键合设备、塑封及切筋设备等。发展现状——行业规模占全球比重持续上涨：据SEMI数据显示，2018年全球封装设备市场规模约为42亿美元，另外根据VLSI数据，半导体设备中封装设备约占7%。假设该占比较稳定，结合SEMI最新数据，可估算得到2019全球封测设备市场空间约为41.86亿美元，2020年有望达到42.56亿美元。同时，根据SEMI数据，国内封装设备在半导体设备中的比重同样约为7%，2019年中国大陆半导体封装设备市场规模约为9.4亿美元，预计到2020年中国大陆半导体封测设备规模约为10.4 亿美元。从中国在全球的比重来看，2018-2020年我国半导体设备规模占全球比重不断上升，2019年约为22.5%。结合封测设备细分产品结构来看，根据VLSI数据，2018年全球半导体封装设备中的贴片机、划片机/检测设备、引线焊接设备、塑封/切筋成型设备等占比较大，分别约为 30%、28%、23%、18%。——市场仍以国际企业占据:目前，在全球封装设备领域的代表性企业包括ASM Pacific、K&S、Shinkawa、Besi等，同时，我国半导体封装设备市场同样被这些国际企业占据，且国产化程度很低。6.测试设备设备分类——测试机比重居于首位:测试设备贯穿于集成电路生产制造流程（包括IC设计、制造以及封测）。晶圆在封装前和封装过程中需进行多次多种测试，如封装前的晶圆测试（WAT测试）、在封测过程中需进行CP测试、封装完成后需进行FT测试等，所涉及设备包括探针台、测试机、分选机等。——测试机比重居于首位:从产品的细分结构来看，根据SEMI数据，2018年我国半导体测试设备中测试机的占比达到63.1%，居于首位；其次分选机和探针台分别占比17.4%和15.2%。值得注意的是，在测试机的细分产品中，存储测试机和SOC测试机占据主要份额，其占比分别达到43.8%和23.5%。——行业规模保持增长:根据SEMI数据，国内测试设备在半导体设备行业的的比重约为10%，据此进行测算得到，2019年中国大陆半导体测试设备市场规模约为13.11亿美元，并预计到2020年中国大陆半导体测试设备规模约为15亿美元。同时从全球角度来看，据Gartner数据，2016-2018年全球半导体测试设备的市场规模呈逐年增长态势，2018年行业规模为56.33亿美元，前瞻根据市场增速进行估算，2019年全球半导体测试设备规模约为65亿美元。——全球企业集中度较高:从企业竞争格局来看，目前全球半导体测试设备产业主要呈现美商Teradyne、日商Advantest、TEL等国际企业垄断的局面；而中国集成电路测试设备市场份额同样被国外企业瓜分，本土企业虽然与国际龙头相比在规模和技术方面仍然存在一定差距，但是近几年进步较大，市场份额逐步提升，相继涌现出华峰测控、长川科技等企业。第四章：半导体设备行业发展趋势分析半导体设备行业发展痛点：融资环境仍不成熟，高端技术和人才的缺乏，国产核心零部件配套能力薄弱，国外出口限制。半导体设备行业发展趋势：设备将向高精度化与高集成化方向发展，各类技术等级设备并存发展，国产化进程加快。半导体设备行业发展前景：随着国际产能不断向我国大陆地区转移，英特尔（Intel）、三星（Samsung）等国际大厂陆续在我国大陆地区投资建厂，同时在集成电路产业投资基金的引导下，我国大陆集成电路生产线建设热情高涨，我国大陆地区对半导体设备的需求巨大。结合全球半导体设备发展趋势以及我国半导体设备国产替代以及下游需求旺盛的多重作用，未来几年，我国半导体设备行业仍将保持高速增长，预计2020-2025年，我国半导体设备行业市场规模将保持在15%左右的复合增长率稳步提升，到2025年，全国半导体设备市场规模将达到298亿美元。报告节选：（报告观点属于原作者，仅供参考。报告来源：前瞻产业研究院）

芯片产业作为新一轮产业变革的核心驱动力，是新一代信息产业的基石，也是现代经济社会发展的基础性、先导性产业，战略地位愈发凸显。当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，全球芯片产业将迎来新一轮的发展机遇。在鞍山布局和发展芯片这一战略性新兴产业，对实施“两翼一体化”经济发展战略，实现鞍山高质量发展具有重要的意义。本文对全球芯片产业发展态势和我国芯片产业发展情况进行了初步分析研究，并提出了推动鞍山芯片产业发展的对策建议。一、芯片及芯片产业基础状况（一）芯片定义芯片是指内含集成电路的硅片，是采用半导体工艺把多种元件以及元件之间的连线制作在半导体晶圆上的具有特定功能的电路，是电子产品的基础构件。（二）芯片产业特征芯片产业主要有以下特征：制造工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资大风险高。1.制造工序多。芯片产业链包括设计、制造、封装测试等主要环节，也涉及上游的半导体设备和材料产业，以及下游的应用行业。IC设计公司根据下游户（系统厂商）的需求设计芯片，然后交给晶圆代工厂进行制造，这些IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂，由封装测试厂进行封装测试，最后将性能良好的IC产品出售给系统厂商。图1 半导体产业及其上下游图2 芯片产业链及相关主要厂商2.产品种类多。从技术复杂度和应用广度来看，主要可以分为专用芯片和通用芯片两大类。图3 芯片种类3.技术更新换代快。芯片的技术更新符合摩尔定律，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件数，大概每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，因此整个芯片行业的技术更新换代速度特别快，旧的产品一旦积压在仓库中，极其容易被淘汰。4.投资大风险高。芯片行业的研发投入在亿元以上，研发时间至少要一两年。即便研发成功，搭建生产线进行生产也需要数亿元的资金。即便投入如此巨大，芯片研发依旧面临流片失败等技术风险和不符合市场需求的商业风险。对于经验尚不丰富的初创公司而言，一次芯片研发的失败就可能导致企业破产。二、全球芯片产业发展态势(一)全球产业景气度回温的信号十分明显2019年全球半导体市场进入景气周期的下行区间，行业寒冷成为业界经常谈论的话题。据Gartner调查结果显示，受贸易战等因素干扰，2019年全球半导体收入总计4183亿美元，同比下降11.9％，全球主要半导体厂商业绩普遍受到影响。相较而言，中国半导体市场依旧保持了相对良好的走势。根据中国半导体的数据，2019年上半年在全球半导体产业两位数跌幅情况下，我国依然保持两位数增长。2019年上半年全行业经历了严重萧条后，从三季度开始朝向稳健复苏成长的态势发展，存储器价格回稳，代工、封测产能利用率大幅提升，主要龙头企业的各项数据环比也持续反弹，并且从下游来看这样的状态具备一定的持续性，加之芯片产业属于自动化程度较高、人员密集度较低的科技型企业，行业整体受新型冠状病毒疫情影响将会较低，因此可以看到2020年全球产业景气度回温的信号十分明显。但从区域来看，鉴于未来一年美国在贸易摩擦、对华高科技产品出口实行限制等方面的不确定性，美国市场的后续发展可能不甚乐观。（二）产业链逐步向专业化分工方向发展从产业模式看，目前全球集成电路前 20 大厂商中大部分为垂直一体化（IDM） 厂商，如英特尔（Intel）、三星（Samsung）、德州仪器（TI）、东芝（Toshiba）、意法半导体（ST）等，随着加工技术的日益成熟和标准化程度的不断提高，产业链开始向专业化分工方向发展，并逐步形成了独立的芯片设计（Fabless）、晶圆制造代工、封装测试企业，即形成垂直分工的产业模式。（三）市场占比呈现高度垄断格局目前，全球芯片仍主要以美、欧企业产品为主，高端市场几乎被这两大主力地区垄断。根据Gartner发布的数据，2019年全球前10大芯片厂商市场占比达到54.9%，美国有4家（英特尔、美光、高通、德州仪器）上榜，韩国2家（三星、SK海力士），欧洲2家（意法半导体、恩智浦），新加坡1家（博通），日本1家（东芝记忆体）。在前10大芯片厂商中，美国和欧洲占据了整个芯片产业链的上游，掌握着设计、生产、装备等核心技术，高端市场几乎被这两大主力地区垄断。表1 2019年全球芯片公司TOP10（单位：亿美元，%）（四）新应用推动芯片产业成长当前全球芯片行业下游市场大致分为通讯（含手机）、计算机、消费电子、汽车、工业、军事等领域，其中最主要的市场是通讯和PC/平板领域，二者占比达到61%，其次是工业、消费电子和汽车领域。但随着2018年传统PC和智能手机出货量的下滑，全球芯片行业出现了下游成熟市场对行业整体驱动不足的局面。业内预计，未来几年，将以5G、物联网、AI、大数据、工业机器人、智能穿戴等新兴产业为主要驱动力给全球芯片行业带来新机遇。图4 2018年全球芯片产品下游应用领域占比三、我国芯片产业发展情况近年来，国家出台了一系列鼓励扶持政策，并设立了集成电路产业投资基金。在政策和大基金双轮驱动下，我国芯片制造薄弱领域有望得到迅速发展。随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的出台和大基金的落地，以及国家生产力布局重大项目的投产，我国芯片产业将迎来未来发展的黄金时期。（一）产业概况1.产业规模。据中国半导体协会公布的数据显示，2019年1-9月中国芯片产业销售额为5049.9亿元，同比增长13.2%。其中，设计业销售额为2122.8亿元，同比增长18.5%；制造业销售额为1320.5亿元，同比增长15.1%；封装测试业销售额1606.6亿元，同比增长5.5%。三业当中，技术含量相对较高的设计业销售额占比最大，制造业的增长速度也超过了封测业，显示出我国芯片产业的整体发展水平正在稳步提高。据预测，未来几年，中国芯片产业规模将保持19.8%的年均复合增长率，到2021年，将达到一万亿元（约1500亿美元）的规模。2.产业分布情况。目前，中国大陆芯片产业布局主要在四个区域。第一，以北京为核心的京津冀地区，是国内集成电路设计业和制造业发展的核心地区。第二，以上海为核心的长三角，是国内集成电路产业的核心区域，制造业和封测业的全国占比均超50%。第三，以深圳为核心的珠三角，是国内集成电路设计业发展的核心地区。第四，以四川、重庆、陕西、湖北等为核心的中西部地区，包含西安、成都、重庆长沙、合肥等集成电路产业发展重点城市，它们处于产业发展的第二梯队，也是产业发展最为活跃的地区。（二）产业技术现状分析2019年在一些关键技术上，我国芯片企业也获得了重大突破。华为海思在IFA 2019上正式发布麒麟990旗舰芯片，采用全球最先进的7纳米+EUV工艺，实现5G手机芯片的成功开发。中芯国际在第二季度财报中披露，14纳米工艺进入客户风险量产阶段，可以贡献有意义的营收，第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入，将与客户保持合作关系，把握5G、物联网、车用电子等产业发展机遇。存储芯片实现了初步的布局，长江存储成功投产64层3D NAND，长鑫存储成功投产19纳米DRAM。随着异构计算的发展，先进封装的重要性不断提升，我国在先进封装领域取得进展，先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%。在装备材料方面，中微半导体的等离子体刻蚀机进入台积电7nm逻辑器件生产线；上海新昇的12英寸大硅片开始批量供货。