电子产品项目可行性研究报告

存储器芯片项目可行性研究报告-存储器芯片迎来黄金发展期一、概览摘要存储器芯片半导体存储产品的核心，是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元，其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。近五年来，受PC及移动端电子设备内存容量不断扩大，以TWS为代表的可穿戴设备新型消费级市场快速扩张，以及大数据云计算技术不断释放对企业级存储的需求等多方因素的影响，中国存储器芯片行业整体不断发展，市场规模（以销售额计）从2014年的45.2亿美元增长至2019年123.8亿美元，年复合增长率高达28.6%。由于当前存储器芯片应用广泛，同时下游消费电子市场份额逐年扩大，且未来5G及物联网技术将进一步为中国存储器芯片的整体发展赋能，预计未来中国存储器芯片还将继续保持稳定增长的态势。到2024年，中国存储器芯片市场份额有望突破522.6亿美元，占全球市场的14%。1、国产替代大环境助推存储器芯片产品具有典型的大宗商品属性，差异化竞争较小，不同企业生产的产品技术指标基本相同，标准化程度较高，因此品牌化程度较弱，用户粘性低。对于存储器芯片行业，只要技术参数达到产品需求，不同品牌的可替代率很高，这为中国存储器芯片品牌的发展提供了弯道超车的可能。2、存储器芯片迎来黄金发展期全球内存及闪存产品在国际竞争格局上，基本均被韩国、日本、美国等国垄断。在DRAM领域，三星、海力士及美光为行业龙头，在NAND领域，三星、东芝、新帝、海力士以及美光、英特尔共同掌握全球话语权。当前，中国已初步完成在存储芯片领域的战略布局，但由于中国起步晚，且受到技术封锁，市场份额较少，距离全面国产替代还有较大的发展空间。存储芯片良好的发展态势将为中国在这一领域的发展提供源源不断的需求保障。二、中国存储器芯片行业——定义及分类DRAM、NOR Flash、NAND Flash三类存储器之间的应用已产生隔离，难以相互代替，市场自成体系。存储器芯片定义及分类存储器芯片是半导体存储产品的核心，是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元，其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。半导体存储按照掉电后是否保存数据，分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存取器RAM为主，使用量最大的为动态随机存储DRAM。非易失性存储中最常见的为NOR Flash与NAND Flash，其中NOR Flash因其读取速度快且可擦除写入，被作为代码存储的主要器件，NAND Flash在高容量时具有成本优势，且读写速度比传统的光学、磁性存储器快，是现在主流的大容量数据存储器件。三、中国存储器芯片行业市场现状存储器芯片传统应用市场规模稳定，近年来，随着技术的发展，不断有新下游应用拉动行业发展。存储器芯片全球市场现状（以销售额计）四、中国存储器芯片行业市场综述——产业链存储芯片产业是国家战略产业，直接关系到电子信息产业的发展，中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。存储器芯片产业链介绍中国半导体产业链由上游为半导体支撑产业，中游为存储芯片行业，下游市场参与者由众多电子整机厂组成。存储器芯片是集成电路价值量最大的产品之一，存储芯片产业是国家战略产业，直接关系到电子信息产业的发展，中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。中国存储器芯片全产业链及内资企业布局简图上游大基金二期注册成立，以长江存储为代表的存储器芯片厂商是重点投资对象，其产业链上游的半导体材料与设备是投资热点。存储器芯片行业产业链上游分析大基金二期重点布局半导体产业链上游，半导体材料与半导体设备行业有望在未来实现进口替代。2016年成立的大基金一期接近尾声，其重点投资领域为集成电路制造，重点解决中国晶圆代工产能不足、技术落后的问题。2019年10月，大基金二期注册成立，以长江存储为代表的存储器芯片厂商是重点投资对象，其产业链上游的半导体材料与设备是基金投资的热点之一。1、半导体材料技术垄断：美国、日本、韩国、德国等国家占据主导地位。中国半导体材料的市场规模占全球比重逐年上涨。整体表现为企业数量少、市场规模小、技术水平低以及产业布局分散的特征。2、半导体设备总体国产化率较低，属于产业链薄弱环节，国产替代空间巨大。中国晶圆厂建设与扩产招标过程中，半导体设备国产化率从逐渐提高。存储器芯片发展扩产为中国半导体设备厂商提供了更多的发展机遇，中国将进入半导体设备国产化窗口期。中游1、设计环节（占成本30%）中国IC设计行业缺乏自主设计流程的能力，还不具备COT设计能力，主要依靠工艺技术的进步和EDA工具的进步。除兆易创新外，中国存储器芯片厂商多为IDM模式发展。2、制造环节（占成本40%）当前在高端制程，中国厂商难以实现国产替代。3D NAND Flash 领域：三星86层技术成熟，当前长江存储64层产品已小范围量产，目前在调试设备跨86层实现128层技术弯道超越。DRAM领域：当前中国全面落后于国际头部企业。3、封测环节（占成本30%）中国集成电路封测水平居全球领先水平，已完全实现国产替代。存储器芯片封测行业属于劳动密集型、技术密集型企业。封测水平反向推动产业链中游芯片制造业的发展。下游三大主流存储器芯片近年来下游市场规模逐年扩大，旺盛的下游需求推动存储器芯片行业的发展。存储器芯片行业下游需求分析1、电子整机搭载内存容量不断扩大 PC市场：需求从装机标配4GB过渡到了8GB、16GB 甚至是32GB，市场需求量进一步扩大 移动端：以智能手机为主要代表的移动端以内存容量作为产品属性提升的空间，当手机内存的标配从1GB、2GB转变到6GB、8GB时，其对DRAM的需求量也有了极大的增长，再加上智能手机的快速普及与其巨大的市场保有量，抢占了一大部分DRAM资源2、SSD和智能手机市场NAND Flash需求的增长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡 智能手机：2019年全球智能型手机出货14.9亿台，苹果、三星、华为、OPPO、vivo等头部智能手机品牌旗舰机纷纷以64GB、128GB、256GB为主打容量，再加上平板、车载、智能盒子等细分市场需求eMMC/eMCP等嵌入式产品消耗了42%的NAND Flash产能 SSD市场：数据中心、服务器等领域对数据分析、处理、响应速度的要求不断提高，谷歌、Facebook、百度、阿里巴巴、腾讯、华为等对SSD需求强劲。消费类市场，超极本、二合一等轻薄笔记本对SSD搭载率不断增加，去年消费类市场SSD出货超1.5亿台，再叠加工业、金融、车载等领域SSD需求，全球SSD共消耗近50%NAND Flash产能3、NOR Flash下游需求中，除了传统电脑、智慧型手机、网路通讯与消费性电子产品外，近年来最新且成长最大的需求在于智慧型手机的AMOLED屏幕，及LCD驱动IC和TDDI (Touch Display Driver IC)方案 智能手机：智能手机的AMOLED屏幕需要大量消耗NOR Flash颗粒 随着物联网、可穿戴设备、智慧城市、智慧应用、智能家居、智能汽车、无人机等厂商使用NOR Flash作为储存装置和微控制器搭配开发，NOR Flash需求将呈现爆发性增长五、中国存储器芯片行业市场综述——市场规模存储器芯片应用广泛，随着5G、物联网技术为中国半导体行业发展赋能，未来市场规模将进一步扩大。近五年来，受PC及移动端电子设备内存容量不断扩大，以TWS为代表的可穿戴设备新型消费级市场快速扩张，以及大数据云计算技术不断释放对企业级存储的需求等多方因素的影响，中国存储器芯片行业整体不断发展，市场规模（以销售额计）从2014年的45.2亿美元增长到了2019年123.8亿美元，年复合增长率高达28.6%。由于当前存储器芯片应用广泛，同时下游消费电子市场份额逐年扩大，且未来5G及物联网技术将进一步为中国存储器芯片的整体发展赋能，预计未来中国存储器芯片还将继续保持稳定增长的态势。到2024年，中国存储器芯片市场份额有望突破522.6亿美元，占全球市场的14%。2015-2024年中国存储器芯片行业市场规模（按销售额计）预测六、存储器芯片行业竞争格局中国存储器芯片行业竞争格局中国存储器芯片行业国产替代潜力大全球存储器芯片市场规模大且竞争激烈，当前中国已基本实现NOR Flash芯片的进口替代，但在DRAM、 NAND Flash芯片领先制程领域，仍与国际领先水平有不小差距。DRAM发展道阻且长中国大陆是全球DRAM最大市场，但自给率几乎为0。现阶段，半导体产业中心已转移到中国大陆，中国大陆已是全球最大和增速最快的市场，但大陆半导体产业起步晚，自给率仅为15%左右。DRAM作为半导体和存储器最大细分市场，2018年占据全球半导体和存储器总产值的比例分别为22%和58%，中国大陆作为最大市场，销售额全球占比约为43%，但几乎完全依赖进口，自制率远低于半导体全行业水平。 NAND Flash发展初步取得成果三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的 3D NAND闪存已成业界主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层 3D NAND闪存量产消息别具意义。存储器芯片项目可行性研究报告编制大纲第一章总论1.1存储器芯片项目背景1.2可行性研究结论1.3主要技术经济指标表第二章项目背景与投资的必要性2.1存储器芯片项目提出的背景2.2投资的必要性第三章市场分析3.1项目产品所属行业分析3.2产品的竞争力分析3.3营销策略3.4市场分析结论第四章建设条件与厂址选择4.1建设场址地理位置4.2场址建设条件4.3主要原辅材料供应第五章工程技术方案5.1项目组成5.2生产技术方案5.3设备方案5.4工程方案第六章总图运输与公用辅助工程6.1总图运输6.2场内外运输6.3公用辅助工程第七章节能7.1用能标准和节能规范7.2能耗状况和能耗指标分析7.3节能措施7.4节水措施7.5节约土地第八章环境保护8.1环境保护执行标准8.2环境和生态现状8.3主要污染源及污染物8.4环境保护措施8.5环境监测与环保机构8.6公众参与8.7环境影响评价第九章劳动安全卫生及消防9.1劳动安全卫生9.2消防安全第十章组织机构与人力资源配置10.1组织机构10.2人力资源配置10.3项目管理第十一章项目管理及实施进度11.1项目建设管理11.2项目监理11.3项目建设工期及进度安排第十二章投资估算与资金筹措12.1投资估算12.2资金筹措12.3投资使用计划12.4投资估算表第十三章工程招标方案13.1总则13.2项目采用的招标程序13.3招标内容13.4招标基本情况表第十四章财务评价14.1财务评价依据及范围14.2基础数据及参数选取14.3财务效益与费用估算14.4财务分析14.5不确定性分析14.6财务评价结论第十五章项目风险分析15.1风险因素的识别15.2风险评估15.3风险对策研究第十六章结论与建议16.1结论16.2建议附表：关联报告：存储器芯片项目申请报告存储器芯片项目建议书存储器芯片项目商业计划书存储器芯片项目资金申请报告存储器芯片项目节能评估报告存储器芯片行业市场研究报告存储器芯片项目PPP可行性研究报告存储器芯片项目PPP物有所值评价报告存储器芯片项目PPP财政承受能力论证报告存储器芯片项目资金筹措和融资平衡方案

导热界面材料项目可行性研究报告-导热界面材料市场高速增长导热界面材料是消费电子、通信设备、工业等领域不可或的缺的材料，其设计理念、生产工艺发展受应用领域需求影响大。中国导热界面材料市场规模受益于新能源汽车普及和 5G 基础设施建设稳步增长，从 2014 年的 6.6 亿元市场规模增长至 2018 年的 9.6 亿元，年复合增长率达 9.9%，且随着下游应用领域对导热界面材料性能要求提高，导热界面材料向着高性能发展。一：中国导热界面材料市场高速增长；21 世纪初期全球制造业向中国转移，中国导热界面材料得以快速发展，导热界面材料市场规模不断扩增。导热界面材料下游消费电子、新能源汽车、通信技术、医疗等应用行业的发展，推动了中国导热界面材料的高速增长。二：多种散热解决方案结合是发展趋势；随着 5G 商用开始以及 5G 电子设备工作功率提升，5G电子设备核心零部件性能和散热需求迅速提高，导热性能更佳的石墨烯将逐渐应用到电子设备中。此外电子设备厂商除采用石墨烯散热外，还将不断探索其他散热方式，将采用结合多种散热解决方案共同实现散热。三：中国导热界面材料以低端产品为主；中国导热界面材料市场起步较晚，行业技术水平与国际先进水平存在差距。中国导热界面材料行业内企业众多，但产品种类较少，存在产品同质化严重、技术含量不高、竞争激烈、毛利率低等问题，行业整体竞争力不强，限制了中国企业国际业务拓展能力。但在高端导热界面材料国产化需求以及政策的鼓励支持下，中国导热界面材料行业技术将不断升级，需求量也将得到提高。导热界面材料分类常见的导热界面材料包括导热膏、导热凝胶、相变材料、石墨片、片状导热间隙填充材料、液态导热间隙填充材料等。导热界面材料行业产业链导热界面材料产业链上游参与者为原材料供应商，如石墨供应商、PI 膜供应商、硅胶供应商等；中游参与者为导热界面材料生产商；下游参与者为导热界面材料的应用领域，如消费电子、新能源汽车、基站、工业、数据中心、医疗等领域。上游原材料成本约占导热界面材料生产总成本的 70%左右。导热界面材料种类众多，原材料涉及范围广，以石墨、PI 膜、硅胶为主，大多数原材料市场化成熟，市场中存在众多供应商，因此原材料供应充足，部分原材料如 PI 膜具有高技术含量，供应商话语权较强。（1） 石墨天然石墨是传统工业和新兴产业重要的战略资源，中国石墨矿资源丰富，截止到2019 年 4 月，中国天然石墨探明储量约为 5,500 万吨，占全球总量的 22%。中国天然石墨产地主要分布在黑龙江、四川和山东等地，石墨类型多为鳞片状晶质石墨，此类石墨具有易开采、易选等特点，使用价值大。中国石墨供应量极为充足，不存在断供等风险。中国石墨深加工技术走在世界前列，高温提纯、石墨烯生产等加工产品在国际市场具有优势。石墨高端材料是《中国制造 2025》中重点发展领域，天然石墨也是制备导热界面材料石墨烯的重要原材料之一，石墨下游应用需求影响石墨的开采和价格。现阶段中国具有代表性的石墨供应商包括方大炭素、中钢吉炭、第六元素等。（2） PI 膜PI 膜（“黄金薄膜”），是生产导热石墨片的主要原材料之一。PI 膜经过高温碳化和石墨化后可形成导热率极高的导热石墨片，是现阶段解决电子设备散热问题最佳材料之一。PI 膜生产具有极高的技术壁垒，中国企业多采用工艺简单的热亚胺化法，而难度较大的化学亚胺化技术产能高，所生产的 PI 膜物化性能好，此技术多由美国、日本、韩国等国的企业掌握，高端 PI 膜市场长期被海外企业垄断。生产高端 PI 膜的企业在产业链中具有较高的话语权。随着下游如消费电子、通信基站、新能源汽车等行业设备散热量逐渐加大，人工石墨导热材料逐渐成为导热领域主要材料，作为人工石墨片主要原材料的 PI 膜需求空间也将有望扩增。PI 膜国际生产商有美国杜邦、日本钟渊化学、韩国 SKC 等，中国生产商有丹邦科技、时代新材、长春高崎等。（3） 硅胶硅胶是生产导热胶的主要原材料之一。中国硅胶产业成熟，拥有完整的产业链，中国是全球最大的有机硅胶生产国和消费国，每年可生产约 280 万吨有机硅胶。但中国硅胶市场集中度低，竞争激烈，硅胶产品同质化，以低端产品为主，高端产品依赖进口。国际高端硅胶生产商有美国道康宁、德国汉高、日本信越等，而中国生产商包括宏达新材、回天胶业、新安股份等。中游导热界面材料行业产业链参与者为导热界面材料生产商以及导热解决方案服务商。导热界面材料生产商从事导热材料的研发、设计、生产和销售，并可有偿为客户提供导热应用解决方案。导热界面材料厂商为其客户提供导热材料产品的同时，可全方位了解下游客户应用需求，以帮助客户更好实现应用目标。此外，导热界面材料厂商根据下游客户要求，对客户产品进行深入分析，并对客户定制导热应用解决方案。导热界面材料的新产品开发和生产标准受下游应用领域影响较大，导热界面材料随着下游客户需求的变化进行改造升级，如下游消费电子硬件水平不断提高，促进导热界面材料向高导热率材料发展，采用导热率高的石墨烯生产产品将成为行业未来趋势。中国导热界面材料生产商与国外发达国家企业相比，在生产工艺等技术层面仍存在差距，但在国家政策鼓励支持以及国产化需求趋势双重背景下，中国导热界面生产商仍有大量发展空间。中国导热界面生产商有飞荣达、中石科技、碳元科技、傲川科技、博恩实业、鸿富诚等。导热界面材料存在技术、认证、投入等壁垒，造成导热界面材料进入门槛较高。（1） 技术壁垒导热界面材料行业属于技术密集型行业，前期研发阶段需要高额的研发投入以及专利技术积累。导热界面材料技术壁垒主要体现在两方面，一方面是产品配方技术的研发需根据下游应用终端领域的不同而进行改良，另一方面为导热界面材料的特殊生产加工工艺。如中国导热界面材料行业龙头企业飞荣达通过多年技术积累，已掌握精密模切、精密冲压经验。精密模切可助飞荣达实现大规模生产优势，而精密冲压可减少导热界面材料后期加工处理，有助于实现高效生产。根据飞荣达 2018 年财报显示，飞荣达截止到 2018 年共获得专利共计117 项，其中发明专利 33 项，实用新型专利 84 项，已在导热界面材料的研发、设计和应用等方面取得优势。（2） 认证壁垒手机、电脑等电子设备厂商基于产品质量和生产成本等方面考虑，会设立完善的零部件供应商认证体系。电子设备厂商在选择导热界面材料供应商时，会对产品质量进行严格审核，合格者可通过厂商资质认证，进入电子设备厂商的供应商体系。获得认证的导热界面材料企业不会被轻易替换，可有效巩固其市场地位，但对新进入者构成认证壁垒。同时，跨国销售存在强制性安全认证标准，不同国家或地区的安全认证标准不同，提高了企业的跨国销售难度，如美国设有 UL 认证、欧洲地区设有 CE 和 ENEC 认证等。如鸿富诚加入至富士康供应商体系，并获得富士康优秀供货商称号，同时鸿富诚为进入美国市场，已获得 UL 认证。而傲川科技也已获得美国 UL、SGS 认证等。（3） 投入壁垒由于导热界面材料受其下游应用终端影响较大，下游终端的不断发展改变也将促使导热界面材料不断迭代升级，而产品的快速升级则需要不断的资金和人才投入给予支持。根据飞荣达 2018 年财报显示，2018 年研发人员占全体员工总数的 15.23%，研发费用收入占比5.15%。通过持续进行大力的研发投入，飞荣达在导热界面材料领域取得了良好的技术和专利优势，获得了华为、思科、微软等国际巨头的青睐。下游导热界面材料下游应用领域丰富，消费电子、通信设备、新能源汽车、工业、医疗、数据中心等领域对导热界面材料均存在巨大需求。随着电子产品的发展，电子产品性能不断加强、功能变多、产品体积在逐渐缩小，电子产品朝着高性能、集成化、紧凑化发展，高性能导热电子产品中电子元器件功耗变大，发热量提高，而密封环境导致电子产品自然散热能力变差，电子产品散热需求急速上升。电子产品的快速迭代对导热界面材料散热性能提出更高要求，导热界面材料不断升级完善，以应对日益增长的散热需求。以智能手机为例，现阶段各家手机厂商的旗舰机型均标配2K 或 4K 分辨率显示屏、不断升级的 CPU 处理器，这些硬件的堆砌将为手机尺寸在更紧凑化的趋势下带来更高的发热量，手机散热需求也愈发苛刻，多数手机厂商如三星、苹果在其中高端机型上采用导热效果更佳的石墨片，取代原有的导热硅胶。此外，由于现阶段新能源汽车采用锂离子电池作为动力输出，新能源汽车动力电池散热量增加，传统的风冷散热不足以应对高热量的电池，新能源汽车需要引入更多或导热率更高的导热材料才能解决增长的散热问题。新能源汽车对于导热材料需求和要求不断提高。同时，数据中心、工业和医疗等下游应用终端的硬件配置不断升级，其内部的电子元器件散热量大幅增加，也将推动中国导热界面材料生产商迎来新的增长点。导热界面材料行业规模21 世纪初期全球制造业向中国转移，众多导热界面材料厂商如莱尔德、3M 等在中国投资建厂，带动中国厂商技术进步，中国导热界面材料得以快速发展，导热界面材料市场规模不断扩增。导热界面材料作为电子设备中不可或缺材料，其下游应用领域的发展将推动导热界面材料需求上升。导热界面材料下游消费电子、新能源汽车、通信技术、医疗等应用领域的稳定发展，推动了中国导热界面材料的高速增长。中国导热界面材料行业市场销售规模从 2014 年的 6.6 亿元增长至 2018 年的 9.6 亿元，年复合增长率达 9.9%。有益于 2019 年 5G 技术开始商用，5G 基站和 5G 电子设备散热需求提升，导热界面材料有望迎来大幅增长，预计 2019 年中国导热界面材料市场份额可达 11.4 亿元。随着中国制造业水平的不断提升，以及导热界面材料下游新兴应用领域如数据中心、新能源汽车、可穿戴设备等的高速发展，其散热需求也将同步上升，中国导热界面材料行业市场规模未来有望继续攀升，预计至 2023 年，中国导热界面材料市场规模（按销售额计）将达 17.2 亿元，2018 至 2023 年年复合增长率将达 12.3%。导热界面材料项目可行性研究报告编制大纲第一章总论1.1导热界面材料项目背景1.2可行性研究结论1.3主要技术经济指标表第二章项目背景与投资的必要性2.1导热界面材料项目提出的背景2.2投资的必要性第三章市场分析3.1项目产品所属行业分析3.2产品的竞争力分析3.3营销策略3.4市场分析结论第四章建设条件与厂址选择4.1建设场址地理位置4.2场址建设条件4.3主要原辅材料供应第五章工程技术方案5.1项目组成5.2生产技术方案5.3设备方案5.4工程方案第六章总图运输与公用辅助工程6.1总图运输6.2场内外运输6.3公用辅助工程第七章节能7.1用能标准和节能规范7.2能耗状况和能耗指标分析7.3节能措施7.4节水措施7.5节约土地第八章环境保护8.1环境保护执行标准8.2环境和生态现状8.3主要污染源及污染物8.4环境保护措施8.5环境监测与环保机构8.6公众参与8.7环境影响评价第九章劳动安全卫生及消防9.1劳动安全卫生9.2消防安全第十章组织机构与人力资源配置10.1组织机构10.2人力资源配置10.3项目管理第十一章项目管理及实施进度11.1项目建设管理11.2项目监理11.3项目建设工期及进度安排第十二章投资估算与资金筹措12.1投资估算12.2资金筹措12.3投资使用计划12.4投资估算表第十三章工程招标方案13.1总则13.2项目采用的招标程序13.3招标内容13.4招标基本情况表第十四章财务评价14.1财务评价依据及范围14.2基础数据及参数选取14.3财务效益与费用估算14.4财务分析14.5不确定性分析14.6财务评价结论第十五章项目风险分析15.1风险因素的识别15.2风险评估15.3风险对策研究第十六章结论与建议16.1结论16.2建议附表：服务流程 ：1.客户问询，双方初步沟通了解项目和服务概况；2.双方协商签订合同协议，约定主要撰写内容、保密注意事项、企业相关材料的提供方法、服务金额等；3.由项目方支付预付款（50%），本公司成立项目团队正式工作；4.项目团队交初稿，项目方可提出补充修改意见；5.项目方付清余款，项目团队向项目方交付报告电子版；另：提供甲级、乙级工程资信资质关联报告：导热界面材料项目申请报告导热界面材料项目建议书导热界面材料项目商业计划书导热界面材料项目资金申请报告导热界面材料项目节能评估报告导热界面材料行业市场研究报告导热界面材料项目PPP可行性研究报告导热界面材料项目PPP物有所值评价报告导热界面材料项目PPP财政承受能力论证报告导热界面材料项目资金筹措和融资平衡方案