从产业链视角分析，我国芯片设计业已经涌现若干在细分领域具有相当国际竞争力的企业，但是无论从基础技术平台、市场体量还是到战略产品领域等方面，与国际领先企业仍然有不小的差距，依靠制造工艺和EDA工具的进步实现产品升级换代的现象依然严重；我国芯片制造业在技术研发上取得系列重大进步的同时，在核心量产工艺上与国际领先制造企业（如三星和台积电7nm）有大概两代的差距。我国封测业与国际先进水平技术差距最小，接近“并跑”。虽然通过自主研发和兼并收购，本土封测厂基本形成先进封装的产业化能力，但占封测总营收比例只有30%，远低于全球41%的水平；在装备材料方面，虽然有部分高端装备与材料进入生产线实现供货，但主要依赖进口的局面仍未改变，产业发展存在瓶颈，与国际先进水平的整体差距是最大的。1.芯片设计业（上游）。我国芯片设计产业主要服务于通信领域。代表性企业为进入全球前10名的华为海思和紫光展锐。如华为海思半导体、紫光展锐等开发的移动处理芯片全球市场占有率超过20%。而兆芯和龙芯等公司在CPU、GPU、芯片组（Chipset）等核心技术方面取得了突破，同时国内在金融集成电路卡芯片、北斗导航芯片上取得了突破。但是国内芯片设计企业对第三方IP核的依赖程度非常高；对设计方法学的重视程度不够，需要设计企业提供更完善的方案方可完成制造流程。我国在需求量很大的数字信号处理（DSP）芯片、FPGA、模拟芯片等方面尚未形成强有力的设计能力。表2 2018年中国十大芯片设计企业(亿元)2.芯片制造业（中游）。中国台湾地区的晶圆代工行业遥遥领先，台积电以49.2%的市占率傲居2018年全球前十大代工企业榜首，处于绝对领先的位置；中国大陆有两家公司上榜，分别是中芯国际（市占率为5.1%）和华虹宏力（市占率1.5%），其中中芯国际代表大陆的最高制程水准，目前14nm已量产，但与全球先进工艺7nm仍有一定差距（台积电等龙头企业7nm制程已量产），12 英寸生产线的产能也亟待加强。国内代工制造企业完整的设计服务和支持体系仍然有待加强，大多数企业尚未建成有竞争力的设计服务和支持体系，独立工艺研发能力有待加强。表3 2019年第二季全球前10大晶圆代工企业营收(百万美元)3.芯片封测业（下游）。我国封测产业高端化发展，通过内生发展+并购，实现技术上完成国产替代，是产业中最具竞争力环节。基于我国在成本及贴近消费市场等方面的优势，近年来全球半导体厂商纷纷将封测厂转移到中国，国内封测产业已经具备规模和技术基础，与业内领先企业技术差距逐渐缩小，基本已掌握最先进的技术，当前国内封测产业呈现外商独资、中外合资和内资三足鼎立的局面，长电科技、华天科技、通富微电等内资企业已进入全球封测企业前 20 名，并通过海外收购或兼并重组等方式不断参与到国际竞争中，先进封装产能得到大幅提升。4.装备材料方面。我国半导体材料自给率低，基本不足30%，并且大部分是技术壁垒较低的封装材料，在晶圆制造材料方面国产化比例更低，主要依赖于进口。高端产品市场主要被欧美日韩台等少数国际大公司垄断，如硅片全球市场前六大公司的市场份额达90%以上，光刻胶全球市场前五大公司的市场份额达80%以上，高纯试剂全球市场前六大公司的市场份额达80%以上，CMP抛光材料全球市场前七大公司市场份额达 90%。在芯片制造设备领域，代表性企业为中微（芯片刻蚀机）、北方华创（等离子刻蚀、气相沉积设备和清洗设备），其中中微生产5nm芯片刻蚀机，处于世界顶尖水平。我国在光刻机技术上相对是较为落后的，只能造出生产28nm芯片的光刻机。此外，国内企业在提供尖端生产工艺、高效服务和先进软件产品方面的差距较大。表4 不同种类半导体材料国产化程度四、鞍山市芯片产业发展情况鞍山市的半导体芯片产业基础薄弱，目前仅有一家在建的半导体材料制造企业。2019年9月，辽宁科兴半导体科技有限公司芯片基底材料（SOI）基地项目开工建设，预计2021年12月竣工投产。该项目位于高新区激光产业园兴业大道东、规划路北，总投资60亿元，项目建成后年产12寸芯片基底材料(SOI)100万片，年产值预计60亿元，缴纳经营性税收额度预计达到6亿元/年。该项目建成投产后，鞍山将实现半导体芯片产业从无到有的新突破。2020年，随着5G的推广和应用将为半导体芯片产业的发展带来巨大市场。高铁、智能电网、北斗导航、超高清视频、安防等随着信息技术与传统产业的加速融合，芯片的应用领域越来越多，本土芯片企业凭借贴近市场贴近用户的优势，可以发挥的作用也将越来越大，产品也将从中低端升级到存储、模拟、射频等更多战略级通用或者量大面广的高端产品上。鞍山应抓住5G通信、VR/AR、物联网、医疗健康、超高清晰度电视及显示技术、人工智能与类脑计算、自动驾驶等带来的机遇，积极探索适合鞍山发展的芯片产业模式，以即将产出的半导体材料产品为出发点，围绕产业链的上下游，积极招商引资引智，打造鞍山的芯片产业基地，通过科技成果转化、企业孵化、吸纳人才等方式，充分发挥科技创新的引领带动作用，为鞍山产业转型升级和高质量发展提供新动力、增加新活力。五、对策建议（一）围绕芯片上中下游产业招商引资，逐步完善产业链条围绕芯片设计、制造、封测、半导体材料和设备等领域进行招商引资，逐步形成鞍山较为完整的芯片产业体系。设计环节招商重点企业主要有海思、紫光展锐、中兴微电子；制造环节招商重点企业主要有中芯国际、华虹半导体、华润微电子；封测环节招商重点企业主要有长电科技、华天科技、通富微电；半导体材料和设备招商重点企业有中微（芯片刻蚀机）、北方华创（等离子刻蚀、气相沉积设备和清洗设备）、有研硅研（硅片）、浙江金瑞泓（硅片）、上海新傲（硅片）、上海新昇(硅片）等。重点发展通讯、信息处理、传感器、存储器等关键通用芯片，着重扶持移动智能终端、网络通信等适合鞍山发展的特色芯片产业，加快云计算、大数据、物联网、智能穿戴设备等新兴领域核心芯片开发，充分利用产业链上下游资源，打造一批“专、精、特、新”的中小企业，形成鞍山芯片产业集群。目标到2025年，鞍山芯片产业年销售收入达到60亿元，培育5家以上销售收入超过10亿元的骨干企业。以辽宁科兴半导体科技有限公司为依托，围绕其上下游产业的需求，积极开展招商引资，鼓励企业积极寻求与中芯国际、三星（中国）半导体有限公司、SK海力士半导体（中国）有限公司、华润微电子、华虹宏力、英特尔半导体（大连）有限公司、华力微电子、西安微电子、和舰科技、武汉新芯、君耀电子、吉林华微电子、上海贝岭、苏州固锝、扬杰科技、士兰微、东晨电子、先进半导体、无锡纳瑞电子、芯原股份、西安航天华迅、高云半导体，方正微电子等下游企业的合作，为产品开拓新市场。（二）抓住5G发展机遇，发展特色芯片产业5G时代的到来，也给芯片产业的发展带来了新的机遇。市场驱动的产业选择模式是日本芯片产业发展的成功经验。20世纪70年代，日本利用家电市场占有率高的优势切入芯片行业，将芯片技术与家电产业有机对接，培育壮大了索尼、东芝等系统厂商。5G应用场景的扩大和关键技术的升级给芯片技术产业发展带来了巨大的市场。随着新一代通信、物联网、人工智能、虚拟现实等新兴产业的迅猛发展，以及信息消费、网络消费、娱乐消费、文化消费、健康消费、教育消费等消费转型升级的市场需求不断旺盛，鞍山应充分发挥应用场景丰富的优势，选择一些具有产业应用优势、技术突破容易的领域重点发展，特别要聚焦移动通信、物联网、消费电子、汽车电子、人工智能和工业互联网等市场需求量大的特色芯片产业，抢占现代产业体系中特色芯片的市场制高点。如先进的材料、器件和封测，互联的技术和存储，智能内存与存储，电源功率管理，传感和通信系统，分布式计算和网络，认知计算，先进的架构及算法，安全与隐私等领域将成为重点发展领域。抓住鞍山5G发展的契机，在理解国家战略的前提下，找准定位、错位发展，加大产业投入，在具有基础优势和良好发展前景的功率芯片、射频芯片、嵌入式芯片、传感器芯片等领域重点布局，提升和打造具有鞍山特色的芯片产业，培育新的经济增长点。（三）拓展资金来源渠道，创新芯片产业投融资体系不断拓展芯片产业资金来源渠道，建立和健全以政府资金为引导、风险投资为主导、银行资金为后盾、企业自筹和民间资本为补充的多渠道、多层次的科技投入体系。一是积极申请并用好政府资金支持。重点支持芯片企业技术创新能力建设，培育产业核心优势；加大企业培育力度，提升企业竞争能力；加强公共服务平台建设，完善科技服务体系；加快推进鞍山芯片产业基地建设，壮大产业规模。二是大力发展芯片产业创业风险投资。建立并充分发挥鞍山市创业风险投资引导基金作用，通过参股的方式设立一批面向芯片细分领域的子基金。通过建立小微企业融资服务平台，充分吸纳海内外天使投资，面向初创企业和项目提供服务。三是推进芯片企业上市融资。充分调动企业上市积极性，支持企业因企制宜合理选择主板、中小企业板和创业板等上市途径。并引导和支持具备条件的企业在境外资本市场上市。对暂不具备条件，但具备进入代办股份转让系统（简称“新三板”）条件的企业，鼓励其进入“新三板”挂牌。建立芯片企业上市资源后备库，联合券商对备选对象进行重点培养，加大对企业从改制、挂牌上市到再融资的资金支持。四是完善多元化投融资中介服务。引进信用评级、资产评估、认证服务、财税、法律、投融资顾问以及融资担保等科技金融中介机构，为企业提供融资咨询及联合投资服务。支持和引导券商、律师事务所和会计师事务所等机构为企业改制、收购、兼并、重组、上市等提供专业服务。（四）出台芯片产业人才扶持政策，逐步突破产业发展的人才瓶颈在人才引进方面。出台鞍山芯片产业人才新政，增强人才政策的吸引力。在市领军人才计划项目中设立“先进特色半导体人才专项”，优先支持芯片半导体产业领军人才项目落户。以全市芯片半导体产业发展的特色为基础，制定针对性强、扶持力度大的专项政策，对先进特色芯片半导体产业引进紧缺型人才给予重点支持。通过打造产业品牌影响力，以各类活动吸引产业人才集聚。以行业各类活动为依托，突出产业特色，不断拓展鞍山市芯片半导体产业的品牌影响力。通过举办芯片半导体产业发展专项活动，积极向国内外推介鞍山市芯片半导体产业发展环境，吸引更多项目、人才落户鞍山。在人才培养方面。深化鞍山与高校、科研院所的合作深度，以更具竞争力的政策吸引上海、南京、苏州等地的优秀毕业生源源不断输入，为产业创新发展提供支撑。如无锡与东南大学签约共建东南大学无锡分校，在无锡建设微电子学院，将优质资源配置到无锡，此类做法值得借鉴。要用好现有的高校资源，如利用辽宁科技大学和鞍山师范学院，推进产业人才联合培养、定向培养，根据全市急需的产业中端人才，由人才企业与高校共同授课、理论学习与实践学习相结合的方式，定向培养鞍山市芯片半导体产业创新发展所需人才。积极发挥企业育才主体作用。推动鞍山市芯片半导体重点企业与国内半导体领域优势高校通过共建研究生工作站、联合实验室以及合作研发课题等途径定向培养产业人才。在芯片产业工人培养发面，积极发挥鞍山市职教培训机构的作用，在鞍山市技师学院开设芯片产业相关课程，为芯片企业定向培养专业化的技术工人。（五）搭建政产学研的科研组织模式政产学研结合的科研组织模式是各技术先进国家推动芯片产业发展的经典做法。美国政府通过组织龙头企业、高端研究院成立半导体制造技术战略联盟，强化技术研发，减少重复研究，实现成果共享；日本政府发起超大规模集成电路计划，联合龙头企业成立研发机构，强力攻关器件、装备和材料等细分领域技术；韩国政府全力支持财阀进入龙头企业，采取“逆周期”发展战略，通过滚动实施的研发计划实现存储芯片的技术突破。鞍山芯片产业发展必须走政产学研模式，由政府部门牵头，对国内先进地区及鞍山本地的芯片产业发展情况进行调研，在此基础上制定鞍山市芯片产业发展专项规划。由政府做好顶层设计，搭建公共服务平台，组织龙头企业、大学、研究机构成立行业联盟，统筹布局重点领域和重点项目，通过持续的研发计划支持，降低重复研究，实施产业核心技术、关键共性技术和零部件的攻关。

华微电子是吉林市骨干企业,作为一家集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业,华微电子在中国功率半导体器件行业连续十年排名第一,经科技部、中科院等国家机构认证,被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS实验室。华微电子拥有员工2100余人,技术人员占公司总人数的30%以上,公司于2001年3月在上海证券交易所上市,是国内功率半导体器件领域首家上市公司(主板A股)。 华微电子发展成就获得了吉林省、市政府的高度认可。日前,市政协主席王德胜带领调研组莅临华微电子就融入“一带一路”和“长吉图”发展战略进行了专题调研。市委常委,高新区党工委书记、管委会主任李富民陪同调研。王德胜一行先参观了华微电子展厅、沙盘、MOS产品事业部六英寸新型功率半导体器件生产线,并来到公司会议室进行座谈,公司CEO于胜东汇报了企业生产经营情况、外贸出口情况及发展规划。此前,四川省政协副主席李昌平一行13人、吉林市政协副主席刘长木一行3人就“发展民营经济”主题曾到公司进行参观调研,公司首席技术官李强接待了李昌平副主席一行,并陪同李昌平、刘长木等领导参观了公司展厅以及6英寸生产线。李强向李昌平副主席一行详细的介绍了华微电子的主要产品以及目前的生产经营情况、未来的发展规划。双方就企业的产品和发展规划进行了充分的交流,来访客人给予了华微电子高度评价。而本次王德胜主席一行同样对华微电子的发展成果表示肯定。并对华微电子未来的发展提出指导意见,希望华微电子抓住市场机遇,加大科研投入力度,创新发展模式,进一步扩大生产规模、提高经济效益,在国内外抢占市场份额,向国际一流企业目标迈进。王德胜指出,华微电子要围绕产业链,大力引进关联产品及配套企业,谋划建设电力电子产业园区,打造百亿级产业,推动产业集群化发展。本次调研圆满结束,华微电子随同人员表示受益良多,并表示将积极响应国家号召,谋划建设电力电子产业园区。

上海市委副书记、市长应勇今天(21日)在调研集成电路产业发展时强调，集成电路是国之重器。打造集成电路产业高地，既是国家赋予上海的重大任务，也是上海发挥自身优势、服务国家战略的职责使命。要深入贯彻落实习近平总书记考察上海重要讲话精神，抓住落实三项新的重大任务的历史机遇，以时不我待、只争朝夕的紧迫感，着力加强关键核心技术攻关，着力培育龙头骨干企业，着力推进重大产业项目，着力打造功能载体，着力营造良好发展环境，加快建设具有国际竞争力的综合性产业集群，为助推国之重器实现新突破作出更大贡献。安靠封装测试(上海)有限公司是全球第二大半导体封测服务商AMKOR的独资企业。上午，应勇一行来到安靠上海公司，听取企业发展情况介绍，察看封装测试产品，并参观企业生产线。随后，市领导来到位于张江科学城核心区的上海集成电路设计产业园，这里是我国集成电路产业集聚度最高的区域之一，已聚集一大批国内外龙头企业，未来有望汇聚十万人才、新增百万空间、形成千亿规模。应勇详细了解园区建设推进、企业入驻等情况，要求园区高起点规划建设，统筹利用空间，提升经济密度。上海微电子装备(集团)股份有限公司是国内唯一多领域、多品种的高端光刻机制造商。市领导来到企业展厅，详细了解产品研发情况，并走进车间实地察看。得知企业已拥有2700多项光刻机领域核心专利，应勇说，高科技企业的发展，就是知识产权创造、保护和运用的过程。希望企业聚焦关键核心技术攻关突破，努力缩小与国际先进水平差距，以优质产品满足市场需求。在随后召开的座谈会上，市经信委和浦东新区分别汇报了今年本市集成电路产业发展计划、集成电路设计产业园推进情况。应勇不时询问，与大家深入讨论。应勇指出，上海是国内集成电路产业链最完善、产业集中度最高、综合技术能力最强的地区，要充分把握落实国家战略的任务要求，把发展集成电路产业作为科创中心建设的重要支撑点，遵循产业发展规律，用足用好体制优势，加快建设集成电路产业高地。要着力攻克一批关键核心技术，发挥国家创新中心和功能性平台作用，集中优势资源，强化自主创新，加快实现突破。要着力培育一批实力强大、富于创新、成长性好的龙头骨干企业，以资本为纽带，加强企业资源整合，打造一批深耕主业、技术先进的企业集团。要着力推进一批重大产业项目，培育和集聚集成电路设计等领域的“独角兽”企业。要着力打造一批产业链配套能力强的载体，充分发挥产业地图引导作用，优化完善“一体两翼”产业空间布局。要着力营造国际一流的集成电路产业发展环境，实施更加开放的政策制度，完善更加多元的投入机制，创造更具吸引力的人才环境。应勇指出，浦东新区是上海集成电路产业的集聚地、主战场，要发扬“敢为天下先”的开发开放精神，进一步解放思想，甩开膀子，一步一个脚印往前走。要围绕产业扶持、载体构建、企业培育等关键环节，深入细致研究产业发展规律，摸清企业发展需求，量身定制政策措施，强化精准有效服务，推动关键核心技术取得新突破、产业能级迈上新台阶。市委常委、浦东新区区委书记翁祖亮，副市长吴清参加相关活动。（文章来源：上观新闻）

如需报告请登录【未来智库】。1、电子 PI：柔性、耐高温、绝缘性能突出的高分子材料1.1. PI 概述：综合性能最佳的有机高分子材料之一 聚酰亚胺-高性能的工程和微电子材料。聚酰亚胺（Polyimide, PI）是指主链上含有酰亚胺 环（-CO-N-CO-）的一类聚合物，其中以含有酞酰亚胺结构的聚合物最为重要，是综合 性能最佳的有机高分子材料之一。PI 耐高温达 400℃以上，长期使用温度范围为-269～ 260℃，部分无明显熔点，且具有高绝缘性能。聚酰亚胺列为“21 世纪最有希望的工程塑料”之一，其研究、开发及利用已列入各先进工 业国家中长期发展规划。芳香族聚酰亚胺是微电子工业的重要材料。根据化学组成，聚酰亚胺可以分为脂肪族和芳 香族聚酰亚胺两类；根据加工特性，聚酰亚胺可分为热塑性和热固性。芳香族结构聚酰亚 胺的热学性能最稳定，是微电子工业通常所用的聚酰亚胺材料，其一般是由芳香族的四酸 二酐和芳香族二胺在有机溶液中发生缩聚反应生成聚酰胺酸或聚酰胺酯，再经过一定的方 法使其亚胺化（环化）而制得。聚酰亚胺产品应用领域广泛。聚酰亚胺产品以薄膜、复合材料、泡沫塑料、工程塑料、纤 维等为主，可应用到航空航天、电气绝缘、液晶显示、汽车医疗、原子能、卫星、核潜艇、微电子、精密机械包装等众多领域。美日韩企业垄断全球 PI 市场。目前全球市场由国外少数美日韩企业所垄断，包括美国杜邦， 韩国 SKC Kolon PI，日本住友化学、宇部兴产株式会社(UBE)、钟渊化学(Kaneka)和东丽等。 国内企业主要包括中国台湾的达迈科技和达胜科技，以及中国大陆的时代新材、丹邦科技、 鼎龙股份和瑞华泰。1.2. PI 核心性能优势：柔性，耐高温，绝缘 PI 材料综合性能优异。PI 材料具有优异的热稳定性，在-269~260℃温度范围内可长期使 用，短期使用温度达 400～450℃，开始分解温度一般在 500℃左右；良好的机械性能，均 苯型 PI 薄膜拉伸强度达 250MPa，联苯型 PI 薄膜拉伸强度达 530MPa；具有低热膨胀系数， 热膨胀系数一般在(2～3)×10-5/℃；联苯型的可达 10-6/℃；具有良好的介电性，其介电常 数一般在 3.4 左右，介电强度为 100～300kV/mm，体积电阻为 1017Ω·cm，介电损耗为 10-3。1.3. PI 薄膜材料性能优势显著，电子应用领域广泛 PI 薄膜是目前世界上性能最好的薄膜类绝缘材料之一。PI 材料中，PI 薄膜具备高强度高韧 性、耐磨耗、耐高温、防腐蚀等特殊性能，已经成为电子和电机两大领域上游重要原料之 一。PI 薄膜按照用途分为以绝缘和耐热为主要性能指标的电工级和赋有高挠性、低膨胀系 数等性能的电子级。用于电子信息产品中的电子级 PI 薄膜作为特种工程材料，被称为“黄 金薄膜”。电子级 PI 薄膜具有广泛的应用场景。由于聚酰亚胺 PI 在性能和合成方面的突出优点，电 子级 PI 薄膜的主要应用包括：柔性基板和盖板材料、COF 柔性基板、FPC 基板和覆盖层材 料、石墨散热片的原膜材料和 5G 应用的 MPI 等。1.4. PI 合成工艺和路线：两步法是常用方式 聚酰亚胺的合成方法主要分为一步法、两步法和三步法。其中，两步法是常用的合成方法， 三步法较为新颖，逐渐受到关注。 一步法：最早的合成方法，反应溶剂选择是关键。一步法是二酐和二胺在高沸点溶剂 中直接聚合生成聚酰亚胺，即单体不经由聚酰胺酸而直接合成聚酰亚胺该发的反应条 件比热处理要温和，关键要选择合适的溶剂。 两步法：现在常用的合成方法，化学亚胺化法是核心技术。两步法是先由二酐和二胺 获得前驱体聚酰胺酸，再通过加热或化学方法，分子内脱水闭环生成聚酰亚胺。1） 热法是将聚酰胺酸高温，使之脱水闭环亚胺化，制成薄膜。2） 化学亚胺化法，是在将温度保持在-5℃以下的聚酰胺酸溶液中加入一定量脱水剂 和触媒，快速混合均匀，加热到一定温度使之脱水闭环亚胺化，制成薄膜。在制造聚酰亚胺薄膜时，相比于化学亚胺化法，热亚胺化法的工艺过程与设备较简单。 通常化学亚胺化法的产能高，且所得薄膜的物化性能好，但在我国几乎所有厂家均采 用热亚胺化法。二步法工艺成熟，但聚酰胺酸溶液不稳定，对水汽很敏感，储存过程中常发生分解。 三步法：逐渐受关注的新颖合成方法。三步法是经由聚异酰亚胺结构稳定，作为聚酰 亚胺的先母体，由于热处理时不会放出水等低分子物质，容易异构化成酰亚胺，能制 得性能优良的聚酰亚胺。该法较新颖，正受到广泛关注。PI 薄膜的涂膜方法按其工艺的不同可分为浸渍法、流延法和双向拉伸法。其中双向拉伸法 制备的薄膜性能最佳，且工艺难度大，具有很高的技术壁垒。 浸渍法：最早的薄膜制备方法，制备简单，但经济性差。浸渍法即铝箔上胶法，是最 早生产 PI 薄膜的方法之一，生产工艺简单，操作方便。但也有一些不足之处：（1） 采用铝箔为载体，生产需消耗大量铝箔；（2）使用的 PAA 溶液固含量小（8.0%-12.0%）， 需消耗大量溶剂；（3）薄膜剥离困难，表面常粘有铝粉，产品平整度差；（4）生产效 率低，成本高等。 流延法：国内PI薄膜的主流制造方式。流延法制得的PI薄膜（PAA固含量15.0%-50.0%） 均匀性好，表面平整干净，薄膜长度不受限制，可以连续化生产，薄膜的电气性能和 机械性能较浸渍法有所提高。 双向拉伸法：高性能薄膜的制备工艺。双向拉伸法与流延法类似，但需要双轴定向， 即纵向定位和横向定位，纵向定位是在 30-260℃温度条件下对 PAA 薄膜（固含量 15.0%-50.0%)进行机械方向的单点定位，横向定位是将 PAA 薄膜预热后进行横向扩幅 定位、亚胺化、热定型等处理。采用该法制备的 PI 薄膜与流延法相比，物理性能、电 气性能和热稳定性都有显著提高。1.5. PI 材料行业核心壁垒高：设备、工艺、资金、人才 制备工艺复杂，核心技术被寡头公司垄断。制造工艺复杂、生产成本高（单体合成、聚合 方法）、技术工艺复杂、技术难度较高，且核心技术掌握在全球少数企业中，呈现寡头垄 断的局面，行业寡头对技术进行严密封锁。投资风险高、压力大。PI 膜的投资规模相对较大，一条产线需要 2-3 亿元人民币的投资， 对于国内以民营为主的企业来说，其高风险和长投资周期的压力较大。生产设备定制化程度高。以 PI 薄膜为例，PI 膜的生产参数与下游材料具体需求关系紧密， 对下游的稳定供应需要公司定制专门的设备，但设备定制周期较长，工艺难度大、定制化 程度高。技术人才稀缺。