智能可穿戴设备项目可行性研究报告-社会因素助力中国智能可穿戴行业发展智能可穿戴设备是综合运用各类识别、传感技术、云服务等交互及存储技术实现用户交互、生活娱乐、人体监测等功能的智能设备。智能可穿戴设备行业按照应用领域可以划分为医疗与保健、健身与健康、工业与军事及信息娱乐等。智能可穿戴设备的功能覆盖健康管理、运动测量、社交互动、休闲游戏、影音娱乐等诸多领域。伴随中国智能可穿戴设备行业在各垂直领域应用程度的加深，中国智能可穿戴设备行业将持续扩容。2023 年中国智能可穿戴设备行业的市场规模将达到 913.7 亿元。一：技术环境助力中国智能可穿戴行业发展政府积极引导和支持“VR+”发展，推动 VR 技术产品娱乐等行业领域的应用，创新融合发展路径，培育新娱乐、新业态，拓展 VR 应用空间。VR 产业利好政策延伸至虚拟现实产业的各个应用领域，政府鼓励游戏游艺设备生产企业积极引入体感、多维特效、VR、AR 等先进技术，加快研发适应不同年龄层，益智化、健身化、技能化和具有联网竞技功能的游戏游艺设备。二：VR 游戏将改变玩家的社交方式人工智能技术的发展为智能可穿戴设备的多功能应用提供助力，如芯片、算法等，其核心技术的应用推动了中国智能可穿戴设备行业的发展。5G 技术的发展为人工智能与智能可穿戴设备的结合提供了基础性支持。目前，5G 在智能可穿戴设备领域的优势主要体现在三个方面，容量较大、延迟性较低、网络均匀性较好。三：社会因素助力中国智能可穿戴行业发展中国老龄化人口不断增多，且呈现持续上涨的发展趋势。老年人医疗保健需求急剧增加，现有的医疗资源无法满足老年群体的护理需要。因此，老年人的健康护理逐渐向家庭转移，智能可穿戴设备作为轻便高效的家用医疗健康电子产品，将为老年人提供良好的健康管理服务。中国智能可穿戴设备行业定义智能可穿戴设备是综合运用各类识别、传感技术、云服务等交互及存储技术实现用户交互、生活娱乐、人体监测等功能的智能设备。智能可穿戴设备行业按照应用领域可以划分为医疗与保健、健身与健康、工业与军事及信息娱乐等。智能可穿戴设备的功能覆盖健康管理、运动测量、社交互动、休闲游戏、影音娱乐等诸多领域。中国智能可穿戴设备行业分类智能可穿戴设备行业按照产品形态可分为智能眼镜、智能手表、智能手环、智能头盔等。可穿戴设备通过连接互联网，同时与各类软件应用相结合，使用户能够感知和监测自身与周边环境的状况。智能可穿戴设备行业市场规模2014 年中国智能可穿戴设备行业的市场规模仅有 65.2 亿元，得益于政策环境、经济环境、及社会环境的支持，中国智能可穿戴行业得以快速发展。2018 年中国智能可穿戴设备行业的市场规模增长至 304.1 亿元，2014 年-2018 年中国智能可穿戴设备行业的年复合增长率为 47.0%。伴随社会经济的发展与居民可支配收入的提高，居民的购买力逐渐增强。良好的经济环境推动了中国智能可穿戴产品的普及，助力中国智能可穿戴设备行业的发展。中国智能可穿戴设备行业的技术水平持续提高，元器件、操作系统及开发平台等技术的发展为行业发展提供技术支持。中国智能可穿戴设备行业市场规模据具有智能可穿戴设备背景的行业专家表示，中国人口老龄化及慢性病人群扩大等社会问题的出现，为中国智能可穿戴设备行业的应用提供了刚性需求及扩容空间。伴随中国人口老龄化程度的加深以及慢性病人群数量的增多，健康管理方式的转变推动了中国智能可穿戴设备细分领域的发展。中国智能可穿戴设备行业在医疗领域的应用持续深入，医疗可穿戴设备为用户进行主动的健康管理、提高用户的健康水平，提高中国居民的生活质量。伴随中国智能可穿戴设备行业在各垂直领域应用程度的加深，中国智能可穿戴设备行业将持续扩容。预测，2023 年中国智能可穿戴设备行业的市场规模将达到 913.7 亿元。中国智能可穿戴设备行业产业链中国智能可穿戴设备行业由上游的软硬件供应商、中游的智能可穿戴设备厂商及下游各应用领域构成。中国智能可穿戴设备行业产业链中国智能可穿戴设备行业产业链上游中国智能可穿戴设备行业的上游参与者包括智能硬件供应商和软件系统服务商，其主要为智能可穿戴设备提供核心的智能硬件及软件技术支持。智能硬件主要包括芯片、显示屏、传感器、电池等。软件系统主要包括语控和交互技术系统、数据平台系统等。芯片智能可穿戴设备使用的芯片主要分为应用处理器（AP）和单片微型计算机（MCU）两种。手环基本采用 MCU，手表根据功能复杂度选用 MCU 或 AP。目前，智能可穿戴设备行业尚未出现专门为可穿戴设备定制的主控芯片，部分厂商的专用芯片多为基于原有芯片的优化设计，并非专用。芯片技术是智能可穿戴设备发展的核心，芯片的技术成熟度将影响智能可穿戴设备的性能。中国芯片企业长期处于被垄断的局面，近九成的芯片依赖进口。近年来中国芯片产业取得了较快的发展，但中国芯片与海外进口芯片的技术水平仍存在较大差异。未来，中国芯片行业需提高自主创新能力，打破海外芯片企业对中国市场的垄断。传感器智能可穿戴设备需要通过传感器对人体进行数据监测。伴随传感器技术的发展，智能可穿戴设备的功能逐渐完善。目前，智能可穿戴设备的传感器产品主要涵盖运动传感器、环境传感器、生理健康类传感器。现阶段，传感器的发展重心主要集中在运动设备的应用。在医疗健康领域，由于尺寸、精度及价格等方面的原因，传感器还无法大规模应用在医疗可穿戴设备中。传感器的技术门槛较高，智能可穿戴设备行业核心的无创式监测技术主要集中在海外，部分智能可穿戴设备所需的核心技术依赖引进。显示屏显示屏作为智能可穿戴设备中重要的元器件，是设备和用户交互的重要部分。目前，应用在智能可穿戴技术行业的显示屏技术主要包括传统 LCD 显示、Sharp memory LCD，OLED，电子墨水显示、MEMS 显示技术和柔性显示等。屏幕技术的提高将改善智能可穿戴设备的可穿戴性以及交互方式，提升下游消费者的消费体验。电池电池为智能可穿戴设备提供能量供给，其续航能力是智能可穿戴设备行业的痛点。智能可穿戴设备的电池大小限制了电池的电量存储，部分可穿戴设备局限于便携性特质的要求，无法内置耗电率较低的电池，并且电池的密度无法通过其他技术手段改变。因此，部分智能可穿戴设备厂商通过改变产品使用方式、或改变充电技术为产品提供多种蓄能方式，如海外知名智能可穿戴设备厂商—苹果。但目前，智能可穿戴设备电池技术无法在短时间内得到提升，其续航能力的限制将为企业带来较高的研发成本，影响下游消费者的使用体验。语控和交互技术系统智能可穿戴设备的语音控制和交互技术系统是解放用户双手的关键性技术。语控和交互技术系统的技术门槛较高，中国涉足语音控制与交互技术的知名企业主要包括科大讯飞、数码视讯等。伴随虚拟现实、增强现实技术的发展，语音控制与交互技术系统的发展得到了较多的资本关注。中国智能可穿戴设备行业语控和交互技术系统的技术突破将提高中国厂商的竞争优势，为下游消费者提供良好的消费体验。中国智能可穿戴设备行业产业链中游中国智能可穿戴设备行业中游参与者包括智能可穿戴设备厂商，电子科技企业等。智能可穿戴设备厂商中国智能可穿戴设备行业起步较晚，大部分企业仍处于产品驱动阶段，因此，中国国内智能可穿戴设备优质品牌较少。相较于国外同类型的产品，中国智能可穿戴设备的竞争优势尚不明显。并且伴随产品形态与功能的逐渐健全和丰富，中国智能可穿戴设备同质化程度逐渐升高。海外厂商的布局将对中国智能可穿戴设备厂商的市场份额造成冲击，用户的争夺将成为行业的竞争重点。电子科技企业基于中国智能可穿戴设备行业较好的产业前景，部分电子科技企业纷纷入局，如 ACER、小米等。电子科技企业利用其资源、技术及渠道优势布局中国智能可穿戴设备行业，抢占中国智能可穿戴设备行业的市场份额。部分老牌电子科技企业的加入将推动中国智能可穿戴设备的发展，同时企业利用其品牌忠诚度和技术优势将为下游消费者带来较好的使用体验。中国智能可穿戴设备行业产业链下游得益于智能可穿戴设备技术的发展，中国智能可穿戴设备在医疗、教育、体育以及军事等领域的应用不断深化。医疗健康领域目前，智能可穿戴设备在医疗健康领域的普及率较高。可穿戴医疗设备将为用户提供实时健康监测数据，让用户了解自身的健康情况，帮助用户进行科学的健康管控。可穿戴医疗设备在身体指标出现异常时将发出预警信号，医护人员及监护人可以及时了解患者情况，及时采取措施，避免患者情况恶化。可穿戴医疗健康设备的基本功能可满足用户的基本监测需求，为用户节省去医院检查的费用，降低了用户的使用成本和时间成本，同时有利于培养用户的健康管理意识。智能可穿戴设备在医疗健康领域的应用可以帮助医疗机构更好的整合医疗资源，为用户提供更加便捷的医疗服务。可穿戴医疗健康设备的及时性为医疗机构的资源调配提供有力的参考支撑，医生可以根据医疗可穿戴设备的数据反馈安排上门诊断或远程会诊的时间，降低医患双方治疗成本。中国慢性病人群不断扩大且呈年轻化趋势，同时人口老龄化日益加剧，居民的健康观念逐渐由被动治疗转变为主动监测。医疗智能可穿戴设备在一定程度上弥补了因医疗资源的短缺导致的供需缺口。据沙利文数据统计，2018 年中国可穿戴医疗设备的市场规模近 70 亿元。伴随智能可穿戴设备在医疗领域的深入，医疗可穿戴设备市场有望迎来更大的发展机遇。教育教学领域在教育领域，智能可穿戴设备为教育教学及学生的成长提供帮助。第一，智能可穿戴设备可以收集学生的健康数据、心理数据，教师可以根据学生的心理变化判断学生行为的合理性，与学生进行实时沟通及反馈，以提升学生学习效率及教学效果。第二，智能可穿戴设备可以帮助学生随时查找教学资源和学习内容，且不受时间和地点限制。第三，学生所佩戴的智能可穿戴设备多为智能手表，其定位及数据传输功能可以帮助家长获取学生的地理位置，保障学生安全。智能可穿戴技术在教育领域的应用不断深入，将推动中国智能可穿戴设备市场持续扩容。体育训练领域在体育领域，智能可穿戴设备的应用颠覆了职业体育训练的传统训练模式，体育可穿戴设备可以利用其数据监测功能为用户提供更加专业的差异化方案。体育可穿戴设备通过轨迹数据、距离数据分析监测运动员的体能表现，跟踪体育选手心率等指标、分析其身体、康复状况和睡眠情况。体育智能可穿戴式设备可以根据客观的数据分析制定训练计划。但目前，中国体育智能可穿戴设备尚未普及，多数体育智能可穿戴设备功能简单，难以实现理想化的智能效果，且产品标准尚未统一，智能可穿戴设备行业在体育领域的应用有待深入。军事领域智能可穿戴设备在军事领域的应用主要包括作战指挥、日常监管等。智能头盔和智能眼镜是军用智能可穿戴设备的代表，通常用于军方的作战指挥。军用智能可穿戴设备支持探测目标的武器瞄准、数据显示、态势感知等多种作战功能，并对军方监测范围内的目标进行位置判定、身份认证、敌我识别。智能可穿戴设备在军事领域的应用将提升作战人员态势感知、数据显示和智慧通信的能力。除军事作战领域外，智能可穿戴设备在军事安防等方面得到了广泛应用。常用的智能可穿戴设备硬件包括穿戴式生理监测与医疗辅助装备。穿戴式运动相机用于实现岗哨执勤动态图像的实时录制、传输与监督。穿戴式生理监测与医疗辅助装备主要用于军事训练体征监测和卫勤救护保障，同时广泛应用于训练和考核士兵的生理指标监测。伴随智能看穿戴设备功能的完善，其在军事领域的应用将不断深化，军用智能可穿戴设备行业将得到进一步发展。智能可穿戴设备项目可行性研究报告编制大纲第一章总论1.1智能可穿戴设备项目背景1.2可行性研究结论1.3主要技术经济指标表第二章项目背景与投资的必要性2.1智能可穿戴设备项目提出的背景2.2投资的必要性第三章市场分析3.1项目产品所属行业分析3.2产品的竞争力分析3.3营销策略3.4市场分析结论第四章建设条件与厂址选择4.1建设场址地理位置4.2场址建设条件4.3主要原辅材料供应第五章工程技术方案5.1项目组成5.2生产技术方案5.3设备方案5.4工程方案第六章总图运输与公用辅助工程6.1总图运输6.2场内外运输6.3公用辅助工程第七章节能7.1用能标准和节能规范7.2能耗状况和能耗指标分析7.3节能措施7.4节水措施7.5节约土地第八章环境保护8.1环境保护执行标准8.2环境和生态现状8.3主要污染源及污染物8.4环境保护措施8.5环境监测与环保机构8.6公众参与8.7环境影响评价第九章劳动安全卫生及消防9.1劳动安全卫生9.2消防安全第十章组织机构与人力资源配置10.1组织机构10.2人力资源配置10.3项目管理第十一章项目管理及实施进度11.1项目建设管理11.2项目监理11.3项目建设工期及进度安排第十二章投资估算与资金筹措12.1投资估算12.2资金筹措12.3投资使用计划12.4投资估算表第十三章工程招标方案13.1总则13.2项目采用的招标程序13.3招标内容13.4招标基本情况表第十四章财务评价14.1财务评价依据及范围14.2基础数据及参数选取14.3财务效益与费用估算14.4财务分析14.5不确定性分析14.6财务评价结论第十五章项目风险分析15.1风险因素的识别15.2风险评估15.3风险对策研究第十六章结论与建议16.1结论16.2建议附表：服务流程 ：1.客户问询，双方初步沟通了解项目和服务概况；2.双方协商签订合同协议，约定主要撰写内容、保密注意事项、企业相关材料的提供方法、服务金额等；3.由项目方支付预付款（50%），本公司成立项目团队正式工作；4.项目团队交初稿，项目方可提出补充修改意见；5.项目方付清余款，项目团队向项目方交付报告电子版；另：提供甲级、乙级工程资信资质关联报告：智能可穿戴设备项目申请报告智能可穿戴设备项目建议书智能可穿戴设备项目商业计划书智能可穿戴设备项目资金申请报告智能可穿戴设备项目节能评估报告智能可穿戴设备行业市场研究报告智能可穿戴设备项目PPP可行性研究报告智能可穿戴设备项目PPP物有所值评价报告智能可穿戴设备项目PPP财政承受能力论证报告智能可穿戴设备项目资金筹措和融资平衡方案

本刊实习记者 代航航／文11月9日，星星科技（300256.SZ）发布《关于智能终端科技园项目的可行性研究报告》称，公司将在江西萍乡经开区投资60亿元建设智能终端科技园，投资建设智能终端电子产品生产线，主要产品包括视窗玻璃防护屏、触摸屏、全贴合产品、指纹识别模组等。公告披露的投资规模及资金构成显示，此次投资主要分为四部分，一是以公司部分现有设备评估作价20亿元；二是土地、厂房建设（政府代建支持），拟投资15亿元；三是新增设备产线（地方政府资金给予部分支持），拟投资10亿元；四是流动资金，萍乡经开区管委会承诺给予星星科技累计15亿元的产业资金支持。整个60亿元的投资项目，江西萍乡经开区政府拟提供30亿元以上的财务资助，包括土地供应支持、厂房代建支持、产业发展资金支持、设备投资支持。而星星科技仅以部分现有设备评估作价20亿元及新增设备产线10亿元（地方政府资金给予部分支持）开展此次智能终端科技园项目。由此我们可以看出，为了建设此次智能终端科技园项目，江西萍乡经开区政府给予了星星科技巨额土地及资金支持，而星星科技又是否值得此次政府的大力支持呢？主营业务毛利率低下星星科技主要从事手机、平板电脑等产品的各种视窗防护屏、触控显示屏及精密结构件的研发和制造。2018年三季报显示，公司前三季度实现营业收入34.70亿元，同比下滑17.56%；实现营业利润6827万元，同比下滑15.29%；实现净利润6738万元，同比增长4.71%。然而，即使是这样的业绩还是在确认了6120万元政府补助的情况下实现的。星星科技在2011年登录创业板，上市首年虽然仅实现营业收入5.63亿元，实现营业利润6545.20万元，但最终还是实现了扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润5556万元，盈利情况还是不错的。到了2017年，公司营业收入已经暴增到了56.47亿元，但却仅实现了营业利润5417万元，扣非后归属于母公司股东净利润更是直接亏损1412万元。经过几年的发展，公司营业收入暴增，却并没有创造实际的利润收入，扣非净利润反而是陷入了亏损。根据2018年半年报，星星科技目前主要业务分为三块，分别是视窗防护屏类、触控显示类、结构件类，分别占比9%、33.39%、57.61%。然而，星星科技的视窗防护屏类业务的毛利率始终低于同业公司。2017年和2018年上半年，公司视窗防护屏业务的营业收入分别为4.58亿元、1.89亿元，毛利率分别为10.82%、16.09%。其中，2018年上半年，得益于中小尺寸视窗防护屏业务规模收缩，中高端和大尺寸的视窗防护屏的比重提高，星星科技的视窗防护屏业务毛利率有相应的提高，尽管如此，该业务的毛利率水平始终不高。从行业比较来看，公司视窗防护屏业务依然处于极为不利的地位。蓝思科技（300433.SZ）无疑是视窗防护屏行业的龙头公司，2017年和2018年上半年，公司中小尺寸防护玻璃业务收入分别为168.32亿元、77.29亿元，毛利率分别为29.77%、21.86%，远远高于星星科技的视窗防护屏业务毛利率。从2017年开始，蓝思科技的3D玻璃项目已经投产并得到了多个品牌应用，而到了2018年半年报，星星科技的3D玻璃项目仅是处于刚刚投产的阶段。随着国内视窗防护屏行业投资的增加和产能的逐步释放，视窗防护屏市场竞争日益激烈。根据智研咨询的数据，中国移动智能终端设备规模季度增速放缓的节奏已经显现，自2016年第二季度起，移动智能终端增速就跌破了2%。2015年，全行业生产手机达到18.13亿部，2016年，国内手机市场产量20.58亿部，2017年，国内手机产量出现回落，下滑至19.22亿部，2018年上半年，全球智能手机出货量较上年同期下滑1.84个百分点，下降至6.76亿部。显然，在传统国际客户自身市场地位下降和国内手机产量下滑的情况下，星星科技只能寄希望于3D玻璃项目及减小中小尺寸视窗防护屏业务规模扭转亏损，否则公司视窗防护屏业务的毛利率低下局面短期内将无法改善。其次是触控显示类业务，2017年和2018年上半年，星星科技的触控显示类业务营业收入分别为24.68亿元、7.02亿元，毛利率分别为8.39%、8.82%。对于触控显示类业绩下降的原因，公司解释称，2018年上半年，公司开始降低手机触控屏，开始向中大尺寸及车载触屏全贴模组转型。暂且不谈业绩下滑问题，星星科技的触控显示类业务毛利率显然不能达到行业水平。对比同行业上市公司合力泰（002217.SZ），2017年和2018年上半年，合力泰触控显示类业务收入分别为99.55亿元、53.58亿元，毛利率分别为15.70%、14.99%。显然，星星科技的规模较小，毛利率更是不能与行业内的大公司相提并论。对于结构件类业务，星星科技主要是依靠14亿元买来的深圳市联懋塑胶有限公司（下称“深圳联懋”）支撑业绩。年报显示，公司结构件类业务2016-2017年及2018年上半年的营业收入分别为20.09亿元、23.83亿元、12.11亿元，毛利率分别为22.55%、22.54%、21.56%，可以说是处于一个较好的盈利状态。即使是这样，深圳联懋依然是无法完成业绩承诺，商誉减值风险不言而喻。同时，星星科技的高额存货也是一个较为危险的存在。年报显示，星星科技2016-2017年及2018年前三季度的营业收入分别为49.94亿元、56.47亿元、34.70亿元，期末存货分别为13.59亿元、15.08亿元、16.22亿元，存货占营业收入的比例分别为27.21%、26.70%、46.74%。对比同行业上市公司欧菲科技（002456.SZ）和蓝思科技。根据年报，欧菲科技2016-2017年及2018年前三季度的营业收入分别为267.46亿元、337.91亿元、311.46亿元，期末存货分别为45.11亿元、76.80亿元、112.73亿元，存货占营业收入的比例分别为16.87%、22.73%、36.19%。蓝思科技2016-2017年及2018年前三季度的营业收入分别为152.36亿元、237.03亿元、189.93亿元，期末存货分别为19.58亿元、22.10亿元和39.83亿元，存货占营业收入的比例分别为12.85%、9.32%、20.97%。很显然，星星科技存货占比偏高，一旦合理计提存货跌价损失，无疑将会对年报利润产生重大影响。