具备 PI 膜生产能力的研发和车间操作人员需要较高的理论水平和长期的研 发实践，难以速成。尽管 PI 膜技术壁垒较高，但随着中国半导体产业的发展，以及柔性 OLED 手机和 5G 应用 的需求拉动，现阶段成了国产替代发展的重要机遇。1.6. PI 产业新方向：轻薄、低温、低介电常数、透明、可溶、低膨胀等 1.6.1. 方向 1：低温合成聚酰亚胺 PI 一般情况下，PI 通常由二胺和二酐反应生成其预聚体—聚酰胺酸(PAA)后，必须在高温（＞ 300℃）下才能酰亚胺化得到，这限制了它在某些领域的应用。同时，PAA 溶液高温酰亚 胺化合成 PI 过程中易产生挥发性副产物且不易储存与运输。因此研究低温下合成 PI 是十 分必要。目前改进的方法有：1）一步法；2）分子设计；3）添加低温固化剂。1.6.2. 方向 2：薄膜轻薄均匀化为满足下游应用产品轻、薄及高可靠性的设计要求，聚酰亚胺 PI 薄膜向薄型化发展，对其 厚度均匀性、表面粗糙度等性能提出了更高的要求。PI 薄膜关键性能的提高不仅依赖于树 脂的分子结构设计，薄膜成型技术的进步也至关重要。目前 PI 薄膜的制备工艺主要分为： 1）浸渍法；2）流延法；3）双轴定向法。伴随着宇航、电子等工业对于器件减重、减薄以及功能化的应用需求，超薄化是 PI 薄膜 发展的一个重要趋势。按照厚度（d）划分，PI 薄膜一般可分为超薄膜（d≤8 μm）、常 规薄膜（8 μm＜d≤50 μm，常见膜厚有 12.5、25、50 μm）、厚膜（50 μm＜d≤125 μm，常见厚度为 75、125 μm）以及超厚膜（d＞125 μm）。目前，制备超薄 PI 薄膜的 方法主要为可溶性 PI 树脂法和吹塑成型法。 可溶性聚酰亚胺树脂法：传统的 PI 通常是不溶且不熔的，因此只能采用其可溶性前 躯体 PAA 溶液进行薄膜制备。而可溶性 PI 树脂是采用分子结构中含有大取代基、 柔性基团或者具有不对称和异构化结构的二酐或二胺单体聚合而得的，其取代基或者 不对称结构可以有效地降低 PI 分子链内或分子链间的强烈相互作用，增大分子间的 自由体积，从而有利于溶剂的渗透和溶解。与采用 PAA 树脂溶液制备 PI 薄膜不同，该工艺首先直接制得高分子量有机可溶性 PI 树脂，然后将其溶解于 DMAc 中配制得到具有适宜工艺黏度的 PI 溶液，最后将溶液 在钢带上流延、固化、双向拉伸后制得 PI 薄膜。 吹塑成型法：吹塑成型制备通用型聚合物薄膜的技术已经很成熟，可通过改变热空气 流速度等参数方便地调整薄膜厚度。该装置与传统的吹塑法制备聚合物薄膜在工艺上 有所不同，其薄膜是由上向下吹塑成型的。该工艺过程的难点在于聚合物从溶液向气 泡的转变，以及气泡通过压辊形成薄膜的工艺。但该工艺可直接采用商业化聚酰胺酸 溶液或 PI 溶液进行薄膜制备，且最大程度上避免了薄膜与其他基材间的物理接触； 轧辊较钢带更易于进行表面抛光处理，更易实现均匀加热，可制得具有高强度、高耐 热稳定性的 PI 超薄膜。1.6.3. 方向 3：低介电常数材料随着科学技术日新月异的发展，集成电路行业向着低维度、大规模甚至超大规模集成发展 的趋势日益明显。而当电子元器件的尺寸缩小至一定尺度时，布线之间的电感-电容效应逐渐增强，导线电流的相互影响使信号迟滞现象变得十分突出，信号迟滞时间增加。而延 迟时间与层间绝缘材料的介电常数成正比。较高的信号传输速度需要层间绝缘材料的介电 常数降低至 2.0～2.5（通常 PI 的介电常数为 3.0～3.5）。因此，在超大规模集成电路向纵深 发展的大背景下，降低层间材料的介电常数成为减小信号迟滞时间的重要手段。目前，降低 PI 薄膜介电常数的方法分为四类：1）氟原子掺杂；2）无氟/含氟共聚物；3） 含硅氧烷支链结构化；4）多孔结构膜1. 氟原子掺杂：氟原子具有较强的电负性, 可以降低聚酰亚胺分子的电子和离子的极化 率, 达到降低介电常数的目的。同时, 氟原子的引入降低了分子链的规整性, 使得高分 子链的堆砌更加不规则, 分子间空隙增大而降低介电常数。2. 无氟/含氟共聚物：引入脂肪族共聚单元能有效降低介电常数。脂环单元同样具有较低 的摩尔极化率，又可以破坏分子链的平面性，能同时抑制传荷作用和分子链的紧密堆 砌，降低介电常数；同时，由于 C-F 键的偶极极化能力较小，且能够增加分子间的空 间位阻，因而引入 C-F 键可以有效降低介电常数。如引入体积庞大的三氟甲基，既能 够阻止高分子链的紧密堆积，有效地减少高度极化的二酐单元的分子间电荷传递作用， 还能进一步增加高分子的自由体积分数，达到降低介电常数的目的。3. 含硅氧烷支链结构化：，笼型分子——聚倍半硅氧烷（POSS）具有孔径均一、热稳定 性高、分散性良好等优点。POSS 笼型孔洞结构顶点处附着的官能团，在进行聚合、接 枝和表面键合等表面化学修饰后，可以一定程度地分散到聚酰亚胺基体中，形成具有 孔隙结构的低介电常数复合薄膜。4. 多孔结构膜：由于空气的介电常数是 1，通过在聚酰亚胺中引入大量均匀分散的孔洞 结构, 提高其中空气体积率, 形成多孔泡沫材料是获得低介电聚酰亚胺材料的一种有 效途径。目前, 制备多孔聚酰亚胺材料的方法主要有热降解法、 化学溶剂法、导入具 有纳米孔洞结构的杂化材料等。1.6.4. 方向 4：透明 PI 有机化合物的有色，是由于它吸收可见光(400~700 nm)的特定波长并反射其余的波长，人 眼感 受到反射的光而产生的。这种可见光范围内的吸收是芳香族聚酰亚胺有色的原因。 对于芳香族聚酰亚胺，引起光吸收的发色基团可以有以下几点：a)亚胺环上的两个羧基； b)与亚胺环相邻接的苯基；c) 二胺残余基团与二酐残余基团所含的官能团。由千聚酰亚胺分子结构中存在较强的分子间及分子内相互作用，因而在电子给体（二胺） 与电子受体（二胺）间易形成电荷转移络合物(CTC)，而 CTC 的形成是造成材料对光产生 吸收的内在原因。要制备无色透明聚酰亚胺，就要从分子水平上减少 CTC 的形成。目前广泛采用的手段主要 包括：1）采用带有侧基或具有不对称结构的单体，侧基的存在以及不对称结构同样也会 阻碍电子的流动，减少共辄；2）在聚酰亚胺分子结构中引入含氟取代基，利用氟原子电 负性的特性，可以切断电子云的共扼，从而抑制 CTC 的形成；3）采用脂环结构二酐或二 胺单体，减小聚酰亚胺分子结构中芳香结构的含量。1.6.5. 方向 5：可溶性 PI 薄膜 聚酰亚胺分子中的芳杂环结构所形成的共扼体系、阶梯及半阶梯链结构，使其分子链具有 很强的刚性分子链段自由旋转的能垒较高，导致聚酰亚胺材料具有很高的玻璃化转变温度、 较高的熔点或软化点，从而难溶解千有机溶剂且在普通加工温度下呈现不熔化或不软化的 性能。因此, 在保持聚酰亚胺原有的耐热性能等优良特性的同时, 降低聚酰亚胺材料的刚性 并增加其在有机溶剂中的溶解能力, 已成为高性能聚酰亚胺功能材料研制开发的热点之一。改善聚酰业胺溶解性的基本途径有 2 个：1）引入对溶剂具有亲和性的结构，例如引入含 氟、硅或磷的基团；2）使聚合物的结构变得“松散”，如引入桥联基团或侧基，也可以采 用结构上非对称的单体，或用共聚打乱大分子的有序性和对称性等。 1.6.6. 方向 6：黑色 PI 薄膜 传统 PI 薄膜因表面光泽度较大和透明性较高，在应用过程中会存在因光反射造成眩光或散 光和线路设计分布易于解读而被同业抄袭的问题，故而要求 PI 薄膜具备低光泽度、低透光性及绝缘性等特性，低光泽度可使元件外观更具质感与美观，绝缘性及低透光性则可保护 内部电路设计。黑色 PI 薄膜的制作分两种：1）将各种遮光物质如炭黑、石墨、金属氧化物、苯胺黑、茈 黑等无机或有机染料涂覆在普通 PI 薄膜上；2）将遮光物质添加于 PI 树脂，经流涎干燥、 高温亚胺化处理制膜。1.6.7. 方向 7：低膨胀 PI 薄膜 PI 薄膜虽具有优异的热稳定性、机械性能和电性能，但与无机材料相比 PI 薄膜的热膨胀系 数要大的多。当 PI 材料与金属、陶瓷等无机材料形成复合材料时，其热应力的存在会使聚 合物层与无机基材发生翘曲、开裂或脱层。因此如何使 PI 的热膨胀系数减小就成为 PI 薄 膜研究较多的方向之一。大量的结构研究分析认为，具有刚性棒状结构的芳香族 PI，分子 链较平直，因此分子间的堆砌紧密，有利于降低聚合物的自由体积，使热膨胀系数减小。有效制备低热膨胀系数 PI 薄膜的途径： 合成层面：采用两种或两种以上的二酐或二胺单体共聚。多种二酐或二胺聚合而成的 聚酰胺酸形成互穿网路或半互穿网络结构。 制备层面：利用溶剂、涂膜方式、干燥程序、酰亚胺化程序，牵伸条件及退火条件等， 调控 PI 薄膜的聚集态结构。2. 重要应用 1-半导体封装：IGBT 等功率模块&先进封装核心材 料2.1. 广泛应用于 IGBT 等功率模块封装 IGBT 是实现电能转换的功率器件，在电动车领域具有重要应用。功率器件主要用途包括 逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导 体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管（BJT）、电力晶体管（GTR）、晶 闸管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。单极型功率半导体包括功率 MOSFET、肖特基势 垒功率二极管等。它们的工作电压和工作频率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消 费电子、新能源交通、轨道交通、发电与配电等电力电子领域。全球政策同时推进新能源汽车发展。在国内，双积分政策等一系列的新能源车补贴政策频 频出台，对汽车制造企业，电动车基础设施建设和消费者都有优惠，旨在促进新能源汽车 在我国的普及和发展。放眼全球，欧美等发达国家也积极布局新能源车的市场，通过各种 补贴优惠政策和法案，推动新能源车市场的发展，促进传统燃油车到电动汽车的转变。国内新能源车市场有望自 2020 年进入第二个快速增长期。国内新能源乘用车市场在 2019 年之前经历了补贴引导下的快速发展期，2019 年 7 月之后，由于补贴大幅退坡，增速有所 下滑。根据中汽协的数据，2019 年我国新能源乘用车总销量为 106 万辆，同比增长仅 0.7%。 但随着 2020 年各大车企的新能源车型不断推出，特别是特斯拉 Model3、大众 ID.3、比亚 迪汉、荣威 Ei6、丰田奕泽等诸多新车型的上市，行业有望由补贴驱动转向需求驱动，进 入第二个快速增长期。电动车市场的增长将带来聚酰亚胺薄膜市场的相应增长： 高压功率器件的表面钝化工艺是功率器件制造过程中的重要工艺环节。对器件的电学性能 和可靠性有重要影响。表面钝化工艺是通过高压钝化材料将功率器件与周围环境气氛隔离 开来，防止芯片表面沾污影响器件的电学性能（如表面电导和表面态），控制和稳定半导 体表面的特性，保护器件内部的互连以及防止器件受到机械和化学损伤，提高功率器件的 可靠性水平聚酰亚胺是高压 IGBT 芯片表面钝化工艺的重要材料。聚酰亚胺耐高温，绝缘性 能良好， 工艺简单，化学性质稳定，台阶覆盖好，与铝的热匹配性好，广泛应用于高压芯片最外层 表面钝化，但其抗潮、抗离子玷污能力不够强，需与无机钝化结构搭配使用。根据不同结 构对光的敏感程度不同，聚酰亚胺又可以分为非光敏聚酰亚胺和 光敏聚酰亚胺。两种不 同结构聚酰亚胺的钝化工艺 流程不同，使用非光敏聚酰亚胺钝化的工艺流程一般为：预 处理→涂覆→涂光刻胶→光刻→刻蚀→去胶→固化。非光敏聚酰亚胺的光刻工艺非常复杂， 也增加了整个钝化工艺的难度和可靠性，同时制作成本较高。2.2. 先进封装工艺中多环节应用的核心材料 封测行业先进封装占比不断提升。智能手机追求轻薄化需求，带动对晶圆级封装（WLP） 和芯片级封装（CSP）等先进封装的需求，目前先进封装晶圆产量已接近全球晶圆总产量 的 40%。国产替代下封测订单拉升。受中美贸易战影响，国内大客户将供应链逐步转移至国内，将 拉动国内封测订单需求。先进封装对材料提出更高要求，目前微电子工业正在发生的重大 变化使业已成熟的微电子封装工艺和封装材料面临严重的挑战。0.13~0.10mm 时代的到来 将不但影响封装工艺技术，同时 对封装材料性能的要求也将发生重大的变化。聚酰亚胺已成为先进封装核心材料。现代的电子封装技术需要将互连、动力、冷却和器件 钝化保护等技术组合成一个整体以确保器件表现出最佳的性能和可靠性。聚酰亚胺在很大 程度上满足高纯度、高耐热、高力学性能、高绝缘性能、高频稳定性；低介电常数与介电 损耗、低吸潮性、低内应力、低热膨胀系数和低成型工艺温度的要求，成为先进封装的核 心材料。3. 重要应用 2-5G 手机：MPI 天线和石墨散热原膜需求旺盛3.1. 石墨散热片：原膜材料 3.1.1. 手机散热驱动方案 随着智能手机对轻薄化、小型化设计的追求，手机内部的空间变小。但由于手机硬件配置 的提高、CPU 多核高性能的升级，以及通信速率的提升，带来的散热需求也不断上升，进 而驱动对高散热性能材料的需求。目前智能手机上采用的散热技术主要包括石墨烯热辐射 贴片散热、金属背板散热、导热凝胶散热以及导热铜管散热。3.1.2. 石墨散热是重要路线之一，对 PI 需求拉动显著 石墨二维层状结构是散热性能的核心。石墨晶体具有六角平面网状结构，具有耐高温、热 膨胀系数小、良好的导热导电性、化学性能稳定、可塑性大的特点。石墨独特的晶体结构， 使其热量传输主要集中在两个方向：X-Y 轴和 Z 轴。其 X-Y 轴的导热系数为 300~1,900W/(m·K)，而铜和铝在 X-Y 方向的导热系数仅为 200~400W/(m·K)之间，因 此石墨具有更好的热传导效率，可以更快将热量传递出去。与此同时，石墨在 Z 轴的热传 导系数仅为 5~20W/(m·K)，几乎起到了隔热的效果。因此石墨具有良好的均热效果，可 以有效防止电子产品局部过热。石墨是优秀的散热材料。从比热容的角度看，石墨的比热容与铝相当，约为铜的 2 倍， 这意味着吸收同样的热量后，石墨温度升高仅为铜的一半。因石墨在导热方面的突出特性， 可以替代传统的铝质或者铜质散热器，成为散热解决方案的优秀材料。消费电子的发展带动石墨散热片的需求增长。石墨散热片因具有超高导热性、重量轻、薄 型化与耐弯折等多项特点，能很好地满足智能手机轻量化与轻薄的设计，以及 5G 手机的 散热方案将向着超薄、高效的方向发展要求。石墨散热片将广泛应用于手机、平板电脑、 笔记本电脑及智能电视等电子产品的散热中，是电子产品的上游。因此石墨散热片的发展 与下游智能手机及其他电子设备的发展密切相关。PI 膜是制备石墨散热片的核心原料。目前，石墨散热片的主要材料是人工石墨片(Graphite sheet)。人工石墨片的主要原料就是聚酰亚胺薄膜(PI film)经过碳化和石墨化两道高温制程 产生：碳化是石墨化的前置程序，目的在于使得 PI 膜中的非碳成分全部或大部分挥发，需 在特定高温下进行；石墨化工序中，发行人通过在特制的石墨化炉内加入氩气或者氮气作 为介质对碳化后的 PI 膜进一步升温，高温下多环化合物分子重整，伴随多次周期性升温的 振荡操作，经化学变化，最后形成高结晶度的大面积石墨原膜。随着散热应用市场成长， 聚酰亚胺薄膜在人工石墨片的应用也将会逐渐增加比重。3.1.3. 主要供应商：时代新材 时代新材致力于形成具有自主知识产权的高性能聚酰亚胺薄膜研制的关键技术和产业化 技术，实现高性能聚酰亚胺薄膜产品的国产化和规模化生产，为实现国内高端绝缘材料长 期以来的国际垄断局面迈出了实质性步伐。并完成了实现聚酰亚胺薄膜材料应用于智能手 机和平板电脑的石墨散热垫片材料的规模化生产，产品在国内供不应求。目前，公司新型材料项目产业化进展基本顺利，公司年产 500 吨聚酰亚胺薄膜生产线量 产日趋稳定，导热膜具备向华为、苹果、三星、VIVO 等品牌批量供货的能力，全年形成 销售收入 1.2 亿元，目前正在筹建二期扩能项目。未来，公司在聚酰亚胺薄膜材料产业方 向，计划形成年产量超过 2000 吨的产能发展。3.2. 5G 材料：MPI 3.2.1. 5G 手机终端未来高速增长 5G 手机助力智能手机市场高速发展。根据 IDC 预测数据，虽然 2019 年是 5G 元年，5G 手 机开始上市，但预计第一年的出货量将会很低，预计只会出货 670 万部左右，远低于 4G 手机 13.3 亿部的预计出货量，大概会占据 0.5% 的市场份额。随着智能手机市场的发展， 5G 手机的市场渗透率将快速提升。到 2023 年时，全球手机的出货量会在 5G 的带动下 来到 15.4 亿部左右，其中 5G 手机将会大幅增长至 4 亿部左右，占全球智能手机市场 份额的 26%。3.2.2. 天线等射频拉动 MPI 需求 5G 手机的高频率需要低损耗天线材料。智能手机作为 5G 的关键场景之一，5G 的驱动无 疑为智能手机天线的发展和革新带来机会。手机通信所使用的无线电波频率随着从 1G 到 5G 的发展而逐渐提高。目前，5G 的频率最高，分为 6GHz 以下和 24GHz 以上两种。由于 电磁波具有频率越高，波长越短，越容易在传播介质中衰减的特点，所以 5G 的高频率要 求天线材料的损耗越小越好。MPI 是 5G 手机前期发展的主流材料选择。4G 时代的天线制造材料开始采用 PI 膜（聚酰 亚胺）。但PI在10GHz以上损耗明显，无法满足5G终端的需求; LCP （Liquid Crystal Polymer， 液晶聚合物）凭借介子损耗与导体损耗更小，具备灵活性、密封性等特性逐渐得到应用。 但是由于 LCP 造价昂贵、工艺复杂，目前 MPI（Modified Polyimide，改良的聚酰亚胺）因 具有操作温度宽，在低温压合铜箔下易操作，表面能够与铜较易接着，且价格较亲民等优 点，有望成为 5G 时代天线材料的主流选择之一。4. 重要应用 3-柔性显示：理想的 OLED 基板、盖板和 COF 材料4.1. OLED-柔性基板和盖板材料 聚酰亚胺是柔性显示工艺理想的材料。柔性基板是整个柔性显示器件的重要组成部分，其 性能对于柔性显示器件的品质与寿命均具有重要的影响。柔性显示器件对于基板材料的性 能要求主要体现在如下几个方面：1）耐热性与高稳尺寸稳定性要求；2）柔韧性要求；3） 阻水阻氧特性要求；4）表面平坦化要求。PI 基板材料以其优良的耐高温特性、良好的力 学性能以及优良的耐化学稳定性而备受关注。刚性的酰亚胺环赋予了这类材料优异的综合 性能，从而使得 PI 成为柔性显示器件基板的首选材料。4.1.1. 柔性 OLED 手机渗透率持续提升 OLED 面板快速增长。柔性 OLED 面板市场需求旺盛，行业发展速度加快，而且未来的成 长空间很大，展示出很大的市场需求潜力。柔性 OLED 手机渗透率持续提升。柔性 OLED 手机是未来手机发展的趋势，OLED 出货量 的增加促进了柔性 OLED 手机渗透率的提升。柔性 OLED 手机渗透率提升的原因：（1）OLED 显示屏的色彩更逼真、更轻薄和更省电等 优点；（2）可屏下指纹解锁方案，能够最大限度提升手机的屏占比； （3）可以实现曲面化、 可弯曲，提升手机的应用场景。4.1.2. 2020 年折叠手机出货量有望突破百万级，2021 年有望达千万级出货量 2019 年可折叠手机元年开启，折叠屏手机发展趋势清晰。可折叠手机通过折叠能缩小屏 幕面积，方便用户携带；手机展开后，成为可比拟平板电脑的大屏幕通信设备，提升用户 的视觉体验。未来折叠手机将在极大提升人机信息交互的效率，实现多任务并行和信息平 行输入输出，智能手机终端将从媒体社交平台升级至生产力平台（办公等）。 可折叠手机的发展与柔性 OLED 屏幕技术成熟度紧密相关。柔性 OLED 面板的弯曲特性 保证手机折叠时的弯曲半径，是实现手机可折叠的关键所在。4.1.3. PI 基板和 CPI 盖板材料需求旺盛 PI 基板：柔性 OLED 基板材料的最佳选择。伴随着 OLED 取代 LCD 正沿着曲面→可折叠→ 可卷曲的方向前进，有机发光材料和薄膜是 OLED 实现柔性的关键点，具有优良的耐高温 特性、力学性能及耐化学稳定性的聚酰亚胺 PI 基板，是当前柔性基板材料的最佳选择。PI 基板市场需求旺盛。受益于 OLED 产能的持续增长，PI 基板材料具有旺盛的市场需求， 且未来还有很大的成长空间。国内目前如在挠性印制线路基材方面的应用的高端 PI 薄膜约 85％需要依赖进口产品，替代进口的市场空间很大。CPI（Colorless Polyimide）盖板是折叠屏的理想材料。为全面实现柔性显示，显示器盖板 部分应当具备可反复弯折、透明、超薄、足够硬度的特点。折叠屏对于盖板材料要求较高， 需要同时满足柔韧性、透光率且表面防划伤性能好等特点。目前的折叠屏盖板材料有 CPI、 PI、PC、压克力、PET 几种，其中 CPI 盖板的可行性最高，相比于普通淡黄色的 PI 盖板材 料，无色透明的 CPI 盖板具有更高的透光率。受益于折叠屏手机的发展，CPI 盖板材料将 迎来快速发展时期。无色透明的聚酰亚胺薄膜实现的难度较大。由于 PI 薄膜的透明度与其耐高温性能存在着矛 盾关系，即增加薄膜的透明度时将降低其耐高温性能。部分厂商尝试混合 PI，PMMA，PET 和 PU 等来制作柔性盖板，但是效果不及预期，也很难量产化。硬质涂布是增强 CPI 薄膜强度的重要手段。为提升折叠式面板用 CPI 膜强度，需于表面进 行数十微米厚的硬质涂布制程，如使用有／无机物混合材料硅氧烷(siloxane)，将有助 CPI 触感接近玻璃，改善塑胶类保护层质感不及玻璃等问题。4.1.4. 主要公司：住友化学、Kolon Instries、SKC 等 OLED 用的 CPI 盖板和 PI 基板被日韩企业所垄断。住友化学率先拿下三星Galaxy Fold的CPI膜订单。目前，能够提供CPI膜的厂商仅为Kolon Instries，SKC 和住友化学。在三星 Galaxy Fold 手机 CPI 订单的争夺战中，住友化学抢占 先机。住友化学能抢占先机拿下三星 Galaxy Fold 的 CPI 膜订单，主要得益于住友化学多年 来的技术积累，在 CPI 膜材料上的稳定性和良品率更加具有竞争力。Kolon Instries 将为华为 Mate X 供应 CPI 膜。Kolon Instries 公司早在 2016 年就率先 研发出 CPI 膜，随后在 2016 年 8 月开始投资 900 亿韩元在龟尾工厂建造 CPI 膜生产线， 2018 年上半年完成量产设备铺设工作。今年，Kolon Instries 将供应华为 Mate X 所需的 CPI 膜，证明了 Kolon Instries 在 CPI 膜生产方面的能力和产品品质。SKC 积极布局 CPI 薄膜研发。在 2016 年的业绩发布会上，SKC 表示已经成功完成 CPI 薄 膜的研发工作，且 SKC 能灵活使用现有的 PI 薄膜生产线，资金压力比较小。公司 2018 年 在忠北镇川举行了 CPI 膜产业园奠基仪式，为 SKC 打造 CPI 膜全套生产体系提供稳定的产 业链，也为 SKC 在全球市场的扩张做好准备。 4.2. COF-柔性基板 COF（Chip on flexible printed circuit）柔性封装基板作为印制电路板产品中的重要高端分 支产品，指还未装联上芯片、元器件的封装型柔性基板。