并购拼业绩 商誉减值风险高企根据年报，近年来星星科技的业务主要依靠四个子公司进行，这四个子公司分别是广东星弛光电科技有限公司（下称“星弛光电”）、浙江星谷触控科技有限公司（下称“星谷触控”）、深圳市深越光电技术有限公司（下称“深越光电”）、深圳联懋。其中，星弛光电主要以开发、生产和销售液晶显示器（LCD）视窗防护屏及触摸屏的材料和产品，公司常年处于亏损状态。根据上市公司2016-2017年年报及2018年半年报，星弛光电的净利润分别为-1.06亿元、-1.07亿元、-1944万元。星谷触控主要从事视窗防护屏、触摸屏及触控显示模组、电子结构件及相关材料的研发、生产和销售，该子公司同样是常年处于微利甚至亏损状态，据上市公司2016-2017年年报及2018年半年报，星谷触控的净利润分别为1109万元、-万元、-1035万元。除了内生性增长，星星科技还依靠收购来维持业绩，但同时也造成了如今高额商誉压顶的局面。星星科技本意是想依靠两次收购保业绩，但收购标的要么是没有完成业绩承诺，要么是过了业绩承诺期之后业绩大跳水。2013年8月，星星科技发布收购草案，公司拟收购深越光电的100%股权。根据收购草案，以收益法的评估结果确定标的资产的评估价值，标的资产经审计的净资产账面价值为1.39亿元，收益法评估价值为8.51亿元，增值额为7.12亿元，增值率为511.43%。最终，星星科技为收购确认了商誉6.12亿元。根据《利润承诺补偿协议书》，交易对方毛肖林、洪晨耀及深圳群策群力三方承诺2013年、2014年和2015年标的公司实现的扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润将分别不低于7250万元、9250万元和1.1亿元。根据Wind数据，深越光电2013-2015年分别实现扣除非经常性损益后的净利润7335万元、9325万元和1.07亿元。2015年的业绩承诺完成率为97.34%，没有完成业绩承诺。在业绩承诺期满之后的2016-2017年及2018年上半年，深越光电的净利润分别为5965万元、5230万元、1184万元，过了利润承诺期业绩大变脸。虽然深越光电业绩不断下滑，然而星星科技仅在2016年计提了一次减值准备3890万元，目前，星星科技对于收购深越光电形成的商誉仍有5.74亿元。2014年12月16日，星星科技发布收购预案，拟收购深圳联懋的100%股权。根据上市公司随后于2015年7月2日发布的收购报告书修订稿，此次交易的评估基准日为2014年11月30日，本次交易标的深圳联懋100%股权截至评估基准日，未经审计的账面净资产值为4.34亿元，预估值为14.02亿元，预估值增值率为223.17%。最后，星星科技为收购深圳联懋形成商誉9.21亿元。按照标的资产的作价14亿元计算，星星科技以发行股份的方式支付转让价款的85%部分，以现金方式向交易对方支付转让价款的15%部分，共支付的现金对价为2.1亿元。NEW POPULAR、德懋投资和TYCOON POWER承诺，深圳联懋2014年度、2015年度、2016年度、2017年度实现的扣除非经常性损益的净利润数分别不低于人民币8000万元、1.5亿元、1.8亿元和2.16亿元。根据Wind咨讯，深圳联懋2014-2017年扣非后归属母公司股东净利润分别为8135万元、1.19亿元、1.95亿元、1.72亿元，其中2015年和2017年两个年度均未完成业绩承诺。2017年，深圳联懋的业绩开始明显下滑，2018年上半年进一步下滑。虽然深圳联懋业绩不断下滑加上未完成业绩承诺，但星星科技并没有对商誉计提减值准备，目前，上市公司对深圳联懋的商誉依然是9.21亿元。2018年11月16日，证监会发布了《会计监管风险提示第8号——商誉减值》的监管规则，其中监管关注事项第三条称，公司应合理区分并分别处理商誉减值事项和并购重组相关方的业绩补偿事项，不得以业绩补偿承诺为由，不进行商誉减值测试。随着2018年监管层对商誉监管的加强，星星科技的商誉减值风险不可小觑。　高价买来亏损公司2018年9月12日，星星科技发布《关于全资子公司对外投资的公告》，称全资子公司深越光电拟以5.3亿元的总价购买光宝科技（广州）投资有限公司持有的珠海光宝移动通信科技有限公司（下称“珠海光宝移动”）100%股权以及Lite-On Mobile Pte.Ltd分别持有的广州光宝移动电子部件有限公司（下称“广州光宝移动”）、深圳光宝移动精密模具有限公司（下称“深圳光宝移动”）的各100%股权。根据公告披露的经营数据，经审计，2017年度，珠海光宝移动实现净利润-3.71亿元，广州光宝移动实现净利润-1.78亿元，深圳光宝移动实现净利润-2192万元。2017年度，三家标的公司合计实现净利润-5.71亿元。同时，根据标的公司出具的2018年1-5月财务报表（未经审计），珠海光宝移动当期实现净利润-3077万元，广州光宝移动实现净利润-3640万元，深圳光宝移动实现净利润-1470万元。2018年1-5月，三家标的公司合计实现净利润-8188万元。对于高额现金收购这三家公司，星星科技给出的解释是，标的公司账面资金非常充沛，并始终保持着通畅的融资渠道，同时标的公司已建有430余台/套的注塑机生产线、1030余台CNC金属结构件生产线，以及配套的模具设计、研发、生产中心，能够减轻公司融资压力，同时能为公司迅速提升产能，为5G时代的到来积极地布局，提前做好产能储备。此项交易收到了浙江省证监局的关注函，根据问询函回复公告，三家公司的固定资产情况最是令人怀疑。回复公告称，标的公司建有430余台/套的注塑机生产线、1030余台CNC金属结构件生产线，现实情况是这431台注胶机主要为2012年购买，机器设备按照5年的折旧年限计算，早已是减值大部分，甚至还有没有利用价值都很难说。同样，1030余台CNC金属结构件生产线也是主要于2014-2015年时候购买。在电子移动设备更新换代如此之快的情况下，这样落后的生产设备又能否满足消费电子产品的市场需求呢？高额商誉减值风险、购买亏损公司影响、行业竞争加剧将又一次使投资者联想到星星科技2013年的财报大洗澡，这次商誉是否又将计提巨额减值损失，2018年年报无疑又是一个“雷”。针对文中提及的种种疑问，《证券市场周刊》记者致函星星科技，但截至发稿未获回复。证券市场周刊

特种气体项目可行性研究报告-现代工业“粮食”特种气体市场规模快速增长。工业气体可以分为两大类，一般工业气体和特种工业气体。一般工业气体是指经过空气分离设备制造的普通级的氧气和氮气、经过焦炉气分离或者电解方法制造出来的普通纯度的其他种类气体。一般工业气体生产量大，对气体纯度要求不高。特种气体有别于一般气体，它在纯度、品种、性能等方面严格按照一定规格生产和使用。特种气体广泛应用于集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆、新能源汽车、航空航天、环保、医疗等领域。2017 年，全球特种气体市场规模 241 亿美元，其中电子领域的特种气体市场规模超过 100 亿美元。根据卓创资讯的统计，2010-2017 年中国特种气体市场平均增速 15.5%，2017 年中国的特种气体市场规模约 178 亿元，其中集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆等半导体领域的特种气体市场规模约 100 亿元。根据卓创资讯的预计，2018-2022 年中国特种气体市场规模仍将以平均超过 15%的年增长率高速增长，到 2022 年中国特种气体市场规模将达到 411 亿元。特种气体：现代工业“粮食”特种气体是工业气体中的一个新兴门类，是随着近年来国防工业、科学研究、自动化技术、精密检测，特别是微电子技术的发展而发展起来的。20 世纪 80 年代，电子产业的兴起推动特种气体的需求提高，外资开始通过收购、设等方式建立气体公司进入中国气体市场，向国内气体用户提供气体产品，随着气体供应商供气模式的引入，国内企业原有的气体车间、气体厂和供气站等纷纷发展为独立的气体公司，国内特种气体市场逐步发展起来。中国特种气体行业发展历程从应用领域划分，特种气体主要有电子气体、高纯气体和标准气体三种，广泛应用于电子半导体、化工、医疗、环保和高端装备制造等领域。其中，电子气体是指用于半导体及其它电子产品生产的气体，目前，我国电子气体品种基本齐全，但数量和质量与发达国家相比，尚有较大差距；高纯气体通常指利用现代提纯技术能达到的某个等级纯度的气体，对于不同类别的气体，纯度指标不同，大多用于超大规模集成电路及分离器件、光电子等高科技领域；标准气体严格意义上应称为标准校正气体，是一种高度均匀，稳定性良好和量值准确的气体，可分为单元标准气体和多元标准气体，目前标准气基本满足了我国石油、化工、环保、传感器校核等诸多领域的需求，但对活性较强的标准气，国内尚无法彻底解决量产问题。特种气体主要品种及发展情况在 2018 年我国特种气体年销售额中，电子行业约占 41%，石油化工约占 39%，医疗环保约占 10%，其它约占 10%。2018 年中国特种气体下游细分领域占比特种气体：现代工业“粮食”。特种气体是工业气体中的一个新兴门类，是随着近年来国防工业、科学研究、自动化技术、精密检测，特别是微电子技术的发展而发展起来的，从应用领域划分，可以划分为电子气体、高纯气体、标准气体。广义的“电子气体”指可用于电子工业生产中使用的气体，是最重要原材料之一，可以分为电子特种气体和电子大宗气体，电子气体广泛应用于离子注入、刻蚀、气相沉积、掺杂等工艺，被称为集成电路、液晶面板、LED 及光伏等材料的“粮食”和“源”。产能转移，下游行业快速发展。特种气体广泛应用于集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆、新能源汽车、航空航天、环保和医疗等新兴产业领域。集成电路领域，中国大陆集成电路销售规模从 2158 亿元迅速增长到 2018 年的 6531 亿元，复合增速为 20.27%，远超全球其他地区；显示面板领域，根据 IHS 预测，2016 年-2025 年全球新型显示面板需求面积的 CAGR 预计将达 4%，到 2025 年增长至 2.66 亿平方米。特气市场持续增长。全球特种气体市场保持平稳增长态势，其中亚太地区特种气体需求增长最快，预计 2020 年市场规模将达到 168 亿美元，占全球特气比重提升至 25.80%。我国特气市场规模由 2010 年 118.14亿元增长至 2018 年 296.49 亿元，CAGR 为 12.19%，预计 2024 年市场规模可达 1087 亿元；电子特气市场规模由 2010 年 38.99 亿元增长至 2018年 121.56 亿元，预计到 2024 年我国电子特气市场规模达到 230 亿元。外企寡头垄断，国产化势在必行。电子特气行业具有较高的进入壁垒，空气化工、林德集团、液化空气和大阳日酸等四大公司控制着全球 90%以上的市场份额，呈现寡头垄断的格局。在国内市场，海外四大气体巨头控制了我国电子特气市场 88%的份额，国内气体公司市场份额合计仅占 12%，国内企业占比较低。目前国内雅克科技、中船重工 718 所、华特气体、昊华科技等企业陆续突破，未来有望逐渐实现进口替代。特种气体项目可行性研究报告编制大纲第一章总论1.1特种气体项目背景1.2可行性研究结论1.3主要技术经济指标表第二章项目背景与投资的必要性2.1特种气体项目提出的背景2.2投资的必要性第三章市场分析3.1项目产品所属行业分析3.2产品的竞争力分析3.3营销策略3.4市场分析结论第四章建设条件与厂址选择4.1建设场址地理位置4.2场址建设条件4.3主要原辅材料供应第五章工程技术方案5.1项目组成5.2生产技术方案5.3设备方案5.4工程方案第六章总图运输与公用辅助工程6.1总图运输6.2场内外运输6.3公用辅助工程第七章节能7.1用能标准和节能规范7.2能耗状况和能耗指标分析7.3节能措施7.4节水措施7.5节约土地第八章环境保护8.1环境保护执行标准8.2环境和生态现状8.3主要污染源及污染物8.4环境保护措施8.5环境监测与环保机构8.6公众参与8.7环境影响评价第九章劳动安全卫生及消防9.1劳动安全卫生9.2消防安全第十章组织机构与人力资源配置10.1组织机构10.2人力资源配置10.3项目管理第十一章项目管理及实施进度11.1项目建设管理11.2项目监理11.3项目建设工期及进度安排第十二章投资估算与资金筹措12.1投资估算12.2资金筹措12.3投资使用计划12.4投资估算表第十三章工程招标方案13.1总则13.2项目采用的招标程序13.3招标内容13.4招标基本情况表第十四章财务评价14.1财务评价依据及范围14.2基础数据及参数选取14.3财务效益与费用估算14.4财务分析14.5不确定性分析14.6财务评价结论第十五章项目风险分析15.1风险因素的识别15.2风险评估15.3风险对策研究第十六章结论与建议16.1结论16.2建议附表：关联报告：特种气体项目申请报告特种气体项目建议书特种气体项目商业计划书特种气体项目资金申请报告特种气体项目节能评估报告特种气体行业市场研究报告特种气体项目PPP可行性研究报告特种气体项目PPP物有所值评价报告特种气体项目PPP财政承受能力论证报告特种气体项目资金筹措和融资平衡方案

“十四五”行业发展整体呈现上升趋势-化工新材料行业项目可行性研究报告1、化工新材料行业“十四五”规划指南1.1发展成绩和突出问题（一）化工新材料行业范畴：化工新材料包括高性能树脂、高性能合成橡胶、高性能纤维、功能性膜材料、专用化学品、无机新材料六个大类。化工新材料行业范畴（二）化工新材料“十三五”期间取得成绩目前化工新材料行业是我国化学工业体系中市场需求增长最快的领域，同时也是我国化学工业体系中自给率最低、最急需发展领域。经过“十三五”的发展，化工性材料行业整体的自给率已达到了61%。化工新材料行业表现消费量（万吨）及自给率（三）化工新材料行业“十三五”期间突出的问题虽然化工新材料行业的发展速度和规模较“十二五”有了长足的进步，但是某些产品仍然存在空白，一些产品虽然产能形成了一定规模，但是高端产品仍然存在差距和短板。主要反映为以下六个问题。1）部分新材料尚未国产化，部分新材料出现结构过剩的问题，能够自给但性能指标、稳定性等存在差距。①如聚碳酸酯、聚甲醛，产品的同质化严重，导致国内市场的低端同质化；竞争激烈，而高端产品仍依赖进口。②国内碳纤维有效产能2.2万吨，但产量仅为1.1万吨。通用级CF普遍存在质量不稳定、性能离散系数大等问题，而高端CF品种缺乏。2）部分产品单一，系列化程度不高，应用技术研究落后，市场响应能力和技术服务相对欠缺。受到体制、机制、市场环境的制约，加之自身理念和观念有待转变，我国相关企业在下游应用研究和技术服务方面投入较少，产品牌号少，产品尚未形成系列化、差别化，导致下游用户不能认可和接受，导致装置利用率较低。3）部分新材料亟需上游关键配套原料突破。部分化工新材料受限于上游原料，需要消除关键配套原料供应瓶颈。如共聚聚酯PETG的关键原料CHDM，尼龙66的上游关键原料己二腈，高端偏光片关键膜树脂PVA树脂、TAC树脂等依赖度较高。只有实现关键原料的突破，下游新材料的制备才成为可能。4）部分新材料产品用户粘性高，下游用户接受缓慢。化工新材料中部分产品如电子化对产品批次质量的稳定性要求高，材料更替可能会造成下游产品性能和良率的波动，因此产品评价技术难度大、认证周期长、费用高；同时，由于细分子行业众多，导致单个产品通常成本占比较低。5）企业规模小，创新能力不强，竞争能力弱，研发和设备投入不足。化工新材料产业发展迅速，产品更新换代周期较短，虽然部分新材料相关专业国内科研院所已处于国内甚至国际先进水平，但与下游企业结合不紧密、国家相关激励机制和政策支持不完善，导致科技成果转化慢、产业化程度低，行业上下游之间未能形成创新驱动发展联动。6）战略性、创新性人才短缺，制约企业和行业发展。高层次领军人才、创新人才是新材料产业实现突破式发展的核心要素，目前国内对化工新材料相关的专业人才培养、激励政策和制度有待进一步完善，对高端人才吸引不足，人才活力未能充分发挥。1.2关注重点和行业热点1）提高关键行业所需材料的保障能力。2019年6月底，日本宣布暂停对韩国供应3种半导体核心原材料含氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度氟化氢，韩国三种材料对日本供应的依赖分别达到93.7%、91.9%、43.9%。断供后三星2019年三季度净利润暴跌52%，间接导致韩国出口连续数月下降。从日本断供时间可以看到，部分原材料产品对整体产业链和供应链安全起到至关重要的作用。面对这种风险，需要我们国家在化工新材料行业突破重点领域急需的新材料，布局一批前沿新材料，加快重点新材料初期市场培育，提升行业所需材料的保障能力。①高端聚烯烃领域需要关注的问题a）部分产品仍处于空白，如EVOH、茂金属聚丙烯、POE弹性体；b）名义产能较大但实际产量不足，主要原因是工艺技术水平和产品质量和国外新材料企业仍有较大差距，如UHMWPE、聚丁烯-1；c）高端专用料牌号生产和开发力度依然欠缺，如茂金属聚乙烯。高端聚烯烃行业产需情况②工程塑料领域需要关注的问题：a）生产能力不足，部分产品还不具备生产能力；b）产品档次低，不能满足高端差异化需求，如聚甲醛；技术水平落后国外，如聚芳酯、液晶聚合物等；c）缺乏终端应用开发能力。工程塑料行业产需情况2）政策推动可降解塑料行业发展。近一两年来，国家对塑料垃圾的问题重点关注，国家和多个省份也颁布了禁限塑政策，这些政策将有效推动我国未来可降解材料行业的发展。③对于生物可降解材料行业，目前我国产业化较成熟的主要有聚乳酸（PLA），聚丁二酸丁二醇酯（PBS）及其共聚酯，此外呋喃聚酯等一些新型品种也被不断开发出来。那么需要关注的问题主要有：a）目前，国内生物降解塑料市场尚未打开，产品以出口为主，70%以产品或制品形式出口海外；b）与传统石油基塑料相比，生物降解塑料尚存在成本高、性能较差、依赖政策支持等不足；c）国内应用整体上呈现“叫好不叫座”的状态，市场有待培育。可降解塑料行业产需情况1.3化工新材料产业发展趋势化工新材料是我国发展战略性新兴产业的重要基础，也是传统石化和化工产业转型升级和发展的重要方向。目前我国化工新材料产品产值0.8万亿元，市场规模约1.3万亿元，近5年年均增速超过10%，预计2025年，化工新材料市场规模将达到2.2万亿元。化工新材料重点领域需求现状及预测（单位：亿元）1.4化工新材料重点发展领域（一）高性能树脂——高端聚烯烃1）进一步提升供应能力。①改进催化剂体系（茂金属聚烯烃）；②改变共聚单体（高碳α烯烃共聚聚乙烯，三元无规共聚聚丙烯）；③通过工艺设备、操作参数形成的特殊结构和性能产品（双峰、多峰牌号，高融指、低嗅味牌号等）。2）提升牌号开发和市场响应能力。（二）高性能树脂——工程塑料1）提升大宗工程塑料的生产水平。①高提高聚甲醛、聚碳酸酯等已有装置的运行水平；②促进一批国内尚属空白的特种工程塑料实现产业化，如PEEN、PEN、PCT、特种尼龙、生物基尼龙。2）消除关键配套原料供应瓶颈。①加快1，4-环己烷二甲酯等单体技术开发并实现规模化生产，促进特种共聚酯发展；②推进己二腈技术国产化，促进聚酰胺（尼龙66）工程塑料发展；③扩大戊二胺、1，3-丙二醇等生物基材料的关键配套原料，并降低成本。3）加强塑料改性、塑料合金技术开发。①提高工程塑料对细分市场的适用性和产品性价比；②加强改性塑料和塑料合金的开发。（三）高性能树脂——聚氨酯1）绿色化。①发展水性或无溶剂型产品，逐步替代溶剂型聚氨酯产品；②加快发展气相光气化异氰酸酯技术，研究开发非光气化异氰酸酯生产技术；③聚醚多元醇的原料环氧丙烷，淘汰环境污染严重的氯醇法。2）差别化。①大力发展脂肪族二异氰酸酯等特种异氰酸酯的生产，实现异氰酸酯产品升级；②进一步发展精细化、功能化聚氨酯产品。（四）高性能树脂——氟硅树脂1）对于已实现工业化生产的产品，应大力提升国内产能规模和装置开工率，提高生产工艺水平、产品质量稳定性和关键参数。主要包括：可熔性聚四氟乙烯、超高分子量聚四氟乙烯、膜级聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物，甲基苯基硅树脂、苯基硅油等。2）5G基建、航空航天、高端装备等领域需求快速增长、国内生产属空白的产品，应集中力量开展系统攻关，形成一批创新成果与典型应用。主要包括：超高分子量聚四氟乙烯、高速挤出级聚全氟乙丙烯树脂等。（五）高性能树脂——生物可降解材料1）扩大聚乳酸、聚丁二酸丁二醇酯（PBS）及其共聚酯、聚己内酯等品种的生产规模；2）提升二氧化碳可降解塑料等产品性能和改性开发；3）加快聚羟基（PHAs）、呋喃聚酯等新型生物基降解塑料等产业化进程；4）加快生物法丁二酸、生物法1，4-丁二醇、呋喃二甲酸等原料的技术开发和生产。（六）高性能合成橡胶——高性能合成橡胶和弹性体1）部分胶种，增加产品牌号，增加供应量，提高产品市场占有率，满足轮胎和制品用户不断升级的要求：溶聚丁苯橡胶（SSBR）、稀土顺丁橡胶（NdBR）、氢化丁腈橡胶（HNBR）、溴化丁基橡胶（BIIR）、异戊橡胶（IR）及单体、EPDM、甲基苯基硅橡胶、SEPS、特种热塑性聚氨酯弹性体等。2）强化一批产品填补缺口：如氢化丁腈橡胶、氟硅橡胶、特种氟橡胶、聚烯烃类热塑性弹性体（TPO）、热塑性聚酯弹性体（TPEE）、丙烯酸酯橡胶、尼龙/丁基复合橡胶（PA/IIR）等。3）氟硅橡胶方面，重点发展技术难度大，产品质量存在较大差距的品种。①提升氟橡胶产品品级；②提高氟硅橡胶、特种硅橡胶、甲基苯基硅橡胶的市场占有率；③实现在航空航天等领域的成熟应用，带动在核电、高铁、汽车及电子行业的推广应用。4）TPO、TPU等热塑性弹性体产品重点提升生产工艺，提高产品质量和生产稳定性，为汽车轻量化等领域做好配套。（七）高性能化学纤维1）碳纤维。①加强碳纤维生产企业与复合材料制造、下游应用领域的联系，建立生产到应用一体化的技术攻关平台，探索国内碳纤维-复合材料一体化发展的模式；②加强沥青基碳纤维和高强高模碳纤维的产业化研究，实现其规模化稳定生产。2）芳纶。①间位芳纶发展重点是在现有有效产能基础上进行产品性能提升和应用研发；对位芳纶还需要进一步扩大产能，提升产品自给率；芳纶Ⅲ材料需要加大研发力度，实现高质量稳定生产；②鼓励现有优势企业进一步提升产能、改进技术、进一步优化产品性能、发展系列化的产品，加强生产企业与复合材料制造企业的联系。3）超高分子量聚乙烯纤维。鼓励树脂生产企业与纤维生产企业联合生产和应用研发，促进全产业链竞争力提升。4）防护用纤维。进一步拓展种类，如通过引入不同的聚合单体，提升其产品性能。（八）功能性膜材料1）功能性膜领域需要重点突破的，技术空白、技术实习薄弱和进口依赖度高的品种：①反渗透膜、纳滤膜等高性能水处理膜；②渗透汽化膜、气体分离膜等特种分离膜；③高性能、低成本电解用离子交换膜；④高性能、长寿命、低成本燃料电池质子膜；⑤光学膜中的偏振片用薄膜（PVA膜、TAC膜等）、背光模组用膜（扩散膜、增亮膜、反射膜等）、聚酰亚胺柔性膜；⑥新型光伏材料用膜；⑦轨道交通用耐电晕聚酰亚胺薄膜、高性能PVB中间膜等膜品种。2）目前国内膜材料关键成型设备自主化率低，需要加大膜材料成型设备的研发和生产。①实现高端膜材料成型设备国产化；②推动应用研发体系的建立，如光学膜领域应注重薄膜材料研发与现实材料需求之间的关联，拓展光学膜应用范围，并形成“按需研发”的光学膜研发体系，逐步提升我国光学膜研究的引领能力。（九）电子化学品1）重点发展为集成电路、平板显示器、新能源电池、印制电路板四个领域配套的电子化学品。2）加快品种更替和质量升级，满足电子产品更新换代的需求。①重点优化升级超高纯化学试剂、电子特种气体、先进封装材料、锂电池负极材料、CMP抛光材料等国内已有一定生产基础的产品；②填补光刻胶及关键原材料、液晶混晶、高性能OLED显示材料、5G用关键材料等一批供应缺口较大的产品；③布局一批前沿产品，如动力电池回收用高效萃取剂、富锂锰基正极材料、无镉量子点发光显示材料等。（十）无机新材料1）重点面向战略性新兴产业发展需要，重点发展无机纳米材料、无机晶须材料、光催化材料、石墨烯材料、半导体晶圆材料、无机纤维材料领域。①根据市场需要加强无机化工产品应用性能的研究，开发产品的新产品。如开发高纯、超细、表面改性等产品，提升产品性能；②实施创新驱动，研究开发相应的高新工艺技术包括超细化技术、纤维化技术、薄膜化技术、表面改性技术、单晶、多孔生产技术、特殊几何形状制备技术、高纯技术、复合物技术；③突破关键核心技术，如水热法生产高纯电子级无机化工产品等。促进无机功能材料技术发展。2）关注“新基建”带来的市场机会，发展5G技术所需相关材料等。3）推动与相关产业合作，促进上下游产业链的紧密结合。（十一）3D打印材料。1）开发低成本打印材料、开发多样性打印材料：未来进行改性技术研究的材料主要聚焦工程塑料、生物降解塑料、热固性塑料、光敏树脂和预聚体树脂、高分子凝胶、碳纤维及复合材料等几大类。2）对材料进行流动性改性、增强改性、快速凝固改性、功能化改性等技术开发。（十二）医用化学材料。医用化学材料产业发展迅猛，产品更新换代周期短，需要加大研发投入，建立产学研用深度融合的技术创新体系，推动国内工业化生产尚处于空白（或仅能小批量生产）的产品加快实现工业化突破。化工新材料行业项目可行性研究报告编制大纲第一章总论1.1项目总论1.2可研报告编制原则及依据1.3项目基本情况1.4建设工期1.5建设条件1.6项目总投资及资金来源1.7结论和建议第二章项目背景、必要性2.1项目政策背景2.2项目行业背景2.3项目建设的必要性2.4项目建设可行性分析2.5必要性及可行性分析结论第三章市场分析及预测3.1行业发展现状及趋势分析3.2我国化工新材料行业发展现状分析3.3项目SW0T分析3.4市场分析结论第四章项目建设地址及建设条件4.1场址现状4.2场址条件4.3建设条件4.4项目选址4.5结论第五章指导思想、基本原则和目标任务5.1指导思想和基本原则5.2建设目标和任务第六章建设方案6.1设计原则指导思想6.2基本原则6.3项目建设内容6.4核心工程设计方案第七章劳动安全及卫生7.1安全管理7.2安全制度7.3其它安全措施第八章项目组织管理8.1组织体系8.2管理模式8.3人员的来源和培训8.4质量控制第九章招标方案9.1编制依据9.2招标方案9.3招标应遵循的原则第十章投资估算及资金筹措10.1投资估算编制依据10.2工程建设其他费用10.3预备费10.4总投资估算第十一章财务分析11.1评价概述11.2编制原则11.3项目年营业收入估算11.4运营期年成本估算11.5税费11.6利润与利润分配11.7盈亏平衡分析11.8财务评价结论第十二章效益分析12.1经济效益12.2社会效益12.3生态效益第十三章项目风险分析13.1主要风险因素13.2项目风险的分析评估13.3风险防范对策第十四章结论与建议14.1结论14.2建议一、财务附表附表一：销售收入、销售税金及附加估算表附表二：流动资金估算表附表三：投资计划与资金筹措表附表四：固定资产折旧估算表附表五：总成本费用估算表附表六：利润及利润分配表附表七：财务现金流量表服务流程：1.客户问询，双方初步沟通了解项目和服务概况；2.双方协商签订合同协议，约定主要撰写内容、保密注意事项、企业相关材料的提供方法、服务金额等；3.由项目方支付预付款（50%），本公司成立项目团队正式工作；4.项目团队交初稿，项目方可提出补充修改意见；5.项目方付清余款，项目团队向项目方交付报告电子版；另：提供甲级、乙级工程资信资质关联报告：化工新材料行业项目申请报告化工新材料行业项目建议书化工新材料行业项目商业计划书化工新材料行业项目资金申请报告化工新材料行业项目节能评估报告化工新材料行业行业市场研究报告化工新材料行业项目PPP可行性研究报告化工新材料行业项目PPP物有所值评价报告化工新材料行业项目PPP财政承受能力论证报告化工新材料行业项目资金筹措和融资平衡方案

（报告出品方/作者：安信证券，马良、薛辉蓉）核心观点■国产替代依旧是驱动半导体发展的最大因素：面临波荡起伏的国际局 势，自主可控已经成为了维护国家战略安全的重要领域，半导体则是 这个领域的最前端。先进制程的半导体则是被遏制的重灾区，主要方 式是通过控制先进制程需要的设备材料，因此，半导体设备材料是我 国未来几年内科技攻关最为强力的突破口，国产化替代的意愿大幅度 提升，测试配合度增加，验证周期有望缩短。晶圆制造代工和封装测 试的国产化设备材料一旦取得技术方面的突破，出货速度有可能会超 出大部分人的预期。目前国产化率相对较高的是后道测试机、清洗机 等，如刻蚀机、离子注入机、薄膜制备等高端产品逐步验证。■新能源需求驱动，功率半导体产业方兴未艾：在光伏平价上网周期到 来和新能源汽车的快速推广需求驱动下，功率半导体在未来几年内将 保持较高的景气程度。2020 年需求叠加海外疫情的影响，无论是 8 寸 晶圆代工厂还是 MOSFET/功率二极管和晶闸管等器件厂，都出现了产 能利用率高企甚至涨价的现象，考虑到较长的扩产周期和器件的迭代 发展，景气度仍将保持相当长的一段时间。产品创新层面，SiC、GaN 等第三代化合物半导体以及国产 IGBT 行业快速发展，渗透率不断提 升。功率半导体对于先进制程的要求相对较低，更多是需要掌握工艺 上面的 know-how，考虑到我国丰富的工程师资源和政策资本市场支持 力度，有出现产业弯道超车的可能性。■可穿戴/AIOT 将会驱动消费电子的下一个黄金十年：从 PC-Notebook手机的消费电子发展历程来看，智能终端的小型化、便携化、网络化 是驱动发展的核心因素。现在手机的全球销量已经达到一个相对稳定 的量级，未来数量的突破点在于非洲等新兴市场的发展，战场更多聚 焦于局部创新带来的 ASP 提升，比如屏下摄像头/液态镜头等光学部件 创新、提升充电速度或者便利性的快充/无线充电部件创新、5G/WiFi/ 蓝牙/UWB 等通信部件创新等。从产业大势上面来看，我们认为 5G/WiFi/蓝牙/UWB 等通信技术的不断迭代发展将会让以 TWS、智能 手表、VR/AR、智能家居为代表的可穿戴/AIOT 产品的创新性和实用 性越来越高，成为驱动消费电子发展的下一个黄金十年的核心产品形 态。■显示技术不断迭代，Mini LED 时代到来：显示技术一直是重资产驱 动的迭代战场，从 CRT-LCD-OLED 的过程来看，每一次迭代都会带来产业链的大量机会。目前来看，OLED 在小尺寸领域具有得天独厚的 轻薄优势，中大尺寸则出现了分歧，OLED 蓝光衰减成为大尺寸推广 的致命伤，主打超大屏和健康护眼的激光电视/投影在亮度和安装调试 便利度方面有所欠缺，更适合有适龄儿童或者注重健康的家庭，相对 来看，LCD + Mini LED 背光在普通家庭使用中具有更高的可行性，我 们认为 LCD + Mini LED 背光很有可能会成为未来家庭电视的主流产 品技术路线。商业显示领域，Mini LED 直显也将延伸小间距 LED 的产 业趋势，在更小的建筑空间尺度层面继续蚕食 LCD 拼接屏的市场。从 尺寸上面来看，100 寸或将成为临界点，100 寸以下的部分使用 LCD 智 能交互平板，100 寸以上的采用 Mini LED 直接显示有可能会成为主流 方案。1. 行业景气度持续提升，国产替代引领半导体发展1.1. 全球景气持续提升，中国行业规模与增速持续上行 全球半导体景气度持续提升，其中中国增速再超越全球。2020 年 1 月份以来全球半导体销 售额恢复正增长，根据 SIA，2020 年 1-9 月全球半导体市场销售额达到 3,194 亿美元，同比 增长 5.9%。9 月份中国半导体销售额同比增速为 6.5%，增速创 2020 年以来新高，同期全 球增速为 5.8%；10 月份中国增速为 6.3%，同期全球增速为 6.0%。根据中国半导体行业协会统计，2020 年 1-9 月中国集成电路产业销售额为 5,905.8 亿元，同 比增长 16.9%。其中，设计业同比增长 24.1%，销售额 2,634.2 亿元，仍是三业增速最快的 产业；制造业同比增长 18.2%，销售额为 1,560.6 亿元；封装测试业同比增长 6.5%，销售 额 1,711 亿元。 我国集成电路进出口规模均快速增长。根据海关统计，2020 年 1-9 月中国进口集成电路 3,871.8 亿块，同比增长 23%；进口金额 2,522.1 亿美元，同比增长 13.8%。出口集成电路 1,868.3 亿块，同比增长 18.7%；出口金额 824.7 亿美元，同比增长 12.1%。 国产替代方兴未艾，从低端向高端渗透加速。从上游的设备材料，到中游设计、EDA 软件， 及下游制造及封测领域都对自主可控提出了要求。总的来说，我国半导体设计行业增长迅速， 高端芯片国产替代速度加快，但 EDA 软件与 IP 核领域被龙头企业垄断，国产替代仍需时日； 半导体制造领域制程不断推进、加大投入，同时也带动了国产半导体前道设备与材料的认证与量产；半导体封测是我国半导体产业链中最为成熟的部分，封测设备的国产化进程也最快。1.2. 12 英寸 Fab 厂到 2024 年预计增长 38 座，芯片制程占比将均衡发展1.2.1. 12 英寸 Fab 厂 2020 年预计支出增长 13%，到 2024 年预计增长 38 座供应链预留安全库存，2020 年 12 英寸 Fab 厂预计支出增长 13%。根据 SEMI，云服务、 服务器、笔记本电脑、游戏和医疗技术的需求不断长，5G，物联网（IoT），汽车，人工智能 和机器学习等快速发展的技术继续推动对更强互联的需求，大型数据中心和大数据的需求也 在增长，加上新冠疫情以及中美贸易战加剧，供应链预留安全库存，成为带动 2020 年晶圆 厂积极扩产、支出大幅增长的主要因素。根据 SEMI，2020 年 12 英寸晶圆厂投资将同比增 长 13%，超越 2018 年，创历史新高，2021 年增速将放缓至 4%，2022 年放缓至-2%，预计 2023 年达到 700 亿美元新高，2024 年将再次出现轻微下滑-4%。根据 SEMI 保守估计，全球 2020 年到 2024 年将至少增加 38 座新的 12 英寸 Fab 厂，月产 能将增长约 180 万片晶圆，达到 700 万片以上。中国台湾地区将增加 11 个，中国大陆将增 加 8 个，二者合计占总新增数量的一半。到 2024 年，将达到总计 161 个 12 英寸 Fab 厂。分区域来看，到 2024年预计中国将占 12英寸 Fab 厂 20%产能。产能占比方面，根据 SEMI， 12 英寸产能的全球份额中，中国将从 2015 年的 8%增长到 2024 年的 20%，达到 150 万片 /wpm。日本所占的份额预计从 2015 年的 19%下降到 2024 年的 12%。美洲份额预计从 2015 年的 13%下降到 2024 年的预计 10%。支出总额方面，韩国最高，投资额在 150 亿美元至 190 亿美元之间，其次是中国台湾，投资额在 140 亿美元至 170 亿美元之间，其次是中国大 陆，投资额在 110 亿美元至 130 亿美元之间，欧洲/中东增幅将达到 164%，其次是东南亚的 59%，美洲的 35%和日本的 20%。芯片类型方面，存储芯片将占据 12 英寸 Fab 厂支出增长的大部分。根据 SEMI 预测， 2020-2023 年，存储芯片支出每年将以高个位稳定增长，到 2024 年将增长 10%；2021-2023 年，逻辑/MPU 的投资将稳步提高；与电源相关的设备 2021 年预计增长 200%以上，2022、 2023 年将两位数增长。1.2.2. 芯片制程微缩边际受益递减，不同制程发展更加均衡芯片制程方面，随着制程微缩速度持续放缓，芯片设计成本大幅提升，边际收益递减，因此， 先进与成熟制程之间的权衡更加明确，不同公司所采用的制程也愈加有针对性，因此各种制 程都有展现各自优势的空间。经 IC Insights 统计和预测，各种半导体制程的市占率正向着相 对更加均衡的方向发展。根据 IC Insights，2019 年 10nm 以下制程占比约为 4.4%，2024 年预计增长到 30%。同期， 10nm-20nm 制程占比将从 38.8%下降到 26.2%；20nm-40nm 制程的市占率将从 13.4%下降 到 6.7%；而 40nm 以上成熟制程的占比预计没有明显变化。总体来看，到 2024 年，10nm 以下，10nm -20nm 和 40nm 以上制程各占市场约三分之一。5nm 制程方面的玩家只有台积电和三星。台积电 5nm 制程目前主要客户只有苹果（假设剔 除华为后），以 A15 Bionic 和 Mac CPU 为主，预计 2021 年 AMD 的 5nm Zen 4 架构产品 也将开始小量试产。2021 年底至 2022 年，联发科、英伟达和高通也都有 5nm/4nm 产品量 产计划（根据 TrendForce）。三星的主要客户是英伟达 Hopper 架构 Geforce 平台 GPU、高 通骁龙 885 及三星 Exynos 旗舰系列。7nm 制程市场由量产两年多的台积电掌控。目前台积电营收主力仍为 7nm 制程。台积电官 网于 2020 年 8 月 20 日宣称，截止到 2020 年 7 月，台积电 7nm 无缺陷芯片累计出货量已 超过 10 亿颗。同日，台积电官网宣称优化 7nm 制程后推出的 6nm 已经开始进入生产阶段，并采用 EUV 技术取代部份浸润式光刻掩模。苹果、华为海思、高通、联发科、AMD、赛灵思、英伟达、博通等均是台积电 7nm 客户，英特尔和特斯拉，也都是台积电潜在的 7nm 制程客户。根据 IC Insights，制程在 10nm-20nm 之间的芯片出货量在 2019 年 12 月接近 40%，但随 着 10nm 以下先进制程的崛起，10nm-20nm 的市占率预计逐渐降低。该范围内的主力制程 是 16nm（主要由台积电提供），14nm（主要由三星、英特尔和格芯提供），12nm（主要由台积电和格芯提供），以及 10nm（主要由台积电、三星提供）。芯片种类主要是逻辑芯片和 高性能的存储芯片。逻辑芯片主要以手机处理器，以及英特尔的 CPU 为代表，该部分市场 较为成熟。而采用 10nm -20nm 制程生产存储芯片的，主要是行业三强三星、SK 海力士和美光。20nm-40nm 制程的市占率一直都比较低，且将从 2019 年 12 月的 13.4%下降到 2024 年 12 月的 6.7%。20nm-40nm 中主要有 20nm，22nm，28nm 和 32nm，其中 28nm 具有最优性 价比，但随着先进制程的不断更新，逻辑芯片制程大都采用 20nm 以下制程，存储三巨头也 都在向 10nm+领域拓展，另外大量的模拟和功率芯片也不需要先进制程，这些使得原本处在 性价比最高的过渡制程节点区间内的 28nm 竞争力逐渐减弱，市场份额不断缩减。40nm 以上的成熟制程市场需求预计维持高景气，市占率预计维持稳定。诸多晶圆代工厂长 行业深度分析/电子元器件 本报告版权属于安信证券股份有限公司。 10 各项声明请参见报告尾页。 期专注于成熟工艺，而不向先进制程投入过多资本和精力，例如格芯和联电放弃最先进制程。 近几年在业内不断兴建 12 英寸晶圆厂的同时，8 英寸产能供不应求，因为先进制程所需的资 本额奇高，大部分用于新建的资本都投入到了 20nm 以下的先进制程（以 12 英寸晶圆为主）， 而 40nm 以上成熟工艺（以 8 英寸晶圆为主）在很大程度上被忽略，而这部分的市场需求和 市占率一直都很高。今后几年，成熟工艺芯片供不应求的局面大概率还会持续下去。1.3. 我国芯片设计行业增长迅速，高端芯片国产替代速度加快1.3.1. 我国芯片设计行业增长迅速，消费与通信是主要应用领域中国芯片设计市场规模迅速扩大，芯片设计企业数量不断攀升。根据中国集成电路设计年会， 2020 年国内芯片设计行业销售规模预计达到 3,814.9 亿元，比 2019 年的 3,084.9 亿元增长 了 23.8%，增速提升 4.1%。按照美元与人民币 1:6.8 的兑换率，全年销售额约为 561.7 亿美 元，在全球集成电路产品销售收入中占比接近 13%。产业集中度缓步提升。根据中国集成电路设计年会，2020 年国内芯片设计企业数量为 2,218 家，比 2019 年多 438 家，其中前十大设计企业销售之和为 1,868.9 亿元，占全行业规模的 48.9%。2020 年预计有 289 家半导体设计企业的销售超过 1 亿元，比 2019 年增长了 51 家。 这 289 家企业的销售总和达到了 3,050.4 亿元，达到了全行业的 79.9%，产业集中度正在缓步提升。通信与消费电子是中国半导体设计产业产品的主要应用领域。根据中国集成电路设计年会， 除了智能卡外，通信、计算机、多媒体、导航、模拟、功率和消费电子领域企业数量的都保 持上升。通信、消费电子、模拟领域内企业数量的增加最多。其中，通信芯片的销售提升了 46%，达到了 1,647.1 亿元；消费类电子的销售增长 10.3%，达 1,063.9 亿元；模拟电路的 销售提升了 24.8%，为 163.8 亿元。1.3.2. 高端芯片取得长足进，但 EDA 与 IP仍需时日高端芯片取得长足进步，国产替代未来可期。国产通用 CPU 尽管与世界最先进水平相比仍 有一些差距，但是已经从十年前的“基本不可用”转向如今的“完全可用”，应用也开始从 专用领域转向公开市场领域，走出了具有里程碑意义的重要一步。国产嵌入式 CPU 已经实现了与国外产品同台竞争，从之前的专用为主发展到今天的通用为主，年销售达到数亿颗。 在存储器领域，国内产品也实现了零的突破，三维闪存和动态随机存储器进入量产，技术接 近国际先进水平。国产 FPGA 芯片也全面进入通信和整机市场，在关键时刻起到了决定性的 支撑作用。未来，半导体国产替代将重点集中在 CPU/GPU/DRAM/射频/MCU 等中国厂商目 前市场份额较低的领域。1.3.3. EDA 软件与 IP 核领域被龙头企业垄断，国产替代仍需时日2019 年全球 EDA 市场规模为 105 亿美元，同比增速 8.25%，目前 EDA 市场被 Synopsys、 Cadence，Mentor Graphic 三家寡头垄断。国产 EDA 继模拟全流程设计工具进入市场参与 竞争后，在数字电路流程上也开始逐步形成一系列重要的单点工具，但短期内难以全面实现 国产替代。在 IP 核领域，ARM 发展势头迅猛，算力优势有望从终端向云端迁移。中国大陆 芯原股份近年来成长迅速，根据 Ipnest，芯原股份在 2019 年市场份额排名中排名第 7，占 比 1.8%，有望成为未来国产替代的领军企业。1.3.4. 重点关注韦尔股份“多摄+高像素”趋势不变，光学业务持久成长：“多摄+高像素”趋势不变，带动 CIS 芯片 行业长期向好。以华为 P40Pro+为例，配臵后臵五镜头，分别为 50M 主摄+40M 超广角镜头 +8M 长焦镜头+8M 潜望式超长焦镜头+ToF 镜头。短期内，智能手机的需求暂时受到疫情一 定程度的压制。但是随着线下渠道的复工，需求有望加快复苏，根据 Yole 最新报告，预计 0% 1% 2% 3% 4% 5% 6% 7% 8% 9% 10% 0 20 40 60 80 100 120 2015 2016 2017 2018 2019 2020E 全球EDA市场规模（亿美元，左轴） 增速（%，右轴） 32% 22% 10% 36% Synopsys Cadence Mentor Graphic 其他 行业深度分析/电子元器件 本报告版权属于安信证券股份有限公司。 13 各项声明请参见报告尾页。 2020 年 Q3 开始 CIS 市场反弹，预计季度市场规模达 57 亿美元，高于 2019Q3。长期来看， 5G 时代光学仍为终端核心亮点，尤其是带宽增加带来视频内容的增长，对光学需求不断提 升，公司为国内 CIS 龙头企业，光学业务具备持久成长性。