在芯片封装过程中，起到承载芯 片、电路连通、绝缘支撑的作用，特别是对芯片起到物理保护、提交信号传输速率、信号 保真、阻抗匹配、应力缓和、散热防潮的作用。COF 柔性封装基板性能优异。COF 柔性封装基板具有配线密度高、重量轻、厚度薄、可折 叠、弯曲、扭转等优点，是一种新兴产品，有利于先进封装技术的使用和发展。目前，COF 产品广泛应用于液晶电视，智能 3G 手机及笔记本电脑等产品液晶屏的显示与驱动。4.2.1. TV 高清化、手机全面屏驱动 COF 方案需求持续增长TV 高清化发展满足视觉体验需求。随着人们对视觉体验的要求的提高，TV 高清化的发展 速度加快。大尺寸和高清化的 TV 产品的存在着很大的市场空间，超薄和窄边框也是发展 的趋势。TV 从常见的 1080P 逐渐向 4K 和 8K 发展，分辨率的提升，带来更高清的视觉体 验。大尺寸高清电视渗透率将大幅提升。根据 IHS 数据，2018 年 60 吋以上面板以 4K 为主， 渗透率高达 99%，随着 8K 开始进入市场，未来三年的渗透率将大幅提升，预计由 2019 年 的 5%拉升到 2020 年的 9%。在 TV 市场上， 2018 年 8K TV 出货量为 2 万部，预计 2019-2020 年出货量将分别达到 43 万部和 200 万部，且主要集中制 60 英寸以上的大尺寸 TV；2019 年，OLED TV 出货量预计增长超过 40%，达到 360 万部，而 QD-LCD TV 的出货量预计将 达到 400 万部。全面屏是智能手机的发展趋势。2016 年，小米 MIX 推出后，“全面屏手机”开始走进了大 众视野，随后，整个智能手机行业随后便掀起了一股“全面屏”的设计风潮。受制于屏下摄像头等的技术限制，2018 年之后，整个行业却一股脑转向了苹果的刘海屏设计。进入 2019 年之后，整个安卓行业在全面屏上五花八门，市面上水滴屏、挖孔屏、升降结构成为 三大主流。整体来说，未来全面屏将是智能手机发展的必然趋势，全面屏带来了更好的观 影和游戏等视觉体验，以及体积更小、单手操作和更好的便携性。全面屏手机渗透率持续上升，将成为智能手机屏幕的标配。全球智能手机出货量经历了十 几年的高速增长后，虽然出货量有所放缓，但全面屏手机渗透率的快速提升是确定的发展 趋势。根据 Witsview 数据预测，2018 年全面屏渗透率跃升至 44.6%，并且在 2019 年将继 续快速攀升至 71.6%；预计到 2021 年全面屏手机的渗透率将到 92.1%，成为智能手机屏幕 的标准配置。TV 高清化和手机全面屏发展带动显示驱动封装方案超高密度方向发展。随着面板朝着高 像素和高分辨率发展的演进，以及芯片轻薄、短小化的需求，驱动 IC 线路中心到中心距 (pitch)、间距(spacing)等越来越微细化，封装基板设计也必须配合晶片电路间距微细化提 供对应的封装基板，引导封装基板朝向高密度的构装技术方向发展。COF 方案减少显示屏幕边框技术优势明显。目前，主流的 COG（Chip On Glass）封装方 式，是将 Source IC 芯片直接邦定到玻璃上，因为玻璃背板上的那块芯片体积较大，所以 边框比较宽，面板端子部的边框一般在 4-5mm 左右。为了缩小边框宽度，面板厂商开始 采用 COF 封装技术。相比于传统的 COG 封装技术，COF 技术中玻璃背板上的 Source IC 芯片被放在了屏幕排线上，可以直接翻转到屏幕底部，COF 技术可以缩小边框 1.5mm 左 右的宽度。在手机全面屏和高清化 TV 具有广阔的应用前景。TV 高清化和手机全面屏发展促进 COF 产品创新。随着产品轻量化与薄型设计及显示密度 与屏占比的提升，未来高清电视与智能型手机用的 COF 型式驱动 IC 将会是以 1-Metal(单 面) 18/16um Pitch 的 COF 及 2-Metal(双面)的 COF 为未来的设计应用主流。2-Metal(双面) 的 COF 是把在单面形成电路的 COF，在两面形成电路，比单面 COF 的电路集成度更高， 还能缩小尺寸，适合用于手机。4.2.2. 4K 高清电视和智能手机 COF 需求持续增长 根据 IHS 数据，4K 的比重保持上升将驱动 COF 薄膜需求上升，预计 2019 年 4K 高清电视 的 COF 薄膜需求量将达到 1.46 亿片，同比增长 29.2%；伴随着 4K 高清电视对 COF 薄膜需 求的稳定增长，预计 2022 年 4K 高清电视对 COF 薄膜需求将达到 1.63 亿片。以智能手机 市场来看，因为全面屏窄边框的要求，COF 方案已经广泛采用于 AMOLED 和 LTPS LCD 产 品中，IHS Markit 预估 2019 年智能手机用 COF 薄膜需求量将扩大至 5.9 亿片，同步增长 达 70%。4.2.3. PI 材料是 COF 封装核心难点 COF 方案主要采用聚酰亚胺（PI 膜）混合物材料，厚度仅为 50-100um，线宽线距在 20um 以下。COF 封装则是采用自动化的卷对卷设备生产，生产过程中会被持续加热至 400 摄氏 度。由于 COF 卷对卷生产过程中需要加热，而 PI 膜的热膨胀系数为 16um/m/C，相比芯 片的 2.49 um/m/C 而言，热稳定性较差，所以对设备精度和工艺要求很高。4.2.4. 重要公司：住友和东丽 目前，COF 用 FCCL 材料主要掌握住友化学、东丽先进材料和 KCFT3 大日韩公司手中。5. 重要应用 4-FPC：基板和覆盖层材料，目前 PI 下游重要需求5.1. FPC 需求持续增长 FPC 是现代电子产品的关键互联器件。FPC（Flexible Printed Circuit Board，柔性印制电路 板）是 PCB（Printed Circuit Board，印制线路板）的一种，是电子产品的关键电子互连器 件。FPC 是用柔性的绝缘基材制成的印制线路板，相比于硬性印制电路板，它具有配线密 度高、轻薄、可弯折、可立体组装等特点，以及良好的散热性和可焊性以及易于装连、综 合成本较低等优点。FPC 助力电子产品的高密度、小型化和高可靠性方向发展。利用 FPC 可大大缩小电子产品 的体积，符合电子产品向高密度、小型化、高可靠性发展的方向。因此，FPC 在消费电子、 汽车电子、5G 通讯设施和国防军工等领域得到了广泛的应用。全球 FPC 产值整体持续上升。随着智能手机、电脑、可穿戴设备、汽车电子等现代电子 产品的发展，FPC 产值整体呈上升趋势。根据 Prismark 的统计， 2017 年全球 FPC 产值 为125.2 亿美元，同比增长14.9%，占印制线路板总产值份额由2016 年的20.1%上升至2017 年的 21.3%，全球 FPC 产值整体呈上升趋势。全球 FPC 产业转移，中国大陆发展迅速。21 世纪以来，随着欧美国家的生产成本提高， 以及亚洲地区 FPC 下游市场不断兴起，FPC 生产重心逐渐转向亚洲。具备良好制造业基 础及生产经验的日本、韩国、中国台湾等国家和地区 FPC 产业迅速成长，并成为全球 FPC 的主要产地。随着日本、韩国和中国台湾生产成本持续攀升，发达国家的 FPC 厂商纷纷 在中国投资设厂，制造中心由国外移至中国大陆，国际知名的 FPC 厂商如日本 NOK、日 东电工和住友电工等均在中国投资设厂，与此同时中国本土的 FPC 厂商也不断发展壮大， 在全球 FPC 市场中占据越来越重要的角色。中国 FPC 产值规模持续攀升。近年来，中国逐渐成为 FPC 主要产地，中国地区 FPC 产值 占全球的比重不断提升，据 Prismark 的数据，2016 年中国 FPC 行业产值达到 46.3 亿 美元，中国地区 FPC（含外资企业）产值占全球的比重从 2009 年 23.7%已增至 2016 年 42.5%，2017 年全球 FPC 行业产值达到 125.2 亿美元。5.2. FPC 应用领域：基板和覆盖膜 PI 膜是 FPC 的核心材料。FPC 的使用一般以铜箔与 PI 薄膜材料贴合制成软性铜箔基板 （FCCL），覆盖膜（Cover layer）、补强板及防静电层等材料制作成软板。PI 膜的厚度主要 可以区分为 0.5mil、1mil、2mil、3mil 及厚膜(甚至 10mil 以上等产品)，先进或是高阶的软 板需要厚度更薄(0.3mil)，尺寸安定性更稳定的 PI 膜。一般的覆盖膜主要使用厚度 0.5mil 的 PI 膜，而较厚的 PI 膜主要用于补强板及其它用途上。FCCL 是电子级 PI 膜的重要应用市场。挠性覆铜板（Flexible Copper Clad Laminate， FCCL）是 FPC 的加工基材，一般以铜箔与 PI 薄膜材料贴合制成，是 FPC 的核心原材 料。FPC 的应用包括军事、汽车、电脑、相机、手机等。近年来，智能手机、平板电脑、 LCD 显示与 LED 背光模组等应用需求的增加，驱动了 PI 膜需求增长。随着中高阶手机市 场出货比例的逐年增加，加上东南亚等新兴国家地区的智慧型手机上需求大增，我们预期 FPC 需求未来 3-5 年内可维持可观增长。 5.3. SKC Kolon PI SKC 与 Kolon 均拥有 40 年以上的塑料薄膜的制造技术和经验，双方都从 2006 年起开始向 市场量产供应聚酰亚胺薄膜。为了应对剧烈变化的市场情况，SKC 与 Kolon 于 2008 年 6 月合并了 PI 薄膜部门，新设立合资企业 SKC Kolon PI。两个公司合并后持续投资，更进一 步提升研发技术，使 SKC Kolon PI 成为一家全球领先的 PI 薄膜供应商，该公司的聚酰亚胺 薄膜主要用于柔性印刷电路板（FPCB）。6. 美日韩垄断格局，加速国产替代，全球产能有望吃紧6.1. PI 技术发展历史：美国→日本→韩国&台湾→大陆 美国：聚酰亚胺的产业的先驱。聚酰亚胺是最早进行实用化开发的特种工程塑料。1908 年首先合成芳族聚酰亚胺，50 年代末期值得高分子量的芳族聚酰亚胺。1953 年美国杜邦 公司申请了世界上第一件有实用价值的聚酰亚胺产品专利 US2710853A。19 世纪 60 年 代初，杜邦的聚酰亚胺薄膜（Kapton）、 模塑料（Vespel）和清漆（Pyre ML）陆续商品 化，逐步确立了其在聚酰亚胺产业中的领先地位。美国Amoco公司分别在1964年和1972年开发了聚酰胺-亚胺电器绝缘清漆(AI)和聚酰 亚胺模制材料(Torlon)，并 在 1976 年使聚酰亚胺模制材料(Torlon)实现了商业化；1969 年法国罗纳-普朗克公司首先开发成功双马来酰亚胺复合材料预聚体(Kerimid 601)，是先 进复合材料的理想基体树脂。随后该公司在此基础上研发了压缩和传递模塑成型用材料 (Kinel)。1972 年美国 GE 公司开始研究开发聚醚酰亚胺（PEI），并于 1982 年形成年产万吨级生 产装置。半导体产业的第一次转移：从美国转移到日本。随着半导体技术的创新，半导体逐渐从军 工应用转向民用家电领域。从 20 世纪 70 年代起，因有美国对日本的产业扶植，一些美国 的装配产业开始向日本转移。日本抓住了这次发展机会，其半导体产业趁势崛起，全球半 导体产业开始出现了第一次转移：从美国转移到日本。宇部兴产首次打破杜邦聚酰亚胺薄膜垄断。作为微电子应用的明星材料，日本的聚酰亚胺 产业随着日本半导体产业的崛起而快速发展。