兆易创新新一轮涨价周期开启，国内存储龙头有望受益：受供需关系反转影响，存储价格自 2019Q3 开始好转。2020 年疫情带动宅经济大好，网购、线上游戏、数据中心等逆势成长，带动三 大存储器需求，并持续涨价。根据 CINNOResearch，公司 2019Q3 在全球 NORFlash 产业 排名已上升至第三名，NANDFlash 排名也在快速推进中。38nmSLCNand 产品性能和可靠 性领先业界，目前已稳定量产，24nm 产品稳步推进中，不断完善中小容量 NANDFlash 产 品。作为国内存储龙头，公司有望受益于新一轮涨价周期。卓胜微抓紧 5G 机遇窗口，射频前端市场增长空间广阔。公司产品主要应用于智能手机射频前端领 域，随着 5G 通信支持频段数量的增多，单个移动终端射频前端器件的需求数量和价值量将 迎来双增长。公司提供的射频低噪声放大器、射频开关的各类型多种型号产品均可满足 5G 中的 sub-6GHz 频段应用需求；公司的射频天线调谐开关系列，全面覆盖 sub-6GHz 频段并 支持高性能天线调谐的各种功能；公司还布局了射频滤波器和射频前端模组。在研发方面， 公司完成了新一代锗硅工艺高性能 LNA 的技术开发，并推出多款基于锗硅工艺的高性能低 功耗 LNA 产品。我们认为公司将充分受益 5G 换机和国产化替代，迎来快速增长期。汇顶科技屏下指纹需求旺盛，光学技术持续突破和升级。目前屏下指纹识别在安卓旗舰机和高端机已 成标配，中低端市场也在加速渗透。IHSMarkit 预计 2019 年屏幕指纹出货量预计增长 6 倍达 到近 1.8 亿片。据 IDC 数据，2019 上半年中国智能手机屏下指纹渗透率为 24%，未来增长 空间巨大，同时由于量产能力提升和价格进一步下探，目前已在千元低端机中开启应用，因 而渗透进展有望进入加速度。在供给端，光学指纹方案相对成熟，生产成本低且量产能力大， 目前占屏下指纹市场 80%以上份额，被超声波和 TFT 光学大面积方案替代的可能性小。同 时光学指纹技术还在针对 LCD 手机屏和 5G 超薄手机进行方案升级，因而具有技术先发优势 的厂商仍具有率先量产收获新产品市场红利的空间。ToF 市场加速渗透，CIS 领域大有可为。ToF（TimeofFlight，飞时测距）是与结构光并行的 3D 摄像技术之一，目前应用场景为手机前臵摄像头人脸识别，未来有望在后臵摄像头、AR 和 VR 等领域获得更广泛应用，涉及工业、智能驾驶、物流、安防监控、机器人、医疗生物、 互动娱乐等各行各业。ToF 产业链主要包括发射端（3 颗红外激光二极管）、接收端（1 颗红 外图像传感器+红外滤光片+镜头）和算法芯片。从价值占比看，CIS 成本占比最高，超过 50% （根据 ittbak）。CIS 市场空间巨大且竞争格局高度集中。根据 YoleDevelopment，2017 年 全球 CIS 芯片产值 139 亿美金，同比增长 20%，2018~2023 年 5 年 CAGR 仍将保持在 9% 左右，预计 2023 年达到 214 亿美元。目前 CIS 行业格局集中，日本索尼、韩国三星和中国 豪威（韦尔收购）三家厂商占据行业第一梯队位臵，根据 Yole 数据 2017 年市占率合计达 73%。公司继屏下触控芯片、指纹识别芯片之后，凭借深厚的技术积累进军更广阔的 CIS 市 场，大有可为。紫光国微5G 启动规模化建设带来 FPGA 增量需求。（MRFRAnalysis 数据）在全球 FPGA 的下游应用 中，通信占据最大的细分市场，市场占比约可达 60%左右，4G/5G 基站、SDN/NFV、OTN、 xPON、CMTS、高端交换路等产品都需要应用 FPGA 芯片。目前，5G 规模化建设已启动，5G 基站中将大量使用 FPGA，中国市场需求量继续占据全球核心份额（30%以上，据 MRFRAnalysis 统计）。目前，紫光同创（联营企业，公司参股 36.5%）在可编程逻辑器件 （FPGA、CPLD 等）领域在国内处于龙头地位。2019 年，公司 FPGA/CPLD 芯片已实现批 量发货，全年销售额过亿。其中，Compact 系列 CPLD 得到产业化应用，Logos 系列 FPGA 典型产品已成功投片，下一代 FPGATitan3 系列高带宽、大容量、高性能 FPGA 产品的研发 快速推进。1.4. 设备厂商快速成长，受益于国产替代叠加行业景气1.4.1. 受益于晶圆厂支出加大，全球设备市场规模 2020 年有望达到 689 亿美元2020 年全球设备市场规模有望达到 689 亿美元。根据 SEMI 2020 年 12 月 2 日发布的全球半导体设备市场统计报告，2020Q3 全球半导体设备销售额同比增长 30%，环比增长 16%， 达到 194 亿美元。根据 SEMI 2020 年 12 月 15 日发布的年终总设备预测报告，预计 2020 年 OEM 半导体制造设备的全球销售额将比 2019 年的 596 亿美元增长 16%，达到 689 亿美 元新高，预计 2021、2022 年分别将达到 719 亿美元、761 亿美元。北美半导体设备出货额处于持续上行空间。受全球半导体行业景气度不高影响，2018H2 至 2019H2 北美半导体设备出货额持续下跌，于 2019 年 Q3 迎来拐点，2020 年年初供应链受 疫情影响有所下跌，自 4 月份以来设备出货额持续处于上行空间。半导体设备对整个半导体行业有着放大和支撑作用，其确立了整个半导体产业可达到的硬性 尺寸标准边际值，是半导体制造的基石。半导体设备按照工艺流程可分为前道晶圆制造设备 以及后道封装、测试设备，前者又可细分为光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备、 离子注入设备、抛光设备、量测设备及氧化扩散设备。根据 Gartner 数据，前道晶圆制造设 备约占整体市场的 85%，细分设备中光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备价值量占比均在 20-25% 之间，量测设备占比 9-10%，清洗设备占比约为 5%，抛光设备、离子注入设备、扩散设备 占比在 3-5%左右。后道封装测试设备约占 15%的市场份额，其中封装设备约占 6%，测试 设备约占 9%。根据 SEMI，前道和后道半导体设备领域都有望为设备行业规模增长提供动力。（1）晶圆厂 设备（晶圆加工、工厂设施和掩模/掩模版设备）预计 2020 年将增长 15%，达到 594 亿美元， 2021、2022 年预计分别增长 4%和 6%（根据 SEMI）。同时 SEMI 预计晶圆代工和逻辑业务 约占晶圆厂设备销售总额的一半，由于先进技术的投资，2020 年的支出将增长 15%左右， 达到 300 亿美元。NAND 闪存制造设备的支出 2020 年将猛增 30%，超过 140 亿美元，而 DRAM 有望在 2021 年和 2022 年引领增长。（2）预计到 2020 年，封装设备市场将增长 20%， 达到 35 亿美元，在先进封装应用的推动下，到 2021 年和 2022 年分别增长 8%和 5%。半 导体测试设备市场预计将在 2020 年增长 20%，达到 60 亿美元，并随着对 5G 和高性能计算 （HPC）应用的需求在 2021 年和 2022 年继续增长。中国半导体高景气下，晶圆、封测厂持续扩产驱动，中国大陆或成为全球最大半导体设备市场。中国大陆半导体设备近几年增速明显，2018 年首度跃升成为全球第二大半导体设备市 场。2021、2022 年，韩国受益于存储器恢复和逻辑投资增加的背景下，在半导体设备投资 方面领先于世界。在先进晶圆代工投资的推动下，中国台湾地区的设备支出将保持强劲。1.4.2. 国产设备替代有望加速，看好前道制程设备龙头与后道率先替代目前国产替代水平仍然较低，在细分类别上，国产替代集中在设备中价值相对较低的部分， 清洗设备、检测设备等已开始先行，光刻、刻蚀、薄膜沉积等领域仍待突破。长远来看，随 着国产设备企业技术水平提升，以及下游半导体行业投产加速和国家大基金等资金方支持， 国产设备的认可度有望提高，目前已有多项设备进入下游客户验证，国产替代加速进行中。中国半导体自给率偏低，供需缺口巨大，国产替代迫在眉睫。中国是集成电路需求大国，但 长期以来倚靠进口满足国内需求，贸易逆差大。据 IC Insights，中国 2019 年集成电路供给 率仅为 15.7%，到 2024 年供给率 20.7%，与中国半导体市场的强大影响力不一致。美国在 贸易战中对中国龙头半导体企业实施的制裁使中国各界产生了危机感，国产替代势在必行。下游存储器、代工厂投产加速，推动国内半导体设备公司发展。根据芯思想研究院统计：存 储器方面，以长江存储和合肥长鑫两大项目为例，其中：（1）长江存储一期 2019 年底月产 能达 2 万片，计划 2020 年月产能扩充至 5-7 万片左右，到 2021-22 年可能达到计划月产能 10 万片；二期工程已于 2020 年 6 月开工，规划月产能 20 万片；（2）合肥长鑫 2019 年底 月产能达 2 万片，计划 2020 年底月产能扩充至 4 万片，到 2023 年时达到计划月产能 12 万 片。除此以外，紫光集团在南京、成都及重庆等地还有项目布局，目前处于规划/在建阶段。 根据芯思想，代工厂方面，以中芯国际和华宏为例，其中：（1）中芯宁波 N1 项目、中芯天 津以及中芯深圳 Fab6 厂都在产能爬坡阶段。而据中芯国际的规划，预计 2020 年全年资本 开支达到 306.8 亿元，较 2019 年 148.0 亿元同比提升 115%。（2）华虹旗下上海 HH Fab6 厂及无锡 Fab7 厂处于产能爬坡阶段，未来有扩大无锡产能的规划。前道制程设备：国产化率提升同时打入国际大厂产线。产业内投资扩张和大基金二期入局， 下游半导体行业投产加速，包括中芯国际、长江存储等多家晶圆代工、存储器生产企业旗下 晶圆厂处于产能爬坡及规划、在建过程中，持续释放半导体设备需求。中微公司、北方华创、 盛美半导体、芯源微等国内设备厂商龙头在新增产线建设过程中正快速提升份额。另外国内 设备龙头也已打入国际大厂产线，例如中微公司的 7nm 刻蚀机已被纳入台积电设备采购名 单，5nm 刻蚀机已通过台积电验证；盛美半导体清洗设备已进入海力士并获得重复订单。重 点关注前道设备龙头【北方华创】，建议关注【中微公司】。后道测试设备：低端走向高端，国产替代正当时。根据 SEMI，半导体后道测试设备 2020 年市场规模预计增长 20%，达到 60%亿美金，其中测试机占比较高约 65%，；另外，分选机 约占 18%，探针台约占 17%。测试机所需技术难度较大，泰瑞达与爱德万是测试机的双寡 头，根据 SEMI，2018 年合计市占率约为 82.1%；分选机方面国产率较高，以长川科技为代 表的国内厂家在重力分选机与平移式分选机市场已拥有较高的市占率；探针台国产化率也较 低，市场主要以东京精密、东京电子等海外玩家为主。测试设备与制程的直接相关度较低， 迭代速度较慢，生命周期较长，为国产测试机研发带来时间窗口。国内厂商已在低端测试设 备中形成了规模替代，正逐步向高端设备突破，而光刻机等前道设备，仍处于从 0 到 1 的过 程中。建议关注后道测试龙头【长川科技/华峰测控】。1.5. 新能源需求驱动，功率半导体产业方兴未艾近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电 网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。根据 IHS Markit 预测，全球功率半 导体市场规模将从 2018 年的 391 亿美元增长至 2021 年的 441 亿美元，年化增速为 4.1%。 另据 IHS Markit，中国是全球最大的功率半导体消费国，2018 年市场需求规模达到 138 亿 美元，增速为 9.5%，占全球需求比例高达 35%。预计未来中国功率半导体将继续保持较高 速度增长，2021 年市场规模有望达到 159 亿美元，年化增速达 4.8%，高于全球平均增速。1.5.1. 汽车电子是功率半导体最大下游市场，新能源车持续驱动 汽车电子是功率半导体最大的下游市场。根据智研咨询，汽车电子在 2019 年全球功率半导 体市场占比 35.4%；其次是工业控制，占比 26.8%；消费电子排名第三，占比 13.2%。新能源汽车还具有与其他应用领域如新能源发电以及工业领域强协同的属性。新能源汽车对 充电桩的需求在一定程度上驱动新能源领域包括固定式电池储能、充电基础设施等的发展。 此外，其对自动驾驶、物联网等的需求也为工业控制领域带来新的机会。中国新能源汽车将在未来五年迎来强劲增长，纯电动汽车占比进一步提升。据 IDC，中国新 能源汽车市场将在未来五年迎来强劲增长，将从 2020 年的 116 万辆，以 36.1%的 CAGR 增 长至 2025 年 542 万辆。纯电动汽车（BEV）占比也将进一步提升，由 2020 年的 80.3%增 长至 2025 年的 90.9%。新能源汽车将成为硅基器件 MOSFET 和 IGBT 以及 SiC 器件市场的 最大驱动力。随着电动化程度提升，单台新能源汽车所需功率半导体规模增长。据英飞凌，2020 年，单台MHEV（轻度混合动力汽车）平均需要价值 572 美元的半导体组件，其中功率半导体占 90 美元；FHEV（全混合动力汽车）、PHEV（插电式混合动力汽车）以及 BEV（纯全电池 电动汽车）平均单台需要价值 834 美元的半导体组件，其中功率半导体占 330 美元，较轻度 混合动力汽车提升 240 美元。1.5.2. 下游需求多点开花，工控、发电、消费齐发力工业控制：市场稳定增长，数据中心推动 UPS 发展根据前瞻产业研究院，工业控制领域是功率器件下游占比最大的应用领域，全球占比约为 23%。据安森美，预计 2020 年工业功率半导体市场规模将达 125 亿美元，多年来增速比较 稳定，维持在 9%左右。其中，IGBT 模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业 的核心元器件，在工业控制领域中得到广泛应用。随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖， 预计 IGBT 模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。 数据中心推动传统与 SiC UPS 市场蓬勃发展。数据中心的基础设施需要以低成本实现高效 与可靠的电力，这将大幅提振 UPS 市场。赛迪顾问数据显示，2019 年中国数据中心约有 7.4 万个，约占世界数据中心总量的 23%，规划在建数据中心 320 个，各地区 2019 年同比平均 增长 30.51%。IGBT 是变频器的核心器件。由于工厂对于电动机调速的需要，变频器应运而生，能有效节能。IGBT 是变频器的核心器件，作用是将直流变为交流供电机使用。据前瞻产业研究院， 至 2025 年，我国变频器市场规模可达 883 亿元。新能源发电：加速渗透，功率半导体使用量大幅提升风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器对功率半导体，尤其是 IGBT 有较大需求。目前风力与太阳能发电占比仍然较小，但上升趋势快，未来空间大，预计对传统发电的替代率将继 续上升，助力未来市场增长。根据中国产业信息研究院推断，预计到 2020 年全球光伏与风 电市场将带动功率模块市场达到 27.54 亿美元。其中 IGBT 模块市场占比高达到 74%，约为 20 亿美元。消费电子：变频家电与手机快充成为新增长点随着节能高效政策的持续推进，家电变频化已然成为一种趋势。变频家电的压缩机不会频繁 开关，整体节能达到 20%-30%的效果，同时也起到降低噪声的作用。此外，变频家电的压 缩机还能实现精准控温，保证温度的均衡性。因此，变频家电渗透率将持续提升，据产业在 线，到 2022 年有望达到 65%。另据英飞凌测算，单台变频家电的功率半导体价值从传统定 频家电的 0.8 美元成长为 11.3 美元。产业在线测算全球家电功率半导体规模有望从 2017 年 的 31.4 亿美元以近 17%的年复合增长率上升至 2022 年的 68.6 亿美元。手机快充提振氮化镓功率半导体需求。随着电子产品的复杂性不断提升，充电器的功率也随 之增大。传统的功率开关满足市场对大功率快充的需求。氮化镓较传统硅材料具有高电子迁 移率，可以实现更高速地开关，应用于充电器时还能有效缩小产品尺寸。国内手机大厂 OPPO、 小米、华为相继发布氮化镓快充，充电器配件厂商试水氮化镓的行动甚至要更早些。根据 CES2020 数据显示，已经有 30 家充电头厂商推出了 66 款氮化镓快充产品。根据 BBC Research 的数据，全球手机充电器市场规模将从 2017 年的 181 亿美元增长至 2022 年的 250 亿美元，其中快充占 27.43 亿美元，占比 10.97%。疫情对居家电子产品的需求强劲（1）一方面，大尺寸显示驱动 IC 使用八英寸晶圆 0.11-0.16 微米制程，主要涵盖电视及笔 记本电脑显示屏。尽管电视显示屏需求受新冠疫情影响在 2020 年 Q2 呈下降趋势，整体显 示领域的需求还是受疫情期间居家电子产品强劲需求影响下维持高位。因此，八英寸的存量 需求并未缩减。（2）另一方面，其他应用领域正抢占八英寸晶圆的供应份额。随着 5G 与物联网的迅猛发展， 电源管理芯片、屏下指纹芯片以及 CMOS 图像传感器芯片需求不断成长。电源管理芯片在 5G 智能手机的使用量较 4G 手机多出 2.5-3 倍，智能手机也有多摄趋势，拉动 CMOS 图像 传感器芯片需求。与此同时，智能手机显示屏中对 AMOLED 的需求增加促使屏下指纹感应 芯片的需求也随之增长。目前，大部分功率器件及功率 IC 已从六英寸转向八英寸晶圆，势 必会受八英寸晶圆产能紧缺影响。1.5.3. 八英寸晶圆持续吃紧，抬高功率半导体价格在从六英寸转向八英寸过程中，部分 IDM 的主要产能专注于十二英寸线，没有额外增添八英 寸线，这样就不得不将八英寸产品外包。因此，大部分 IDM 扩产幅度比需求增长幅度低，外 包的比例会越来越高，这样就加剧了代工厂订单供不应求的局面。目前八英寸厂产能利用率均在 90%以上水准，部分产线甚至破百。在需求不断攀升，供应紧张的情况下，八英寸晶圆 产能之短缺难以避免，或将成为常态。目前联华电子、世界先进已证实八英寸晶圆涨价消息。 与此同时，封测厂也协同调涨。2020 年 11 月，封测龙头日月光通知客户将调涨 2021Q1 封 测平均接单价格 5-10%。功率半导体受半导体产业链条向上传导影响，有望随下游晶圆代工1.5.4. 重点关注斯达半导IGBT 交货周 期持续 延 长 ， 新 基 建 加 码 助 力 公司持续 前 行 。 目 前 据 富 昌 电 子 （FutureElectronicsLTD）统计显示，2020 年上半年受疫情影响，IGBT 交货周期延续 2019 四季度延长趋势至 20-26 周，且在未来一段时间有继续延长的趋势。我们认为这一趋势将有 利于国产替代的加速，公司的市场占有率将会继续提升。根据 IHSMarkit 数据，2019 年，公司IGBT 市场占有率达到 2.2%，排名攀升至第八位。受益于新能源汽车、光伏等新基建的加 码和工业领域的需求增加，根据集邦咨询数据，到 2025 年，国内 IGBT 市场规模将达到 522 亿人民币，CAGR 达 19.11%。在新能源行业方面，2019 年公司实现营业收入 1.65 亿元， 同比增长 33.34%。公司汽车级 IGBT 模块 2019 年配套了超过 20 家终端汽车品牌，合计配 套超过 16 万辆新能源汽车，未来品牌汽车终端将持续放量；产品器件涉及车用空调，充电 桩，电子助力转向等新能源汽车半导体，有望受益新能源汽车的发展和新基建的推进。上调价格。2. 显示技术：LCD 景气度维持，Mini LED 商业化落地2.1. 供求关系平衡修复，LCD 面板有望持续景气2.1.1. 供给端：韩厂大规模退出，国内厂商迎来新机遇韩国两大面板厂商关闭大批 LCD 产线。受到 2019 年液晶价格面板大幅下降的影响，韩国两 大面板厂商 LGD、三星业绩下滑，开始逐步退出 LCD 业务。LGD 在韩国有 P7、P8、P9 三 条 LCD 产线，此次退出的主要是 P7 和 P8 产线，设计月产能分别为 230K 和 240K，2020 年 Q1 已经降至 140K 和 100K。三星此次退出产线主要 L7-2、L8-1、L8-2 产线，设计月产 能分别为 160K、150K、200K，2020 年 Q1 产能已降至 160K、55K、55K，预计 2020 年 底 L8-1 和 L8-2 产线完全停产，L7-2 产线则将在 2021 年底前停掉大部分电视面板产线。根 据 Omdia 测算，此次韩国厂商的产能合计退出的产能约占全球面板总产能的 17%。虽然近 期 LG 和三星 LCD 韩国工厂退出时间减缓，但是本身产线落后，随着 10 代级以上的世代产 线的投入，少量的 8 代线稼动率已经不高，三四季度面板价格依然保持坚挺。中国大陆面板厂商的 LCD 扩产计划部分弥补了韩国厂商退出的产能。国内厂商的新增 LCD 产线集中在高世代线。京东方的 B17 产线已投产，预计 2021 年 Q1 产能将达到 120K。2021 年的新增产能主要来自于华星光电的 T7 产线与惠科的滁州 H2 与绵阳 H4 产线，三条产线 总产能有望达到 200K 以上。目前，国产厂商的 LCD 扩产计划已经接近尾声，新增产能能够 部分替代韩国厂商退关停的产线。中国大陆的 LCD 产能未来将独占鳌头。随着韩国厂商退出与大陆厂商的产能扩张，全球液 晶面板竞争格局将发生重要变化。