1978 年日本宇部兴产公司先后发展了聚联 苯四甲酰亚胺 Upilex R 和 Upilexs，打破了“Kapton”薄膜独占市场 20 年的局面，其 薄膜制品优异的线膨胀系数(12～20ppm)达到接近单晶硅和金属铜(17ppm)的线膨胀系 数，成为覆铜箔薄膜的最佳选材，可广泛应用于柔性印刷线路版，是聚酰亚胺电子薄膜划 时代的很大进步。日本钟渊化学(Kaneka)于 1980 年开始实验室内研究聚酰亚胺薄膜，并成功开发出一种新 型“均苯”型 PI 薄膜，商品名为“Apical”，公司于 1984 年建立了量产 PI 薄膜的生产线， 商品牌号为 Apical，产品主要应用于柔性印刷电路板(FPCs)。1995 年，公司 APICAL AH 型号生产厚度规格有 175μm、200μm 和 225μm。1983 年 杜邦与日本东丽对半合资建立东洋产品公司，由杜邦提供技术和原料,专门生产 Kapton PI 薄膜；1985 年 9 月，公司投产生产，薄膜宽度为 1500mm。1994 年日本三井东压化学公司报道了全新的热塑性聚酰亚胺(Aurum)注射和挤出成型用 粒料，该树脂的薄膜商品名为 Regulus。半导体产业的第二次转移：从日本转移到韩国和中国台湾。在 20 世纪 90 年代前后，日 本的半导体产业发展突飞猛进，一跃成为全球第一大半导体国家。之后，由于美国担心日 本半导体产业对其本土半导体产业的冲击，开始对日本的半导体进行打压，同时对韩国进 行扶植，随后半导体产业进行了第二次转移。PC 时代的兴起带动韩国和中国台湾聚酰亚胺产业的发展。随着 PC 时代的兴起，韩国和 中国台湾抓住了从大型机到消费电子的转变期对新兴存储器与代工生产的需求，承接了半 导体产业转移的市场，高端制造业迅速发展。作为半导体产业支撑的关键材料之一，韩国 和中国台湾的聚酰亚胺产业也获得了发展机遇。韩国 SKC 于 2001 年启动 PI 薄膜的研发 2005 年完成 LN、IF 型号的开发(12.5～25.0 μm)，并建立了批量生产线。2006 年完成 LS 型号的开发，并于 2007 年 6 月应用于三 星/LG 手机，2009 年 10 月开始供应给世界一号 FPCB 公司使用。中国台湾达迈公司从 2001 年开始试运行 T1 产线，后于 2012 年 T4 产线投入运营，至今，达迈工艺已经运营 5 条产线。2008 年 SKC 和 Kolon Instries 合资成立了 SKC KOLON PI 公司。中国：未来聚酰亚胺的重要供应市场。随着移动互联网和 5G 时代的发展，中国庞大的市 场和能容纳各种商业模式与应用场景的特点将进一步加强，中国大陆对于半导体产业的需 求将大幅提升。中国广阔的市场需求未来将极大地带动中国半导体产业的发展，以及吸引 众多海内外厂商和人才，这必然会促进半导体产业向中国大陆转移。因此，未来中国的聚酰亚胺产业将迎来发展的黄金时期，促进中国聚酰亚胺产业走向从低端走向中高端材料供 应的发展道路。6.2. 中美贸易战和日韩贸易摩擦 贸易战中美国针对部分中国企业实施制裁，并对中国商品加征高额关税，提高了下游终端 客户经营的成本和难度。基于对生产经营安全性和稳定性的考虑，下游部分大客户将配套 供应链向国内转移，国内企业订单有望增加。 根据日本 METI 政府网站消息，从 2019 年 7 月 1 日开始，日本将韩国从出口贸易“白名单” 中删除；从 7 月 4 日开始，日本向韩国出口氟化聚酰亚胺、光刻胶和高纯氟化氢这三种材 料需要单独申请出口许可证并进行出口审查。韩国是全球 OLED 和半导体制造和出口大国，对半导体产业发展有较高依赖度，根据韩国 贸易协会数据，2018 年韩国半导体出口额约 1267 亿美元，约占总出口 21%。日本把控全 球电子材料重要产能，特别是高端电子材料，例如光刻胶、硅片、特种气体等，对包括韩 国、台湾、大陆的半导体产业有着至关重要的作用。PI 是此次日韩贸易摩擦中日本限制出口的三种电子材料（PI、光刻胶和高纯氟化氢）之一， 主要用于柔性 OLED 基板制程，日本基本垄断了全球主要产能：OLED 用 PI 在全球范围内 目前主要是日本的 UBE 和 Kaneka 两家公司生产，分别供应韩国三星和 LGD。此次日本三大材料出口韩国政策调整的影响，我们判断其影响类似 18 年底韩国 OLED 行 业的 TopTec 对大陆设备出口限制事件，主要影响有：（1）下游各 OLED 和半导体制造商 会长期逐步降低对单一供应商或者单一地区供应商的依赖；（ 2）加快扶持本土产业集群是 降低供应链安全的重要趋势。因此我们判断韩国会逐步加快培养本土 PI/光刻胶/高纯氟化 氢等产品供应商，同时大陆 OLED 和半导体用战略物资（不仅仅是此次三大材料）将加速 进口替代。6.3. PI 材料进口受日韩疫情影响，将加速国产替代进程 我国目前的 PI 薄膜市场在制造水平上比较落后，高端 PI 膜高度依赖进口。2017 年，PI 膜 市场主要参与者，分别是美国杜邦、日本宇部兴产、钟渊化学、迈达、韩国 SKC 等。日韩疫情有望加速进口替代、行业盈利能力提升。目前，此次疫情若在日韩扩散，电子原 材料产商受到影响，可能会出现供货不足的问题。而我国目前 PI 材料依赖日韩进口，势必 受到影响，在这种环境下，国产替代必将加速进行，同时毛利率有望提升。达迈是专注聚 酰亚胺（PI）薄膜研发的中国台湾公司，近年毛利率在 25-35%，16Q1-16Q3 毛利率提升 显著，我们判断主要是因为上一轮行业提价，19Q1 以来行业盈利水平回有所回落，我们 判断日韩产能紧张情况下，行业盈利水平有望提升。7. 投资机会：大陆 PI 行业加速国产化红利（略）7.1. 万润股份：精细化工领先公司，布局发力 PI 新产品7.2. 时代新材：立足轨交应用，突破散热、折叠、功率材料等新产品7.3. 鼎龙股份：打印耗材领先公司，布局发力 CMP、PI 浆料7.4. 国内非上市公司7.4.1. 深圳瑞华泰7.4.2. 武汉依麦德……8. 附录：PI 行业全球重要公司介绍（略）8.1. 美国杜邦8.2. 日本住友化学8.3. 韩国 SKC Kolon PI8.4. 日本钟渊化学8.5. 宇部兴产8.6. 中国台湾达迈……（报告来源：天风证券）如需报告原文档请登录【未来智库】。

2021-2027年半导体薄膜市场现状调研分析及发展前景报告报告编号：1507251正文目录第1章 半导体薄膜行业界定 12第一节 半导体薄膜行业定义 12第二节 半导体薄膜行业特点分析 12第三节 半导体薄膜行业发展历程 12第四节 半导体薄膜产业链分析 15第2章 国际半导体薄膜行业发展态势分析 17第一节 国际半导体薄膜行业总体情况 17第二节 半导体薄膜行业重点市场分析 18第三节 国际半导体薄膜行业发展前景预测 21第3章 中国半导体薄膜行业发展环境分析 23第一节 半导体薄膜行业经济环境分析 23一、经济发展现状分析 23二、经济发展主要问题 27三、未来经济政策分析 31第二节 半导体薄膜行业政策环境分析 31一、半导体薄膜行业相关政策 31二、半导体薄膜行业相关标准 32第三节 半导体薄膜行业技术环境分析 39第4章 半导体薄膜行业技术发展现状及趋势 40第一节 当前我国半导体薄膜技术发展现状 40第二节 中外半导体薄膜技术差距及产生差距的主要原因分析 40第三节提高我国半导体薄膜技术的对策 41第四节 我国半导体薄膜研发、设计发展趋势 42第5章 中国半导体薄膜行业市场供需状况分析 43第一节 中国半导体薄膜行业市场规模情况 43第二节 中国半导体薄膜行业盈利情况分析 44第三节 中国半导体薄膜行业市场需求状况 45一、2015-2020年半导体薄膜行业市场需求情况 45二、半导体薄膜行业市场需求特点分析 46三、2020-2026年半导体薄膜行业市场需求预测 47第四节 中国半导体薄膜行业市场供给状况 48一、2015-2020年半导体薄膜行业市场供给情况 48二、半导体薄膜行业市场供给特点分析 49三、2020-2026年半导体薄膜行业市场供给预测 50第五节 半导体薄膜行业市场供需平衡状况 51第6章 中国半导体薄膜行业进出口情况分析 52第一节 半导体薄膜行业出口情况 52一、2015-2020年半导体薄膜行业出口情况 52三、2020-2026年半导体薄膜行业出口情况预测 53第二节 半导体薄膜行业进口情况 54一、2015-2020年半导体薄膜行业进口情况 54三、2020-2026年半导体薄膜行业进口情况预测 55第三节 半导体薄膜行业进出口面临的挑战及对策 56第7章 半导体薄膜行业细分市场调研分析 57第一节 细分市场（微电子） 57一、发展现状 57二、发展趋势预测 58第二节 细分市场（光电子） 59一、发展现状 59二、发展趋势预测 60第三节 细分市场（消费电子） 61一、发展现状 61二、发展趋势预测 62第8章 中国半导体薄膜行业重点区域市场分析 64第一节 半导体薄膜行业区域市场分布情况 64第二节 华北地区市场分析 65一、市场规模情况 65二、市场需求分析 66第三节 华东地区市场分析 67一、市场规模情况 67二、市场需求分析 68第四节 华南地区市场分析 69一、市场规模情况 69二、市场需求分析 70第五节 华中地区市场分析 71一、市场规模情况 71二、市场需求分析 72第六节 西南地区市场分析 73一、市场规模情况 73二、市场需求分析 74第七节 西北地区市场分析 75一、市场规模情况 75二、市场需求分析 76第八节 东北地区市场分析 77一、市场规模情况 77二、市场需求分析 78第9章 中国半导体薄膜行业产品价格监测 80一、半导体薄膜市场价格特征 80二、当前半导体薄膜市场价格评述 81三、影响半导体薄膜市场价格因素分析 81四、未来半导体薄膜市场价格走势预测 82第10章 半导体薄膜行业上、下游市场分析 83第一节 半导体薄膜行业上游 83一、行业发展现状 83二、行业集中度分析 83三、行业发展趋势预测 84第二节 半导体薄膜行业下游 84一、关注因素分析 84二、需求特点分析 85第11章 近四年半导体薄膜行业重点企业发展调研 88第一节 宁波长阳科技股份有限公司 88一、企业概述 88二、半导体薄膜企业产品结构 89三、企业经营情况分析 89四、企业发展战略 92第二节 深圳丹邦科技股份有限公司 94一、企业概述 94二、企业产品结构 95三、企业经营情况分析 95四、企业发展战略 98第三节 威士达半导体科技（张家港）有限公司 98一、半导体薄膜企业概述 98二、企业产品结构 99三、企业经营情况分析 99四、企业发展战略 99第四节 深圳市聚飞光电股份有限公司 100一、企业概述 100二、企业产品结构 100三、企业经营情况分析 101四、半导体薄膜企业发展战略 103第五节 厦门法拉电子股份有限公司 104一、企业概述 104二、企业产品结构 104三、半导体薄膜企业经营情况分析 104四、企业发展战略 107第六节 安徽铜峰电子股份有限公司 107一、企业概述 107二、企业产品结构 108三、半导体薄膜企业经营情况分析 108四、企业发展战略 111第七节 江苏微导纳米科技股份有限公司 111一、企业概述 111二、企业产品结构 111三、半导体薄膜企业经营情况分析 112四、企业发展战略 112第八节 苏州环维薄膜科技有限公司 112一、企业概述 112二、企业产品结构 113三、半导体薄膜企业经营情况分析 113四、企业发展战略 113第12章 半导体薄膜行业风险及对策 114第一节 2020-2026年半导体薄膜行业发展环境分析 114第二节 2020-2026年半导体薄膜行业投资特性分析 114一、半导体薄膜行业进入壁垒 