DSCC 预测韩国液晶面板的份额会在未来持续下跌，2023 年后维持在 8%，而中国大陆的 LCD 产能份额将在 2023-2025 年达到 64%的高占比。此外， 在大尺寸液晶面板方面，根据群智咨询与中国产业信息网数据显示，大陆厂商的市占率有望 在 2021 年提升至 75%，在液晶面板领域处于领先地位。2.1.2. 需求端：TV 大尺寸面板需求增长带动整体面板市场回暖在 LCD 下游需求结构中，根据未来智库电视面板的占比最高，达到了 81%。因此，电视面 板市场规模的扩大对 LCD 市场需求起着至关重要的拉动作用。LCD 电视面板趋于大尺寸化，将带动行业市场需求发展。在疫情开始前，IHS 预计 2020 年 平面显示器的需求将大幅度增长，这其中主要的动力来源于东京奥运。日本 NHK 计划用 8K 超高解析度播放，预计大尺寸电视面板需求攀升，LCD 电视的加权平均尺寸将从 2019 年的 45-46 寸左右上升到 47 寸。同时随着 10.5 产线产量逐渐释放，良率逐渐提高，未来大尺寸 电视面板需求前景乐观。虽然受到疫情影响，以中美为主市场的 LCD 电视市场规模受到了 一定影响，但是根据目前电视销量来看，电视市场未来有望稳定增长。根据群智咨询数据显 示，2020 年 Q3 全球 LCD TV 面板数量基准的供需比 3.2%，整体供应短缺，其中 32"~65" 主力尺寸供应均趋于紧张。此外，TrendForce 表示第三季面板报价出现近年罕见的涨幅，其 中电视面板价格平均涨幅更达 30%以上。预计第四季全球电视面板供给量将比第三季减少 3.8%第四季大尺寸面板供过于求比例仅有 0.2%，代表部分应用供不应求的情况仍将延续， 预估面板价格仍有 10%的上涨空间。2.2. OLED 中小尺寸渗透率不断提升2.2.1. 智能手机、可穿戴设备等中小尺寸终端持续渗透中小尺寸面板是OLED市场规模扩大的主导力量。根据市场调研机构 Omdia 公布的数据显示，2019 年中国中小尺寸 OLED 面板出货量达到 1.05 亿片，较 2018 年的 3,200 万片提高 了 228%；其全球市场份额已超过 28%，而这一数字在 2017 年几乎为零。智能手机轻薄化和大屏化带动 OLED 手机面板市场发展。目前，智能手机屏向着更轻薄、更 清晰的方向不断更新，OLED 显示屏是较好的选择。根据 Dscc 数据显示，2020 年 OLED 智 能手机面板渗透率有望达到了 43%，未来将稳定上升，逐渐替代部分 LCD 面板的手机。其 中柔性 OLED 和可折叠 OLED 未来增长幅度较大。可折叠的手机形态也为 OLED 未来出货 量提供了支持，为智能手机厂商创造了新的发展方向。根据 IHS 和 Digitimes 的数据可得出， 2019 年可折叠手机渗透率约为 0.1%，2020 年有望提升至 0.7%，超过 1000 万台。将来工 艺成熟后，可折叠手机将会是手机发展方向全新的突破。可穿戴设备是 OLED 中小面板出货量的新增长点。可穿戴设备需要具备弯折功能，并追求屏 幕部分区域常亮，OLED 以其柔性和低功耗的特点成为最佳选择，根据中国产业信息网，2020 年全球市场规模有望达到 10 亿美元左右，2016-2020 年复合增长率达到 71%。根据 Statista 与 DSCC 数据显示，预计到 2020 年，AR/VR 头显与智能手表出货量将分别达到 1480 万台 与 8000 万台，到 2022 年将分别突破 4000 万台与 1 亿台。2.2.1. OLED 大尺寸面板短期内难以替代LCD面板OLED 蓝光衰减成为大尺寸推广的致命伤。根据奥韦睿若与前瞻产业研究院的数据显示，目前，OLED 电视出货量较少，2019 年渗透率仅为 1.4%。电视与智能手机代表的中小屏幕产 品的换机周期不同，应用场景也有很大的差异。这意味着面对电视市场，OLED 面板必须寿 命更长、稳定性更强、亮度更高才能赢得消费者的青睐。而目前市场上的 OLED 电视由于蓝 光衰减问题寿命普遍低于 LCD 电视，再加上成本较高、良品率较低等问题，短期内难以替 代 LCD 面板，其蓝光较少的特性更适合有适龄儿童或者注重健康的家庭。2.3. 在曲折中成长，Mini LED 即将迎来光明Mini LED 是指晶粒尺寸约在 50-200μm 的 LED。其晶粒尺寸和点间距介于传统小间距 LED 和 Micro LED 之间。Mini LED 作为 Micro LED 的前哨站，在 Micro LED 之后被提出。由于 Micro LED 存在微缩制程、巨量转移及全彩化等关键技术瓶颈以及高成本问题，故先发展晶 粒尺寸更大、仍可使用传统制程技术、技术实现难度更低的 Mini LED 作为过渡。结合倒装 COB 或 IMD 技术，Mini LED 可实现 1mm 以下点间距显示，像素密度高于小间距 LED 且可 实现低亮度下高灰度显示。同时，Mini LED 作为背光源应用于液晶显示屏，可通过区域调光 提高对比度，实现 HDR 等精细化显示效果。能够让 LCD 面对 OLED 挑战时能够在显示性能 方面恢复竞争力，加上成熟的工艺和更长的寿命，LCD + Mini LED 背光在近几年中大尺寸 显示领域有非常巨大的发展空间。Mini LED 有望助推 LED 背光市场回暖。LED 背光源应用是 LED 下游市场重要组成部分， 过去曾是 LED 行业高速发展的主要推动力，具体主要包括手机背光、液晶电视背光、笔电 背光、显示器背光等。2010-2013 年，在海兹定律驱动下，LED 亮度提升、价格下降，LED 背光渗透率迅速提升，市场规模扩大。2013 年 LED 背光市场出现顶峰，达到 50 亿美元左 右市场规模。2013 年后 LED 背光出现饱和，且由于产能周期导致低价化严重，市场规模大 幅下滑。加之 OLED 以及小间距 LED 对 LED 背光产生替代效应，LED 背光市场逐步萎缩。 但 2018 年下半年，随着 Mini LED 背光领域商业化进程加速，LED 背光市场规模触底反弹。LCD + Mini LED 背光有望成为未来家庭电视的主流产品技术路线。传统 LED 背光液晶层无 法完全关合，暗态下白光背光难以被完全遮挡，呈现灰色，因此对比度较低。而 Mini LED 精准调控电流实现更为精细化的区域调光：亮态画面可实现 1000nits 超高亮度，比平常亮度 提高数倍，暗态画面下亮度接近于 0，对比度相对更高，发光效率提升且暗态下不发光进而 降低能耗。对比 OLED，Mini LED 背光在实现高分辨率、高对比度及 HDR、搭配柔性基板 可实现高曲面背光等优秀显示性能基础上，由于采用无机材料，与 OLED 相比具有更长寿命、 更高可靠性及环境适应性，且无“烧屏”现象。据中关村在线，采用 Mini LED 直下式背光 的电视成本将低于 OLED 20～30%。Mini LED 将延伸小间距 LED 的产业趋势，继续蚕食 LCD 拼接屏的市场。室内显示市场主 要由 LCD 拼接墙、DLP 以及小间距 LED 技术等占据。小间距 LED 主要应用于在 100 英寸以上的大尺寸室内专业显示领域，凭借无拼缝、更高均匀一致性、更高灰度、更长寿命等优 势在室内专业显示市场快速渗透。目前，小间距 LED 在分辨率方面仍然有所不足，P2.5-P1.0 产品像素密度介于 10-25 之间，人眼可极限分辨距离为 3.4-8.5 米。Mini LED 较小间距 LED 实现更小间距，像素密度进一步提高，是对小间距 LED 的承接与发展，能够进一步拉近可 视距离，提高画面显示效果，尤其在 3-5 米观看距离范围内更具竞争力。但随着 Mini LED 点间距微缩化，灯珠用量成倍增长，Mini LED 显示屏成本较小间距 LED 大幅提高，因此 Mini LED 显示屏预计主要集中于专业显示市场及电影屏等高端商用显示应用。受制于技术和成本， LCD 电视很难做到 100 寸以上的规格，而 LED 可以很好解决这个痛点。未来，100 寸或将 成为临界点，100 寸以下的部分使用 LCD 智能交互平板，100 寸以上的采用 Mini LED 直接 显示有可能会成为主流方案。2.4. 重点关注京东方 A完成首次股权激励计划，京东方持续扩充产能。2020 年 12 月 21 日，京东方发布公告，完 成 2020 年股票期权与限制性股票激励计划的首次授予登记工作，本次实际向 1988 名激励 对象首次授予股票期权 5.96 亿股，向 793 名激励对象授予限制性股票 3.22 亿股。首次授予 股票期权的行权价格为 5.43 元/股，授予限制性股票的授予价格为 2.72 元/股。据 Omdia 数 据显示，2020 年 7 月，公司大尺寸 LCD 面板出货面积以 20.4%的市占率在全球市场位居第 一，在细分领域电视、显示器及笔电亦夺冠。目前，京东方正持续扩充面板产能，于 2020 年 9 月收购中电熊猫产线南京 8.5 代线，将进一步增强公司规模优势。收购成功后，京东方 将在目前基础上再增加 2 条量产的大尺寸产线。根据 DSCC 的预测，公司显示面板产能将以 6%的 CAGR 从 2019 年的 17.5%份额上扬至 2025 年的 21.4%，市占超过韩系厂商夺冠。鸿利智汇封装业务稳定增长，部分业务拖累主业。LED 产业转移及照明产品替代趋稳，LED 封装产业 趋于平稳增长态势。受到疫情的影响，之前并购的部分业务亏损 2020 年拖累了公司的业绩。 根据公司三季报公告正文，2019年度公司计提商誉减值及投资损失导致2019年度出现亏损， 年初至下一报告期末公司预计无需计提商誉减值。2020 年初至下一报告期末，子公司东莞 市金材五金有限公司、丹阳谊善车灯设备制造有限公司预计亏损，影响公司整体利润。我们 随着疫情影响的逐渐减弱和经济的逐渐复苏，传统主业有望迎来收入和利润的修复。 MiniLED 显示项目一期投产，有望成为新增长点。MiniLED 背光+高像素面板未来有望成为 电视显示领域的主力产品。大尺寸显示的使用周期比较长，对于寿命有更高的要求。OLED 用在手机上有轻薄的便利，但用在电视上会有寿命问题，蓝光衰减问题尚未解决，短时间内， 大尺寸领域，OLED 还是无法真正取代 LCD 的市场。公司在 MiniLED 已实现了产品技术的 领先布局。根据公司公众号 2020 年 12 月 1 日发布的内容，公司 Mini/MicroLED 半导体显示 项目一期投产仪式在公司广州总部园区举行，一期项目计划投入 50 条生产线，达产后每月可产出 2 万台 75 寸电视背光，P0.9RGB 直显产品产能每月可达 1000 平方米。3. 消费电子增长动能持续，AR/VR、可穿戴成为 AIOT 新的流量入口3.1. 5G 商用正式开启，VR 迎来行业拐点的重要时刻全球 5G 网络步入商用，制约 VR 推广的带宽和时延问题得到解决；行业巨头（Oculus 和 HTC 等）不断推出新品，在重量、厚度和便携度等方面加速产品迭代。增强型移动宽带是从 4G 延续至 5G 的关键应用场景，催生流量的两大核心要素在于爆款终端和应用。4G 时代智 能手机和视频、游戏、直播等应用成为激发流量增长的重要驱动力，5G 时代流量的持续大 幅增长将依赖新的终端和应用。我们认为 AR/VR 会成为新的 AIOT 的流量出入口。3.1.1. 视频和游戏，5G VR 消费级市场的两大支柱VR 起源于上世纪，最早用于军用仿真器的研发，于本世纪初拓展到民用的游戏场景，此后 又延伸到视频、社交和教学等领域。2016 年是 VR 元年，一方面公司数量猛增 40%以上（硅 谷风投基金 The Venture Reality Fund 报告称），另一方面，VR 游戏数量大幅增加，Steam 游戏平台上超过 4000 个。IDC 预测 2020 年上半年的受疫情影响 AR/VR 设备出货量下滑，但下半年将有反弹，全年总 出货量预计接近 710 万台，比 2019 年增长 23.6％。2024 年出货量将增长到 7670 万台，复 合年增长率（CAGR）为 81.5％。IDC 预计全球在 AR/VR 方面的支出将从 2020 的 120 亿美元增长到 2024 年的 728 亿美元。五年复合年增长率（CAGR）为 54.0%。预计 2024 年将获得最大投资的应用领域包括培训 （41 亿美元），工业维护（41 亿美元）和零售展示（27 亿美元）。相比之下，预计到 2024年，AR/VR 的三个消费者使用案例（VR 游戏，VR 视频/功能观看和 AR 游戏）的总支出将 达到 176 亿美元。IDC 预测，到 2024 年，主机设备和显示将占 AR/VR 总支出的三分之二，随着软件和服务的 发展势头，份额将下降。软件将占所有支出的近四分之一，而咨询服务和系统集成服务将实 现强劲增长，五年复合年增长率分别为 77.3％和 90.7％。分区域看，中国预测总支出最大，尽管其在全球支出中所占的份额将从 2020 年的 50％以上 下降到 2024 年的 36％以上。美国将排在第二位最大的支出地区，由于 75.1％的复合年增长 率，到预测年底将接近中国。西欧也将以 72.8％的复合年增长率增长。随着 5G 商用的到来，VR 视频和游戏将走向成熟，VR 头显出货量有望迅速迎来拐点。华为 研究显示，极致的 VR 视频体验需要网络带宽达到 1Gbps，网络时延小于 10ms，否则将强 烈眩晕感。据 ITU 数据，5G 网络峰值数据传输速率可达 20Gbps，延时不超过 1ms。随着 5G 商用的落地，5G 云化虚拟现实技术有望在 2~5 年内成熟，届时可实现 VR 内容上 云、渲染上云、制作上云，即使用云端 GPU 进行计算，VR 游戏的渲染在云端完成。根据《5G 云化虚拟现实白皮书》，通过采用 5G+GPU 云端集群的方式，可将 MTP（Media Transfer Protocol，媒体传输协议，允许用户在移动设备上线性访问媒体文件）控制在 10ms 之内； 渲染能力提升至 8K 分辨率、120fps 效果；进一步改善近眼显示效果，支持广视场角显示（FOV 140°及以上）、高刷新率显示（120Hz 及以上）、高分辨率显示（30PPD 及以上。3.1.2. 工业、培训和医疗，5G VR 企业级应用多点开花VR 技术的引入可以促进工程、教育、培训、医疗等行业效率的大幅提升。（1）培训：法国 Colas（世界最大的公路承包商）购入 HTC Vive 设备对员工进行安全培训；奔驰将 HoloLens 用于汽车修理和产品知识培训。（2）医疗：VR 医疗的应用主要集中在教育培训、个性化健 身、心理障碍、康复训练、视力障碍、临床辅助等六大方面。目前，VR 辅助手术治疗已经 在临床上收获成功。三星、微软和戴尔等巨头也都纷纷布局。根据 Greenlight Insight 估算，到 2021 年，企业级内容在 VR 市场的占比有望从 2016 年的 0.1%提升至 11%。内容的丰富有望驱动设备需求量的提升。我们看好多点开花的企业级应用市场。我们认为，VR 自 2016 年开启发展元年至今，行业生态尚未成熟，格局远未落定，在智慧互 联背景下，具备多元化消费终端的厂商或将构筑差异化优势。目前，前三大 VR 主流品牌商， 除索尼在游戏机市场占主要份额外，Oculus 和 HTC 均主攻 VR/AR/MR 设备。相较之下，从 打造智慧互联场景的角度考虑，具有多元化终端的厂商或将更具市场优势。按照硬件形态划分，VR 头显有无屏、分体机和一体机 3 种类型。无屏头显又称“VR 眼镜盒 子”，放入手机即可使用；分体机头显，需外接手机、电脑和游戏机等设备进行使用；一体 机头显，具有独立 CPU，可摆脱外臵设备独立使用。三类 VR 头显的共同点是均可观看 VR 视频、参与 VR 游戏，差别则在于内容丰富程度和交互手段等。按照内容丰富度和产品交互 性，三大头显由优到劣的排序依次为一体机、分体机和移动端头显。从发展趋势看，无屏头 显凭借价格优势将只作为过渡型产品，分体机和一体机将成为未来细分场景下的主流。当前， 由于一体机的重量普遍较高，在 400g 以上，严重影响佩戴舒适度，而分体机重量最低不超 过 200g，短期内受限于产品技术和集成度，分体机更有望成为市场主流，在 5G 商用初期打 造行业爆款。据艾瑞咨询调查显示，VR 视频和游戏是目前需求最旺盛的两大领域，消费者对其期待指数 分别高达 51%和 41%。其中，VR 视频的受欢迎程度最高。据高盛预测，到 2025 年，VR 视频全球用户数将达到 1.74 亿，其中时间直播 9500 万，视频娱乐 7900 万。Oculus 和 HTC合计占据 Steam 游戏平台 90%以上份额（根据 Valve 发布的 Steam 硬件和软件调查报告）。3.1.3. 产业链参与者众多，核心元器件龙头效应显著VR 产业链中的参与者和厂商主要可分为三类：硬件制造商、软件服务商（系统开发和平台 搭建）和内容提供商，其中硬件制造商和内容提供商数量最多。硬件制造商，既包括 VR 头 显终端生产商，还包括上游核心器件（传感器、光学、显示屏和芯片等）供应商。传感器：进口依赖度大，国内厂商有布局VR 设备中的传感器主要有惯性传感器、动作捕捉传感器和其它类型传感器。惯性传感器包 括加速度传感器、陀螺仪和地磁传感器，主要用于捕捉头部运动，目前 VR 设备中常采用的 九轴传感器即为惯性传感器。动作捕捉传感器目前的方案有红外摄像头和红外感应传感器等， 主要实现动作捕捉，特别是身体的移动。其他类型传感器包括佩戴检测用的接近传感器、触 控板用的电容感应传感器和用于眼球追踪的红外摄像头等。目前，VR 传感器行业的国际巨头有微软 Invensense、Kinect、三星、索尼、苹果、和硕等， 国内参与公司有豪威科技（被韦尔股份收购）、歌尔股份等。由于交互性是 VR 的关键属性之 一，VR 头显设备内臵传感器的精度、灵敏度要求一般都高于智能手机，目前，即使是国产 VR 头显设备，其传感器零件也基本依赖进口。歌尔股份在 2016 年独家代工索尼的 PS VR 和 Oculus 的 VR 头显产品，出货量占全球 PC 端 VR 产品的 70%。近年来公司也积极开展 VR 相关的传感器、声学设备、光学设备等零部 件和关键技术的研发。公司在 2018 年于青岛建设传感器、智能传感器等产品的生产线，有 望实现 VR 传感器的量产。AMOLED 显示屏：三星稳居龙头，国产替代空间巨大 AMOLED（AcTIve Matrix/Organic Light EmitTIng Diode）即主动矩阵有机发光二极管，是 VR 头显中的关键元器件，目前主流 VR 头显大多采用 AMOLED 屏幕。AMOLED 屏幕具有 自发光性、广视角、高对比、反应速度快等优点，相比 OLED，AMOLED 具有更高的刷新 率，耗能也更低。业界认为，VR 头显的头动响应回时须低于 20ms，否则将产生强烈眩晕感。 以 Oculus 产品为例，总延时为 19.3ms，其中占比最高的是显示延时，达 13.3ms。AMOLED 屏幕是降低延时的关键元器件之一，它的刷新率可达 90Hz 以上，响应时间仅为 LCD 的千分 之一，且 AMOLED 屏幕中每个 LED 部件都是主动发光的，可显著减少余晖，进一步降低眩 晕感。CPU 芯片：高通稳坐头把交椅，国产替代未来可期三种类型的 VR 头显中只有一体机头显有独立的 CPU 芯片，参与者主要有英特尔、三星、 高通、NVIDIA 等国际巨头和国内的瑞芯微、全志科技、炬芯科技等。目前高通是稳坐第一 把交椅的行业龙头。国内厂商全志科技表现十分亮眼，已联合本土 VR 头显制造商发布一体机产品。其自主研发 的 VR 专用芯片全志 VR9 已在创维 5K VR 一体机、亿境 VR 一体机、大朋 P1 中得到使用， 此外偶米 VR 一体机也搭载了全志 8 核芯片 H8。除全志科技以外，国内芯片制造厂商北京 君正、瑞芯微、炬芯科技也均有针对 VR 设备的芯片推出。3.2. 智能手表市场发展迅猛，产业链核心标的深度受益智能手表市场主要有三大定位：健康、运动、儿童。其中健康、运动的手表厂商多有重叠， 不易区分，儿童智能手表则是相对比较独立的细分领域，市场主要参与则包括步步高、小天 才和读书郎。在 eSim 卡的植入、一号多终端及续航能力改善的推动下，智能手表的独立特性逐渐体现出来，进而带动出货量和市场规模的增长。随着三星、华为、小米等安卓系入场， 智能手表的热度将大大提升，有望迎来持续增长的趋势，功能的改善和价格的下探为智能手 表带来快速渗透的市场空间。Counterpoint 预计全球智能手表市场在 2020 年上半年仍实现收入增长 20%，2020 年上半年 智能手表出货量接近 4200 万只。Apple Watch S5 表现抢眼，苹果智能手表营收创下历史新 高，占据超过一半的市场份额。2020 年上半年，Apple Watch 的全球发货量增长 22％，其 中欧洲和北美是增长最快的市场。” 2020 年上半年，华为智能手表出货量同比增长 57％， 跃居全球第二。这主要是因为市场对华为智能手表的需求强劲增长，尤其是 Watch GT2系列在中国和亚洲市场表现出色，出货量均增长 90％。Garmin 是全球收入排名第二的品牌， 继续领跑体育爱好者和专业运动员市场。Forerunner 和Fenix系列的市场需求同比增长 31％， 是市场上最广泛的智能手表组合之一。欧洲和北美仍然是 Garmin 的主要市场。2020 年上半 年，Amazfit（同比增长 51％）和小米（同比增长 47％）的增长势头良好，产品组合不断扩 大，业务范围也快速扩张。中国、印度和亚洲其他地区仍是这些品牌的主要增长动力。三星 上半年的表现不尽如人意，但下半年推出的 Galaxy Watch 3 可能会拉动市场需求。2020 年 上半年，Fitbit、Ticwatch 和 Suunto 面临来自佳明和苹果的激烈竞争，预计将在假期购物季 加大力度刺激市场需求。3.3. 重点关注立讯精密精密制造龙头，立足平台效应进入更广阔的组装市场。