114二、半导体薄膜行业盈利模式 115三、半导体薄膜行业盈利因素 116第三节 半导体薄膜行业“波特五力模型”分析 117一、行业内竞争 117二、潜在进入者威胁 117三、替代品威胁 118四、供应商议价能力分析 118五、买方侃价能力分析 118第四节 2020-2026年半导体薄膜行业风险及对策 119一、市场风险及对策 119二、政策风险及对策 119三、经营风险及对策 120四、同业竞争风险及对策 120五、行业其他风险及对策 121第13章 半导体薄膜行业发展及竞争策略分析 123第一节 2020-2026年半导体薄膜行业发展战略 123一、战略综合规划 123二、技术开发战略 123三、业务组合战略 125四、区域战略规划 125五、产业战略规划 126六、营销品牌战略 126七、竞争战略规划 126第二节 2020-2026年半导体薄膜企业竞争策略分析 128一、提高我国半导体薄膜企业核心竞争力的对策 128二、影响半导体薄膜企业核心竞争力的因素 132三、提高半导体薄膜企业竞争力的策略 135第三节 对我国半导体薄膜品牌的战略思考 138一、半导体薄膜实施品牌战略的意义 138二、半导体薄膜企业品牌的现状分析 142三、我国半导体薄膜企业的品牌战略 144四、半导体薄膜品牌战略管理的策略 147第14章 半导体薄膜行业发展前景及投资建议 150第一节 2020-2026年半导体薄膜行业市场前景展望 150第二节 2020-2026年半导体薄膜行业融资环境分析 151一、企业融资环境概述 151二、融资渠道分析 151三、企业融资建议 152第三节 半导体薄膜项目投资建议 152一、投资环境考察 152二、投资方向建议 152三、半导体薄膜项目注意事项 1531、技术应用注意事项 1532、项目投资注意事项 1543、生产开发注意事项 1554、销售注意事项 155第四节 半导体薄膜行业重点客户战略实施 156一、实施重点客户战略的必要性 156二、合理确立重点客户 156三、对重点客户的营销策略 157四、强化重点客户的管理 157五、实施重点客户战略要重点解决的问题 159图表目录图表1 半导体薄膜行业产业链 15图表2 2015-2020年上半年全球半导体薄膜行业市场规模 17图表3 2015-2020年上半年欧洲半导体薄膜行业市场规模 18图表4 2015-2020年上半年北美半导体薄膜行业市场规模 19图表5 2015-2020年上半年韩国半导体薄膜行业市场规模 19图表6 2015-2020年上半年日本半导体薄膜行业市场规模 20图表7 2020-2026年全球半导体薄膜行业市场规模预测 21图表8 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业市场规模 43图表9 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业利润总额 44图表10 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业需求量 45图表11 2019年中国半导体薄膜行业需求结构 46图表12 2020-2026年中国半导体薄膜行业需求量预测 47图表13 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业供给量 48图表14 2019年中国半导体薄膜行业供给结构 49图表15 2020-2026年中国半导体薄膜行业供给量预测 50图表16 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业供需对比 51图表17 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业出口量 52图表18 2020-2026年中国半导体薄膜行业出口量预测 53图表19 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业进口量 54图表20 2020-2026年中国半导体薄膜行业进口量预测 55图表21 2015-2020年上半年中国微电子领域半导体薄膜行业市场规模 57图表22 2020-2026年中国微电子领域半导体薄膜行业市场规模预测 58图表23 2015-2020年上半年中国光电子领域半导体薄膜行业市场规模 59图表24 2020-2026年中国光电子领域半导体薄膜行业市场规模预测 60图表25 2015-2020年上半年中国消费电子领域半导体薄膜行业市场规模 61图表26 2020-2026年中国消费电子领域半导体薄膜行业市场规模预测 62图表27 2019年中国半导体薄膜行业区域市场分布 64图表28 2015-2020年上半年华北地区半导体薄膜行业市场规模 65图表29 2015-2020年上半年华北地区半导体薄膜行业需求量 66图表30 2015-2020年上半年华东地区半导体薄膜行业市场规模 67图表31 2015-2020年上半年华东地区半导体薄膜行业需求量 68图表32 2015-2020年上半年华南地区半导体薄膜行业市场规模 69图表33 2015-2020年上半年华南地区半导体薄膜行业需求量 70图表34 2015-2020年上半年华中地区半导体薄膜行业市场规模 71图表35 2015-2020年上半年华中地区半导体薄膜行业需求量 72图表36 2015-2020年上半年西南地区半导体薄膜行业市场规模 73图表37 2015-2020年上半年西南地区半导体薄膜行业需求量 74图表38 2015-2020年上半年西北地区半导体薄膜行业市场规模 75图表39 2015-2020年上半年西北地区半导体薄膜行业需求量 76图表40 2015-2020年上半年东北地区半导体薄膜行业市场规模 77图表41 2015-2020年上半年东北地区半导体薄膜行业需求量 78图表42 2015-2020年上半年中国半导体薄膜行业平均价格 80图表43 2020-2026年中国半导体薄膜行业平均价格预测 82图表44 苏州环维薄膜科技有限公司财务指标 113图表45 2020-2026年半导体薄膜行业经营风险及控制策略 120图表46 2020-2026年中国半导体薄膜行业市场规模预测 150表格目录表格1 宁波长阳科技股份有限公司财务指标 89表格2 深圳丹邦科技股份有限公司财务指标 95表格3 威士达半导体科技（张家港）有限公司财务指标 99表格4 深圳市聚飞光电股份有限公司财务指标 101表格5 厦门法拉电子股份有限公司财务指标 104表格6 安徽铜峰电子股份有限公司财务指标 108表格7 江苏微导纳米科技股份有限公司财务指标 112表格8 半导体薄膜潜在进入者威胁分析 117 在线阅读：http://www.cninfo360.com/yjbg/dzhy/yqj/20210325/1507251.html市场需求行业的市场需求进行分析研究：1、市场规模：通过对过去连续五年中国市场行业消费规模及同比增速的分析，判断行业的市场潜力与成长性，并对未来五年的消费规模增长趋势做出预测。该部分内容呈现形式为“文字叙述+数据图表（柱状折线图）”。2、产品结构：从多个角度，行业的产品进行分类，给出不同种类、不同档次、不同区域、不同应用领域的产品的消费规模及占比，并深入调研各类细分产品的市场容量、需求特征、主要竞争厂商等，有助于客户在整体上把握行业的产品结构及各类细分产品的市场需求。该部分内容呈现形式为“文字叙述+数据图表（表格、饼状图）”。3、市场分布：从用户的地域分布和消费能力等因素，来分析行业的市场分布情况，并对消费规模较大的重点区域市场进行深入调研，具体包括该地区的消费规模及占比、需求特征、需求趋势该部分内容呈现形式为“文字叙述+数据图表（表格、饼状图）”。4、用户研究：通过产品的用户群体进行划分，给出不同用户群体产品的消费规模及占比，同时深入调研各类用户群体购买产品的购买力、价格敏感度、品牌偏好、采购渠道、采购频率等，分析各类用户群体产品的关注因素以及未满足的需求，并对未来几年各类用户群体产品的消费规模及增长趋势做出预测，从而有助于厂商把握各类用户群体产品的需求现状和需求趋势。该部分内容呈现形式为“文字叙述+数据图表（表格、饼状图）”。竞争格局本报告基于波特五力模型，从行业内现有竞争者的竞争能力、潜在竞争者进入能力、替代品的替代能力、供应商的议价能力以及下游用户的议价能力等五个方面来分析行业竞争格局。同时，通过行业现有竞争者的调研，给出行业的企业市场份额指标，以此判断行业市场集中度，同时根据市场份额和市场影响力对主流企业进行竞争群组划分，并分析各竞争群组的特征；此外，通过分析主流企业的战略动向、投资动态和新进入者的投资热度、市场进入策略等，来判断行业未来竞争格局的变化趋势。标杆企业对标杆企业的研究一直是博研咨询研究报告的核心和基础，因为标杆企业相当于行业研究的样本，所以，一定数量标杆企业的发展动态，很大程度上，反映了一个行业的主流发展趋势。本报告精心选取了行业规模较大且最具代表性的5-10家标杆企业进行调查研究，包括每家企业的行业地位、组织架构、产品构成及定位、经营状况、营销模式、销售网络、技术优势、发展动向等内容。本报告也可以按照客户要求，调整标杆企业的选取数量和选取方法。投资机会本报告行业投资机会的研究分为一般投资机会研究和特定项目投资机会研究，一般投资机会主要从细分产品、区域市场、产业链等角度进行分析评估，特定项目投资机会主要针行业拟在建并寻求合作的项目进行调研评估。

功率半导体产业在国内发展的时间还不长,作为一种需要技术创新驱动产品升级换代的产业,功率半导体行业的发展经过了大浪淘沙的过程,半导体产业在国内兴起之初共有同类企业超过400家,但如今留下的屈指可数。作为国内首屈一指的功率半导体件器领域的国家创新型企业,华微电子的业务包含了功率半导体器件设计与研发、芯片加工以及封装测试和产品营销。并且经科技部以及中科院等国家机构认证,被列为国家级企业技术中心、国家博士后科研工作站。迄今为止,华微电子拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年400余万片,封装资源为24亿只/年,模块1800万块/年。不久前,吉林市委常委、吉林高新区党工委书记、管委会主任李富民一行莅临华微电子股份有限公司就项目建设、经济运行以及规划发展进行专题调研。高新区管委会副主任,市汽车园区党工委书记、管委会主任徐有吉以及高新区管委会副主任曹文君陪同调研,高新区管委会办公室、经发局负责人一同参加了调研。此行李富民参观了华微电子新型电力电子器件基地8英寸芯片项目现场,并深入了解了项目进展情况以及融资情况。随后李富民一行还围绕企业项目建设、经济运行、未来发展与企业负责人进行了座谈交流。在本次交流中李富民强调,企业要积极与国内外先进技术展开合作与交流,并且加快技术引进和创新、升级,逐步提高产品的技术含量并增加产品附加值。李富民同时指出,企业应当抓住新一轮推动开发区项目建设的机遇,加快8英寸芯片项目建设进度,争取项目早建成、早投产、早见效,使企业的生产规模和经济效益大幅度提升,在国内外市场抢占份额。李富民表示,希望企业在立足眼前发展的同时还应积极谋划未来发展。并且围绕产业链引入关联产品,大力发展配套产业。同时围绕产品在新能源汽车、光伏产业等方面的应用,积极引入战略投资者,在高新区谋划建设半导体产业园,打造百亿级企业。而高新区管委会将协助企业解决建设和发展中存在的问题,全力以赴做好服务,与企业共同谋划、共促发展。来源: 中华网