公司以精密互联技术为基础从连接器 /连接线延伸到无线充电、声学、LCP 天线、马达等，再到 TWS 耳机等组装，与核心客户形 成了在零组件、模组与系统类产品多元化的良性合作，同时通信、汽车业务整体进展顺利。 作为国内连接器龙头，公司在消费电子、汽车、通信领域技术积累深厚，目前已形成横跨多 领域、涵盖多产品线的精密制造平台型公司，同时持续落实海内、外产能建设，长期来看仍 有较大成长空间。歌尔股份TWS 耳机打造中期拳头产品，AR/VR 长期增长可期。全球智能手机出货量已连续 4 年同比 下滑，预计 2020 年继续同比下降 12.5%至 12 亿部（根据 IDC）。公司积极布局 TWS 耳机、 VR/AR 和智能穿戴（手表手环）等硬件，落实“零件+组装”产品战略。2020 年 6 月发行可 转债募资 40 亿元，其中超过 50%投入 TWS 耳机项目，25%投入 AR/VR 及光学模组项目。 TWS 耳机是公司中期成长的拳头产品，除大客户 Airpods 外，安卓系列客户亦有广阔市场。 Futuresource 预计 2020 年全球 TWS 耳机出货量达 1.86 亿部（同比+63.1%）。AR/VR 是公 司长期业绩增长的驱动力，2016 年公司成功借力 VR 产品平滑智能手机市场颓势，未来随着 5G 和内容的持续突破，AR/VR 有望逐步流行。IDC 预计 2020 年全球 VR 出货量同比+23.6% 至 710 万台。2020 年上半年公司智能硬件（包含 AR/VR）实现收入 36.07 亿元，同比-8.4%； 毛利率 13.68%，同比+1.82pct。鹏鼎控股硬板持续加大扩产，MiniLED、车载模组增量可期。根据公告，硬板方面，2019 年 HDI+RPCB 收入约占公司营收 15%左右，SLP 收入约占 5%左右。根据公告，2020 年预计资本支出额为 49.80 亿，其中过半投入于硬板产能，公司募投高阶 HDI（SLP）印制电路板扩产项目预 计将会在 2020 投资完毕。根据公告，SLP 业务在积极拓展非 A 客户；超薄 HDI（MiniLED） 产线于 20Q3 建成，20Q4 正式投产；另外公司通过模组切入汽车赛道。公司在 HDI（SLP、 MiniLED）、模组及汽车电子方面值得关注，我们预计 2021 年公司资本开支仍将维持较高水平。领益智造加速业务多元化布局，次组装和模组类有望成为主要增长点：公司是模切龙头，同时具备金 属小件的加工能力，基于对模具和材料的理解，在 5G 技术周期下，在三个方向上推进产品 品类拓展：一是横向拓展向 5G 射频元器件产品，二是向上游材料段整合，包括无线充所需 要的磁性材料等；三是向下游模组整合，包括无线充和散热模组等。未来，价值量更大的次 组装和模组类业务将成为公司的主要增长点。配合内生增长，公司收并购整合稳步推进。公 司拥有较强的精益生产、自动化和管理经验，收购资产之后通过团队派驻的方式加强管理输 出，从而实现资源和业务的整合。客户方面，目前国际大客户收入占比约 50%（根据公司公 告截至三季报），在大客户的基础上，不断拓展消费电子客户群。 全年维持乐观业绩展望，长期增长动能明确：领益科技受益于大客户新产品发布，以及非 phone（智能手表、TWS 耳机和智能追踪器）出货提升；公司 2019 年内生外延并举，完成 从材料（江粉磁材）到精密零组件（领益科技和东方亮彩）到模组（5G 手机散热模组）再 到系统组装（赛尔康充电器和 SMT 产能）的全产业链垂直整合。从终端看，大客户 5G 新 机型带动换机需求；TWS/智能手表渗透率持续提升，公司具备材料、组件和模组全实力。……（报告观点属于原作者，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）精选报告来源：【未来智库官网】。

如需报告请登录【未来智库】。1、电子 PI：柔性、耐高温、绝缘性能突出的高分子材料1.1. PI 概述：综合性能最佳的有机高分子材料之一 聚酰亚胺-高性能的工程和微电子材料。聚酰亚胺（Polyimide, PI）是指主链上含有酰亚胺 环（-CO-N-CO-）的一类聚合物，其中以含有酞酰亚胺结构的聚合物最为重要，是综合 性能最佳的有机高分子材料之一。PI 耐高温达 400℃以上，长期使用温度范围为-269～ 260℃，部分无明显熔点，且具有高绝缘性能。聚酰亚胺列为“21 世纪最有希望的工程塑料”之一，其研究、开发及利用已列入各先进工 业国家中长期发展规划。芳香族聚酰亚胺是微电子工业的重要材料。根据化学组成，聚酰亚胺可以分为脂肪族和芳 香族聚酰亚胺两类；根据加工特性，聚酰亚胺可分为热塑性和热固性。芳香族结构聚酰亚 胺的热学性能最稳定，是微电子工业通常所用的聚酰亚胺材料，其一般是由芳香族的四酸 二酐和芳香族二胺在有机溶液中发生缩聚反应生成聚酰胺酸或聚酰胺酯，再经过一定的方 法使其亚胺化（环化）而制得。聚酰亚胺产品应用领域广泛。聚酰亚胺产品以薄膜、复合材料、泡沫塑料、工程塑料、纤 维等为主，可应用到航空航天、电气绝缘、液晶显示、汽车医疗、原子能、卫星、核潜艇、微电子、精密机械包装等众多领域。美日韩企业垄断全球 PI 市场。目前全球市场由国外少数美日韩企业所垄断，包括美国杜邦， 韩国 SKC Kolon PI，日本住友化学、宇部兴产株式会社(UBE)、钟渊化学(Kaneka)和东丽等。 国内企业主要包括中国台湾的达迈科技和达胜科技，以及中国大陆的时代新材、丹邦科技、 鼎龙股份和瑞华泰。1.2. PI 核心性能优势：柔性，耐高温，绝缘 PI 材料综合性能优异。PI 材料具有优异的热稳定性，在-269~260℃温度范围内可长期使 用，短期使用温度达 400～450℃，开始分解温度一般在 500℃左右；良好的机械性能，均 苯型 PI 薄膜拉伸强度达 250MPa，联苯型 PI 薄膜拉伸强度达 530MPa；具有低热膨胀系数， 热膨胀系数一般在(2～3)×10-5/℃；联苯型的可达 10-6/℃；具有良好的介电性，其介电常 数一般在 3.4 左右，介电强度为 100～300kV/mm，体积电阻为 1017Ω·cm，介电损耗为 10-3。1.3. PI 薄膜材料性能优势显著，电子应用领域广泛 PI 薄膜是目前世界上性能最好的薄膜类绝缘材料之一。PI 材料中，PI 薄膜具备高强度高韧 性、耐磨耗、耐高温、防腐蚀等特殊性能，已经成为电子和电机两大领域上游重要原料之 一。PI 薄膜按照用途分为以绝缘和耐热为主要性能指标的电工级和赋有高挠性、低膨胀系 数等性能的电子级。用于电子信息产品中的电子级 PI 薄膜作为特种工程材料，被称为“黄 金薄膜”。电子级 PI 薄膜具有广泛的应用场景。由于聚酰亚胺 PI 在性能和合成方面的突出优点，电 子级 PI 薄膜的主要应用包括：柔性基板和盖板材料、COF 柔性基板、FPC 基板和覆盖层材 料、石墨散热片的原膜材料和 5G 应用的 MPI 等。1.4. PI 合成工艺和路线：两步法是常用方式 聚酰亚胺的合成方法主要分为一步法、两步法和三步法。其中，两步法是常用的合成方法， 三步法较为新颖，逐渐受到关注。 一步法：最早的合成方法，反应溶剂选择是关键。一步法是二酐和二胺在高沸点溶剂 中直接聚合生成聚酰亚胺，即单体不经由聚酰胺酸而直接合成聚酰亚胺该发的反应条 件比热处理要温和，关键要选择合适的溶剂。 两步法：现在常用的合成方法，化学亚胺化法是核心技术。两步法是先由二酐和二胺 获得前驱体聚酰胺酸，再通过加热或化学方法，分子内脱水闭环生成聚酰亚胺。1） 热法是将聚酰胺酸高温，使之脱水闭环亚胺化，制成薄膜。2） 化学亚胺化法，是在将温度保持在-5℃以下的聚酰胺酸溶液中加入一定量脱水剂 和触媒，快速混合均匀，加热到一定温度使之脱水闭环亚胺化，制成薄膜。在制造聚酰亚胺薄膜时，相比于化学亚胺化法，热亚胺化法的工艺过程与设备较简单。 通常化学亚胺化法的产能高，且所得薄膜的物化性能好，但在我国几乎所有厂家均采 用热亚胺化法。二步法工艺成熟，但聚酰胺酸溶液不稳定，对水汽很敏感，储存过程中常发生分解。 三步法：逐渐受关注的新颖合成方法。三步法是经由聚异酰亚胺结构稳定，作为聚酰 亚胺的先母体，由于热处理时不会放出水等低分子物质，容易异构化成酰亚胺，能制 得性能优良的聚酰亚胺。该法较新颖，正受到广泛关注。PI 薄膜的涂膜方法按其工艺的不同可分为浸渍法、流延法和双向拉伸法。其中双向拉伸法 制备的薄膜性能最佳，且工艺难度大，具有很高的技术壁垒。 浸渍法：最早的薄膜制备方法，制备简单，但经济性差。浸渍法即铝箔上胶法，是最 早生产 PI 薄膜的方法之一，生产工艺简单，操作方便。但也有一些不足之处：（1） 采用铝箔为载体，生产需消耗大量铝箔；（2）使用的 PAA 溶液固含量小（8.0%-12.0%）， 需消耗大量溶剂；（3）薄膜剥离困难，表面常粘有铝粉，产品平整度差；（4）生产效 率低，成本高等。 流延法：国内PI薄膜的主流制造方式。流延法制得的PI薄膜（PAA固含量15.0%-50.0%） 均匀性好，表面平整干净，薄膜长度不受限制，可以连续化生产，薄膜的电气性能和 机械性能较浸渍法有所提高。 双向拉伸法：高性能薄膜的制备工艺。双向拉伸法与流延法类似，但需要双轴定向， 即纵向定位和横向定位，纵向定位是在 30-260℃温度条件下对 PAA 薄膜（固含量 15.0%-50.0%)进行机械方向的单点定位，横向定位是将 PAA 薄膜预热后进行横向扩幅 定位、亚胺化、热定型等处理。采用该法制备的 PI 薄膜与流延法相比，物理性能、电 气性能和热稳定性都有显著提高。1.5. PI 材料行业核心壁垒高：设备、工艺、资金、人才 制备工艺复杂，核心技术被寡头公司垄断。制造工艺复杂、生产成本高（单体合成、聚合 方法）、技术工艺复杂、技术难度较高，且核心技术掌握在全球少数企业中，呈现寡头垄 断的局面，行业寡头对技术进行严密封锁。投资风险高、压力大。PI 膜的投资规模相对较大，一条产线需要 2-3 亿元人民币的投资， 对于国内以民营为主的企业来说，其高风险和长投资周期的压力较大。生产设备定制化程度高。以 PI 薄膜为例，PI 膜的生产参数与下游材料具体需求关系紧密， 对下游的稳定供应需要公司定制专门的设备，但设备定制周期较长，工艺难度大、定制化 程度高。技术人才稀缺。具备 PI 膜生产能力的研发和车间操作人员需要较高的理论水平和长期的研 发实践，难以速成。尽管 PI 膜技术壁垒较高，但随着中国半导体产业的发展，以及柔性 OLED 手机和 5G 应用 的需求拉动，现阶段成了国产替代发展的重要机遇。1.6. PI 产业新方向：轻薄、低温、低介电常数、透明、可溶、低膨胀等 1.6.1. 方向 1：低温合成聚酰亚胺 PI 一般情况下，PI 通常由二胺和二酐反应生成其预聚体—聚酰胺酸(PAA)后，必须在高温（＞ 300℃）下才能酰亚胺化得到，这限制了它在某些领域的应用。同时，PAA 溶液高温酰亚 胺化合成 PI 过程中易产生挥发性副产物且不易储存与运输。因此研究低温下合成 PI 是十 分必要。目前改进的方法有：1）一步法；2）分子设计；3）添加低温固化剂。1.6.2. 方向 2：薄膜轻薄均匀化为满足下游应用产品轻、薄及高可靠性的设计要求，聚酰亚胺 PI 薄膜向薄型化发展，对其 厚度均匀性、表面粗糙度等性能提出了更高的要求。PI 薄膜关键性能的提高不仅依赖于树 脂的分子结构设计，薄膜成型技术的进步也至关重要。目前 PI 薄膜的制备工艺主要分为： 1）浸渍法；2）流延法；3）双轴定向法。伴随着宇航、电子等工业对于器件减重、减薄以及功能化的应用需求，超薄化是 PI 薄膜 发展的一个重要趋势。按照厚度（d）划分，PI 薄膜一般可分为超薄膜（d≤8 μm）、常 规薄膜（8 μm＜d≤50 μm，常见膜厚有 12.5、25、50 μm）、厚膜（50 μm＜d≤125 μm，常见厚度为 75、125 μm）以及超厚膜（d＞125 μm）。目前，制备超薄 PI 薄膜的 方法主要为可溶性 PI 树脂法和吹塑成型法。 可溶性聚酰亚胺树脂法：传统的 PI 通常是不溶且不熔的，因此只能采用其可溶性前 躯体 PAA 溶液进行薄膜制备。而可溶性 PI 树脂是采用分子结构中含有大取代基、 柔性基团或者具有不对称和异构化结构的二酐或二胺单体聚合而得的，其取代基或者 不对称结构可以有效地降低 PI 分子链内或分子链间的强烈相互作用，增大分子间的 自由体积，从而有利于溶剂的渗透和溶解。与采用 PAA 树脂溶液制备 PI 薄膜不同，该工艺首先直接制得高分子量有机可溶性 PI 树脂，然后将其溶解于 DMAc 中配制得到具有适宜工艺黏度的 PI 溶液，最后将溶液 在钢带上流延、固化、双向拉伸后制得 PI 薄膜。 吹塑成型法：吹塑成型制备通用型聚合物薄膜的技术已经很成熟，可通过改变热空气 流速度等参数方便地调整薄膜厚度。该装置与传统的吹塑法制备聚合物薄膜在工艺上 有所不同，其薄膜是由上向下吹塑成型的。该工艺过程的难点在于聚合物从溶液向气 泡的转变，以及气泡通过压辊形成薄膜的工艺。但该工艺可直接采用商业化聚酰胺酸 溶液或 PI 溶液进行薄膜制备，且最大程度上避免了薄膜与其他基材间的物理接触； 轧辊较钢带更易于进行表面抛光处理，更易实现均匀加热，可制得具有高强度、高耐 热稳定性的 PI 超薄膜。1.6.3. 方向 3：低介电常数材料随着科学技术日新月异的发展，集成电路行业向着低维度、大规模甚至超大规模集成发展 的趋势日益明显。而当电子元器件的尺寸缩小至一定尺度时，布线之间的电感-电容效应逐渐增强，导线电流的相互影响使信号迟滞现象变得十分突出，信号迟滞时间增加。而延 迟时间与层间绝缘材料的介电常数成正比。较高的信号传输速度需要层间绝缘材料的介电 常数降低至 2.0～2.5（通常 PI 的介电常数为 3.0～3.5）。因此，在超大规模集成电路向纵深 发展的大背景下，降低层间材料的介电常数成为减小信号迟滞时间的重要手段。目前，降低 PI 薄膜介电常数的方法分为四类：1）氟原子掺杂；2）无氟/含氟共聚物；3） 含硅氧烷支链结构化；4）多孔结构膜1. 氟原子掺杂：氟原子具有较强的电负性, 可以降低聚酰亚胺分子的电子和离子的极化 率, 达到降低介电常数的目的。同时, 氟原子的引入降低了分子链的规整性, 使得高分 子链的堆砌更加不规则, 分子间空隙增大而降低介电常数。2. 无氟/含氟共聚物：引入脂肪族共聚单元能有效降低介电常数。脂环单元同样具有较低 的摩尔极化率，又可以破坏分子链的平面性，能同时抑制传荷作用和分子链的紧密堆 砌，降低介电常数；同时，由于 C-F 键的偶极极化能力较小，且能够增加分子间的空 间位阻，因而引入 C-F 键可以有效降低介电常数。如引入体积庞大的三氟甲基，既能 够阻止高分子链的紧密堆积，有效地减少高度极化的二酐单元的分子间电荷传递作用， 还能进一步增加高分子的自由体积分数，达到降低介电常数的目的。3. 含硅氧烷支链结构化：，笼型分子——聚倍半硅氧烷（POSS）具有孔径均一、热稳定 性高、分散性良好等优点。POSS 笼型孔洞结构顶点处附着的官能团，在进行聚合、接 枝和表面键合等表面化学修饰后，可以一定程度地分散到聚酰亚胺基体中，形成具有 孔隙结构的低介电常数复合薄膜。4. 多孔结构膜：由于空气的介电常数是 1，通过在聚酰亚胺中引入大量均匀分散的孔洞 结构, 提高其中空气体积率, 形成多孔泡沫材料是获得低介电聚酰亚胺材料的一种有 效途径。目前, 制备多孔聚酰亚胺材料的方法主要有热降解法、 化学溶剂法、导入具 有纳米孔洞结构的杂化材料等。1.6.4. 方向 4：透明 PI 有机化合物的有色，是由于它吸收可见光(400~700 nm)的特定波长并反射其余的波长，人 眼感 受到反射的光而产生的。这种可见光范围内的吸收是芳香族聚酰亚胺有色的原因。 对于芳香族聚酰亚胺，引起光吸收的发色基团可以有以下几点：a)亚胺环上的两个羧基； b)与亚胺环相邻接的苯基；c) 二胺残余基团与二酐残余基团所含的官能团。由千聚酰亚胺分子结构中存在较强的分子间及分子内相互作用，因而在电子给体（二胺） 与电子受体（二胺）间易形成电荷转移络合物(CTC)，而 CTC 的形成是造成材料对光产生 吸收的内在原因。要制备无色透明聚酰亚胺，就要从分子水平上减少 CTC 的形成。目前广泛采用的手段主要 包括：1）采用带有侧基或具有不对称结构的单体，侧基的存在以及不对称结构同样也会 阻碍电子的流动，减少共辄；2）在聚酰亚胺分子结构中引入含氟取代基，利用氟原子电 负性的特性，可以切断电子云的共扼，从而抑制 CTC 的形成；3）采用脂环结构二酐或二 胺单体，减小聚酰亚胺分子结构中芳香结构的含量。1.6.5. 方向 5：可溶性 PI 薄膜 聚酰亚胺分子中的芳杂环结构所形成的共扼体系、阶梯及半阶梯链结构，使其分子链具有 很强的刚性分子链段自由旋转的能垒较高，导致聚酰亚胺材料具有很高的玻璃化转变温度、 较高的熔点或软化点，从而难溶解千有机溶剂且在普通加工温度下呈现不熔化或不软化的 性能。因此, 在保持聚酰亚胺原有的耐热性能等优良特性的同时, 降低聚酰亚胺材料的刚性 并增加其在有机溶剂中的溶解能力, 已成为高性能聚酰亚胺功能材料研制开发的热点之一。改善聚酰业胺溶解性的基本途径有 2 个：1）引入对溶剂具有亲和性的结构，例如引入含 氟、硅或磷的基团；2）使聚合物的结构变得“松散”，如引入桥联基团或侧基，也可以采 用结构上非对称的单体，或用共聚打乱大分子的有序性和对称性等。 1.6.6. 方向 6：黑色 PI 薄膜 传统 PI 薄膜因表面光泽度较大和透明性较高，在应用过程中会存在因光反射造成眩光或散 光和线路设计分布易于解读而被同业抄袭的问题，故而要求 PI 薄膜具备低光泽度、低透光性及绝缘性等特性，低光泽度可使元件外观更具质感与美观，绝缘性及低透光性则可保护 内部电路设计。黑色 PI 薄膜的制作分两种：1）将各种遮光物质如炭黑、石墨、金属氧化物、苯胺黑、茈 黑等无机或有机染料涂覆在普通 PI 薄膜上；2）将遮光物质添加于 PI 树脂，经流涎干燥、 高温亚胺化处理制膜。1.6.7. 方向 7：低膨胀 PI 薄膜 PI 薄膜虽具有优异的热稳定性、机械性能和电性能，但与无机材料相比 PI 薄膜的热膨胀系 数要大的多。当 PI 材料与金属、陶瓷等无机材料形成复合材料时，其热应力的存在会使聚 合物层与无机基材发生翘曲、开裂或脱层。因此如何使 PI 的热膨胀系数减小就成为 PI 薄 膜研究较多的方向之一。大量的结构研究分析认为，具有刚性棒状结构的芳香族 PI，分子 链较平直，因此分子间的堆砌紧密，有利于降低聚合物的自由体积，使热膨胀系数减小。有效制备低热膨胀系数 PI 薄膜的途径： 合成层面：采用两种或两种以上的二酐或二胺单体共聚。多种二酐或二胺聚合而成的 聚酰胺酸形成互穿网路或半互穿网络结构。 制备层面：利用溶剂、涂膜方式、干燥程序、酰亚胺化程序，牵伸条件及退火条件等， 调控 PI 薄膜的聚集态结构。2. 重要应用 1-半导体封装：IGBT 等功率模块&先进封装核心材 料2.1. 广泛应用于 IGBT 等功率模块封装 IGBT 是实现电能转换的功率器件，在电动车领域具有重要应用。功率器件主要用途包括 逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导 体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管（BJT）、电力晶体管（GTR）、晶 闸管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。单极型功率半导体包括功率 MOSFET、肖特基势 垒功率二极管等。它们的工作电压和工作频率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消 费电子、新能源交通、轨道交通、发电与配电等电力电子领域。全球政策同时推进新能源汽车发展。在国内，双积分政策等一系列的新能源车补贴政策频 频出台，对汽车制造企业，电动车基础设施建设和消费者都有优惠，旨在促进新能源汽车 在我国的普及和发展。放眼全球，欧美等发达国家也积极布局新能源车的市场，通过各种 补贴优惠政策和法案，推动新能源车市场的发展，促进传统燃油车到电动汽车的转变。国内新能源车市场有望自 2020 年进入第二个快速增长期。国内新能源乘用车市场在 2019 年之前经历了补贴引导下的快速发展期，2019 年 7 月之后，由于补贴大幅退坡，增速有所 下滑。根据中汽协的数据，2019 年我国新能源乘用车总销量为 106 万辆，同比增长仅 0.7%。 但随着 2020 年各大车企的新能源车型不断推出，特别是特斯拉 Model3、大众 ID.3、比亚 迪汉、荣威 Ei6、丰田奕泽等诸多新车型的上市，行业有望由补贴驱动转向需求驱动，进 入第二个快速增长期。电动车市场的增长将带来聚酰亚胺薄膜市场的相应增长： 高压功率器件的表面钝化工艺是功率器件制造过程中的重要工艺环节。对器件的电学性能 和可靠性有重要影响。表面钝化工艺是通过高压钝化材料将功率器件与周围环境气氛隔离 开来，防止芯片表面沾污影响器件的电学性能（如表面电导和表面态），控制和稳定半导 体表面的特性，保护器件内部的互连以及防止器件受到机械和化学损伤，提高功率器件的 可靠性水平聚酰亚胺是高压 IGBT 芯片表面钝化工艺的重要材料。聚酰亚胺耐高温，绝缘性 能良好， 工艺简单，化学性质稳定，台阶覆盖好，与铝的热匹配性好，广泛应用于高压芯片最外层 表面钝化，但其抗潮、抗离子玷污能力不够强，需与无机钝化结构搭配使用。根据不同结 构对光的敏感程度不同，聚酰亚胺又可以分为非光敏聚酰亚胺和 光敏聚酰亚胺。两种不 同结构聚酰亚胺的钝化工艺 流程不同，使用非光敏聚酰亚胺钝化的工艺流程一般为：预 处理→涂覆→涂光刻胶→光刻→刻蚀→去胶→固化。非光敏聚酰亚胺的光刻工艺非常复杂， 也增加了整个钝化工艺的难度和可靠性，同时制作成本较高。2.2. 先进封装工艺中多环节应用的核心材料 封测行业先进封装占比不断提升。智能手机追求轻薄化需求，带动对晶圆级封装（WLP） 和芯片级封装（CSP）等先进封装的需求，目前先进封装晶圆产量已接近全球晶圆总产量 的 40%。国产替代下封测订单拉升。受中美贸易战影响，国内大客户将供应链逐步转移至国内，将 拉动国内封测订单需求。先进封装对材料提出更高要求，目前微电子工业正在发生的重大 变化使业已成熟的微电子封装工艺和封装材料面临严重的挑战。0.13~0.10mm 时代的到来 将不但影响封装工艺技术，同时 对封装材料性能的要求也将发生重大的变化。聚酰亚胺已成为先进封装核心材料。现代的电子封装技术需要将互连、动力、冷却和器件 钝化保护等技术组合成一个整体以确保器件表现出最佳的性能和可靠性。聚酰亚胺在很大 程度上满足高纯度、高耐热、高力学性能、高绝缘性能、高频稳定性；低介电常数与介电 损耗、低吸潮性、低内应力、低热膨胀系数和低成型工艺温度的要求，成为先进封装的核 心材料。3. 重要应用 2-5G 手机：MPI 天线和石墨散热原膜需求旺盛3.1. 石墨散热片：原膜材料 3.1.1. 手机散热驱动方案 随着智能手机对轻薄化、小型化设计的追求，手机内部的空间变小。但由于手机硬件配置 的提高、CPU 多核高性能的升级，以及通信速率的提升，带来的散热需求也不断上升，进 而驱动对高散热性能材料的需求。目前智能手机上采用的散热技术主要包括石墨烯热辐射 贴片散热、金属背板散热、导热凝胶散热以及导热铜管散热。3.1.2. 石墨散热是重要路线之一，对 PI 需求拉动显著 石墨二维层状结构是散热性能的核心。石墨晶体具有六角平面网状结构，具有耐高温、热 膨胀系数小、良好的导热导电性、化学性能稳定、可塑性大的特点。石墨独特的晶体结构， 使其热量传输主要集中在两个方向：X-Y 轴和 Z 轴。其 X-Y 轴的导热系数为 300~1,900W/(m·K)，而铜和铝在 X-Y 方向的导热系数仅为 200~400W/(m·K)之间，因 此石墨具有更好的热传导效率，可以更快将热量传递出去。与此同时，石墨在 Z 轴的热传 导系数仅为 5~20W/(m·K)，几乎起到了隔热的效果。因此石墨具有良好的均热效果，可 以有效防止电子产品局部过热。石墨是优秀的散热材料。从比热容的角度看，石墨的比热容与铝相当，约为铜的 2 倍， 这意味着吸收同样的热量后，石墨温度升高仅为铜的一半。因石墨在导热方面的突出特性， 可以替代传统的铝质或者铜质散热器，成为散热解决方案的优秀材料。消费电子的发展带动石墨散热片的需求增长。石墨散热片因具有超高导热性、重量轻、薄 型化与耐弯折等多项特点，能很好地满足智能手机轻量化与轻薄的设计，以及 5G 手机的 散热方案将向着超薄、高效的方向发展要求。石墨散热片将广泛应用于手机、平板电脑、 笔记本电脑及智能电视等电子产品的散热中，是电子产品的上游。因此石墨散热片的发展 与下游智能手机及其他电子设备的发展密切相关。PI 膜是制备石墨散热片的核心原料。目前，石墨散热片的主要材料是人工石墨片(Graphite sheet)。人工石墨片的主要原料就是聚酰亚胺薄膜(PI film)经过碳化和石墨化两道高温制程 产生：碳化是石墨化的前置程序，目的在于使得 PI 膜中的非碳成分全部或大部分挥发，需 在特定高温下进行；石墨化工序中，发行人通过在特制的石墨化炉内加入氩气或者氮气作 为介质对碳化后的 PI 膜进一步升温，高温下多环化合物分子重整，伴随多次周期性升温的 振荡操作，经化学变化，最后形成高结晶度的大面积石墨原膜。随着散热应用市场成长， 聚酰亚胺薄膜在人工石墨片的应用也将会逐渐增加比重。3.1.3. 主要供应商：时代新材 时代新材致力于形成具有自主知识产权的高性能聚酰亚胺薄膜研制的关键技术和产业化 技术，实现高性能聚酰亚胺薄膜产品的国产化和规模化生产，为实现国内高端绝缘材料长 期以来的国际垄断局面迈出了实质性步伐。并完成了实现聚酰亚胺薄膜材料应用于智能手 机和平板电脑的石墨散热垫片材料的规模化生产，产品在国内供不应求。目前，公司新型材料项目产业化进展基本顺利，公司年产 500 吨聚酰亚胺薄膜生产线量 产日趋稳定，导热膜具备向华为、苹果、三星、VIVO 等品牌批量供货的能力，全年形成 销售收入 1.2 亿元，目前正在筹建二期扩能项目。未来，公司在聚酰亚胺薄膜材料产业方 向，计划形成年产量超过 2000 吨的产能发展。3.2. 5G 材料：MPI 3.2.1. 5G 手机终端未来高速增长 5G 手机助力智能手机市场高速发展。根据 IDC 预测数据，虽然 2019 年是 5G 元年，5G 手 机开始上市，但预计第一年的出货量将会很低，预计只会出货 670 万部左右，远低于 4G 手机 13.3 亿部的预计出货量，大概会占据 0.5% 的市场份额。随着智能手机市场的发展， 5G 手机的市场渗透率将快速提升。到 2023 年时，全球手机的出货量会在 5G 的带动下 来到 15.4 亿部左右，其中 5G 手机将会大幅增长至 4 亿部左右，占全球智能手机市场 份额的 26%。3.2.2. 天线等射频拉动 MPI 需求 5G 手机的高频率需要低损耗天线材料。智能手机作为 5G 的关键场景之一，5G 的驱动无 疑为智能手机天线的发展和革新带来机会。手机通信所使用的无线电波频率随着从 1G 到 5G 的发展而逐渐提高。目前，5G 的频率最高，分为 6GHz 以下和 24GHz 以上两种。由于 电磁波具有频率越高，波长越短，越容易在传播介质中衰减的特点，所以 5G 的高频率要 求天线材料的损耗越小越好。MPI 是 5G 手机前期发展的主流材料选择。4G 时代的天线制造材料开始采用 PI 膜（聚酰 亚胺）。但PI在10GHz以上损耗明显，无法满足5G终端的需求; LCP （Liquid Crystal Polymer， 液晶聚合物）凭借介子损耗与导体损耗更小，具备灵活性、密封性等特性逐渐得到应用。 但是由于 LCP 造价昂贵、工艺复杂，目前 MPI（Modified Polyimide，改良的聚酰亚胺）因 具有操作温度宽，在低温压合铜箔下易操作，表面能够与铜较易接着，且价格较亲民等优 点，有望成为 5G 时代天线材料的主流选择之一。4. 重要应用 3-柔性显示：理想的 OLED 基板、盖板和 COF 材料4.1. OLED-柔性基板和盖板材料 聚酰亚胺是柔性显示工艺理想的材料。柔性基板是整个柔性显示器件的重要组成部分，其 性能对于柔性显示器件的品质与寿命均具有重要的影响。柔性显示器件对于基板材料的性 能要求主要体现在如下几个方面：1）耐热性与高稳尺寸稳定性要求；2）柔韧性要求；3） 阻水阻氧特性要求；4）表面平坦化要求。PI 基板材料以其优良的耐高温特性、良好的力 学性能以及优良的耐化学稳定性而备受关注。刚性的酰亚胺环赋予了这类材料优异的综合 性能，从而使得 PI 成为柔性显示器件基板的首选材料。4.1.1. 柔性 OLED 手机渗透率持续提升 OLED 面板快速增长。柔性 OLED 面板市场需求旺盛，行业发展速度加快，而且未来的成 长空间很大，展示出很大的市场需求潜力。柔性 OLED 手机渗透率持续提升。柔性 OLED 手机是未来手机发展的趋势，OLED 出货量 的增加促进了柔性 OLED 手机渗透率的提升。柔性 OLED 手机渗透率提升的原因：（1）OLED 显示屏的色彩更逼真、更轻薄和更省电等 优点；（2）可屏下指纹解锁方案，能够最大限度提升手机的屏占比； （3）可以实现曲面化、 可弯曲，提升手机的应用场景。4.1.2. 2020 年折叠手机出货量有望突破百万级，2021 年有望达千万级出货量 2019 年可折叠手机元年开启，折叠屏手机发展趋势清晰。可折叠手机通过折叠能缩小屏 幕面积，方便用户携带；手机展开后，成为可比拟平板电脑的大屏幕通信设备，提升用户 的视觉体验。未来折叠手机将在极大提升人机信息交互的效率，实现多任务并行和信息平 行输入输出，智能手机终端将从媒体社交平台升级至生产力平台（办公等）。 可折叠手机的发展与柔性 OLED 屏幕技术成熟度紧密相关。柔性 OLED 面板的弯曲特性 保证手机折叠时的弯曲半径，是实现手机可折叠的关键所在。4.1.3. PI 基板和 CPI 盖板材料需求旺盛 PI 基板：柔性 OLED 基板材料的最佳选择。伴随着 OLED 取代 LCD 正沿着曲面→可折叠→ 可卷曲的方向前进，有机发光材料和薄膜是 OLED 实现柔性的关键点，具有优良的耐高温 特性、力学性能及耐化学稳定性的聚酰亚胺 PI 基板，是当前柔性基板材料的最佳选择。PI 基板市场需求旺盛。受益于 OLED 产能的持续增长，PI 基板材料具有旺盛的市场需求， 且未来还有很大的成长空间。国内目前如在挠性印制线路基材方面的应用的高端 PI 薄膜约 85％需要依赖进口产品，替代进口的市场空间很大。CPI（Colorless Polyimide）盖板是折叠屏的理想材料。为全面实现柔性显示，显示器盖板 部分应当具备可反复弯折、透明、超薄、足够硬度的特点。折叠屏对于盖板材料要求较高， 需要同时满足柔韧性、透光率且表面防划伤性能好等特点。目前的折叠屏盖板材料有 CPI、 PI、PC、压克力、PET 几种，其中 CPI 盖板的可行性最高，相比于普通淡黄色的 PI 盖板材 料，无色透明的 CPI 盖板具有更高的透光率。受益于折叠屏手机的发展，CPI 盖板材料将 迎来快速发展时期。无色透明的聚酰亚胺薄膜实现的难度较大。由于 PI 薄膜的透明度与其耐高温性能存在着矛 盾关系，即增加薄膜的透明度时将降低其耐高温性能。部分厂商尝试混合 PI，PMMA，PET 和 PU 等来制作柔性盖板，但是效果不及预期，也很难量产化。硬质涂布是增强 CPI 薄膜强度的重要手段。为提升折叠式面板用 CPI 膜强度，需于表面进 行数十微米厚的硬质涂布制程，如使用有／无机物混合材料硅氧烷(siloxane)，将有助 CPI 触感接近玻璃，改善塑胶类保护层质感不及玻璃等问题。4.1.4. 主要公司：住友化学、Kolon Instries、SKC 等 OLED 用的 CPI 盖板和 PI 基板被日韩企业所垄断。住友化学率先拿下三星Galaxy Fold的CPI膜订单。目前，能够提供CPI膜的厂商仅为Kolon Instries，SKC 和住友化学。在三星 Galaxy Fold 手机 CPI 订单的争夺战中，住友化学抢占 先机。住友化学能抢占先机拿下三星 Galaxy Fold 的 CPI 膜订单，主要得益于住友化学多年 来的技术积累，在 CPI 膜材料上的稳定性和良品率更加具有竞争力。Kolon Instries 将为华为 Mate X 供应 CPI 膜。Kolon Instries 公司早在 2016 年就率先 研发出 CPI 膜，随后在 2016 年 8 月开始投资 900 亿韩元在龟尾工厂建造 CPI 膜生产线， 2018 年上半年完成量产设备铺设工作。今年，Kolon Instries 将供应华为 Mate X 所需的 CPI 膜，证明了 Kolon Instries 在 CPI 膜生产方面的能力和产品品质。SKC 积极布局 CPI 薄膜研发。在 2016 年的业绩发布会上，SKC 表示已经成功完成 CPI 薄 膜的研发工作，且 SKC 能灵活使用现有的 PI 薄膜生产线，资金压力比较小。公司 2018 年 在忠北镇川举行了 CPI 膜产业园奠基仪式，为 SKC 打造 CPI 膜全套生产体系提供稳定的产 业链，也为 SKC 在全球市场的扩张做好准备。 4.2. COF-柔性基板 COF（Chip on flexible printed circuit）柔性封装基板作为印制电路板产品中的重要高端分 支产品，指还未装联上芯片、元器件的封装型柔性基板。在芯片封装过程中，起到承载芯 片、电路连通、绝缘支撑的作用，特别是对芯片起到物理保护、提交信号传输速率、信号 保真、阻抗匹配、应力缓和、散热防潮的作用。COF 柔性封装基板性能优异。COF 柔性封装基板具有配线密度高、重量轻、厚度薄、可折 叠、弯曲、扭转等优点，是一种新兴产品，有利于先进封装技术的使用和发展。目前，COF 产品广泛应用于液晶电视，智能 3G 手机及笔记本电脑等产品液晶屏的显示与驱动。4.2.1. TV 高清化、手机全面屏驱动 COF 方案需求持续增长TV 高清化发展满足视觉体验需求。随着人们对视觉体验的要求的提高，TV 高清化的发展 速度加快。大尺寸和高清化的 TV 产品的存在着很大的市场空间，超薄和窄边框也是发展 的趋势。TV 从常见的 1080P 逐渐向 4K 和 8K 发展，分辨率的提升，带来更高清的视觉体 验。大尺寸高清电视渗透率将大幅提升。根据 IHS 数据，2018 年 60 吋以上面板以 4K 为主， 渗透率高达 99%，随着 8K 开始进入市场，未来三年的渗透率将大幅提升，预计由 2019 年 的 5%拉升到 2020 年的 9%。在 TV 市场上， 2018 年 8K TV 出货量为 2 万部，预计 2019-2020 年出货量将分别达到 43 万部和 200 万部，且主要集中制 60 英寸以上的大尺寸 TV；2019 年，OLED TV 出货量预计增长超过 40%，达到 360 万部，而 QD-LCD TV 的出货量预计将 达到 400 万部。全面屏是智能手机的发展趋势。2016 年，小米 MIX 推出后，“全面屏手机”开始走进了大 众视野，随后，整个智能手机行业随后便掀起了一股“全面屏”的设计风潮。受制于屏下摄像头等的技术限制，2018 年之后，整个行业却一股脑转向了苹果的刘海屏设计。进入 2019 年之后，整个安卓行业在全面屏上五花八门，市面上水滴屏、挖孔屏、升降结构成为 三大主流。整体来说，未来全面屏将是智能手机发展的必然趋势，全面屏带来了更好的观 影和游戏等视觉体验，以及体积更小、单手操作和更好的便携性。全面屏手机渗透率持续上升，将成为智能手机屏幕的标配。全球智能手机出货量经历了十 几年的高速增长后，虽然出货量有所放缓，但全面屏手机渗透率的快速提升是确定的发展 趋势。根据 Witsview 数据预测，2018 年全面屏渗透率跃升至 44.6%，并且在 2019 年将继 续快速攀升至 71.6%；预计到 2021 年全面屏手机的渗透率将到 92.1%，成为智能手机屏幕 的标准配置。TV 高清化和手机全面屏发展带动显示驱动封装方案超高密度方向发展。随着面板朝着高 像素和高分辨率发展的演进，以及芯片轻薄、短小化的需求，驱动 IC 线路中心到中心距 (pitch)、间距(spacing)等越来越微细化，封装基板设计也必须配合晶片电路间距微细化提 供对应的封装基板，引导封装基板朝向高密度的构装技术方向发展。COF 方案减少显示屏幕边框技术优势明显。目前，主流的 COG（Chip On Glass）封装方 式，是将 Source IC 芯片直接邦定到玻璃上，因为玻璃背板上的那块芯片体积较大，所以 边框比较宽，面板端子部的边框一般在 4-5mm 左右。为了缩小边框宽度，面板厂商开始 采用 COF 封装技术。相比于传统的 COG 封装技术，COF 技术中玻璃背板上的 Source IC 芯片被放在了屏幕排线上，可以直接翻转到屏幕底部，COF 技术可以缩小边框 1.5mm 左 右的宽度。在手机全面屏和高清化 TV 具有广阔的应用前景。TV 高清化和手机全面屏发展促进 COF 产品创新。随着产品轻量化与薄型设计及显示密度 与屏占比的提升，未来高清电视与智能型手机用的 COF 型式驱动 IC 将会是以 1-Metal(单 面) 18/16um Pitch 的 COF 及 2-Metal(双面)的 COF 为未来的设计应用主流。2-Metal(双面) 的 COF 是把在单面形成电路的 COF，在两面形成电路，比单面 COF 的电路集成度更高， 还能缩小尺寸，适合用于手机。4.2.2. 4K 高清电视和智能手机 COF 需求持续增长 根据 IHS 数据，4K 的比重保持上升将驱动 COF 薄膜需求上升，预计 2019 年 4K 高清电视 的 COF 薄膜需求量将达到 1.46 亿片，同比增长 29.2%；伴随着 4K 高清电视对 COF 薄膜需 求的稳定增长，预计 2022 年 4K 高清电视对 COF 薄膜需求将达到 1.63 亿片。以智能手机 市场来看，因为全面屏窄边框的要求，COF 方案已经广泛采用于 AMOLED 和 LTPS LCD 产 品中，IHS Markit 预估 2019 年智能手机用 COF 薄膜需求量将扩大至 5.9 亿片，同步增长 达 70%。4.2.3. PI 材料是 COF 封装核心难点 COF 方案主要采用聚酰亚胺（PI 膜）混合物材料，厚度仅为 50-100um，线宽线距在 20um 以下。COF 封装则是采用自动化的卷对卷设备生产，生产过程中会被持续加热至 400 摄氏 度。由于 COF 卷对卷生产过程中需要加热，而 PI 膜的热膨胀系数为 16um/m/C，相比芯 片的 2.49 um/m/C 而言，热稳定性较差，所以对设备精度和工艺要求很高。4.2.4. 重要公司：住友和东丽 目前，COF 用 FCCL 材料主要掌握住友化学、东丽先进材料和 KCFT3 大日韩公司手中。5. 重要应用 4-FPC：基板和覆盖层材料，目前 PI 下游重要需求5.1. FPC 需求持续增长 FPC 是现代电子产品的关键互联器件。FPC（Flexible Printed Circuit Board，柔性印制电路 板）是 PCB（Printed Circuit Board，印制线路板）的一种，是电子产品的关键电子互连器 件。FPC 是用柔性的绝缘基材制成的印制线路板，相比于硬性印制电路板，它具有配线密 度高、轻薄、可弯折、可立体组装等特点，以及良好的散热性和可焊性以及易于装连、综 合成本较低等优点。FPC 助力电子产品的高密度、小型化和高可靠性方向发展。利用 FPC 可大大缩小电子产品 的体积，符合电子产品向高密度、小型化、高可靠性发展的方向。因此，FPC 在消费电子、 汽车电子、5G 通讯设施和国防军工等领域得到了广泛的应用。全球 FPC 产值整体持续上升。随着智能手机、电脑、可穿戴设备、汽车电子等现代电子 产品的发展，FPC 产值整体呈上升趋势。根据 Prismark 的统计， 2017 年全球 FPC 产值 为125.2 亿美元，同比增长14.9%，占印制线路板总产值份额由2016 年的20.1%上升至2017 年的 21.3%，全球 FPC 产值整体呈上升趋势。全球 FPC 产业转移，中国大陆发展迅速。21 世纪以来，随着欧美国家的生产成本提高， 以及亚洲地区 FPC 下游市场不断兴起，FPC 生产重心逐渐转向亚洲。具备良好制造业基 础及生产经验的日本、韩国、中国台湾等国家和地区 FPC 产业迅速成长，并成为全球 FPC 的主要产地。随着日本、韩国和中国台湾生产成本持续攀升，发达国家的 FPC 厂商纷纷 在中国投资设厂，制造中心由国外移至中国大陆，国际知名的 FPC 厂商如日本 NOK、日 东电工和住友电工等均在中国投资设厂，与此同时中国本土的 FPC 厂商也不断发展壮大， 在全球 FPC 市场中占据越来越重要的角色。中国 FPC 产值规模持续攀升。近年来，中国逐渐成为 FPC 主要产地，中国地区 FPC 产值 占全球的比重不断提升，据 Prismark 的数据，2016 年中国 FPC 行业产值达到 46.3 亿 美元，中国地区 FPC（含外资企业）产值占全球的比重从 2009 年 23.7%已增至 2016 年 42.5%，2017 年全球 FPC 行业产值达到 125.2 亿美元。5.2. FPC 应用领域：基板和覆盖膜 PI 膜是 FPC 的核心材料。FPC 的使用一般以铜箔与 PI 薄膜材料贴合制成软性铜箔基板 （FCCL），覆盖膜（Cover layer）、补强板及防静电层等材料制作成软板。PI 膜的厚度主要 可以区分为 0.5mil、1mil、2mil、3mil 及厚膜(甚至 10mil 以上等产品)，先进或是高阶的软 板需要厚度更薄(0.3mil)，尺寸安定性更稳定的 PI 膜。一般的覆盖膜主要使用厚度 0.5mil 的 PI 膜，而较厚的 PI 膜主要用于补强板及其它用途上。FCCL 是电子级 PI 膜的重要应用市场。挠性覆铜板（Flexible Copper Clad Laminate， FCCL）是 FPC 的加工基材，一般以铜箔与 PI 薄膜材料贴合制成，是 FPC 的核心原材 料。FPC 的应用包括军事、汽车、电脑、相机、手机等。近年来，智能手机、平板电脑、 LCD 显示与 LED 背光模组等应用需求的增加，驱动了 PI 膜需求增长。随着中高阶手机市 场出货比例的逐年增加，加上东南亚等新兴国家地区的智慧型手机上需求大增，我们预期 FPC 需求未来 3-5 年内可维持可观增长。 5.3. SKC Kolon PI SKC 与 Kolon 均拥有 40 年以上的塑料薄膜的制造技术和经验，双方都从 2006 年起开始向 市场量产供应聚酰亚胺薄膜。为了应对剧烈变化的市场情况，SKC 与 Kolon 于 2008 年 6 月合并了 PI 薄膜部门，新设立合资企业 SKC Kolon PI。两个公司合并后持续投资，更进一 步提升研发技术，使 SKC Kolon PI 成为一家全球领先的 PI 薄膜供应商，该公司的聚酰亚胺 薄膜主要用于柔性印刷电路板（FPCB）。6. 美日韩垄断格局，加速国产替代，全球产能有望吃紧6.1. PI 技术发展历史：美国→日本→韩国&台湾→大陆 美国：聚酰亚胺的产业的先驱。聚酰亚胺是最早进行实用化开发的特种工程塑料。1908 年首先合成芳族聚酰亚胺，50 年代末期值得高分子量的芳族聚酰亚胺。1953 年美国杜邦 公司申请了世界上第一件有实用价值的聚酰亚胺产品专利 US2710853A。19 世纪 60 年 代初，杜邦的聚酰亚胺薄膜（Kapton）、 模塑料（Vespel）和清漆（Pyre ML）陆续商品 化，逐步确立了其在聚酰亚胺产业中的领先地位。美国Amoco公司分别在1964年和1972年开发了聚酰胺-亚胺电器绝缘清漆(AI)和聚酰 亚胺模制材料(Torlon)，并 在 1976 年使聚酰亚胺模制材料(Torlon)实现了商业化；1969 年法国罗纳-普朗克公司首先开发成功双马来酰亚胺复合材料预聚体(Kerimid 601)，是先 进复合材料的理想基体树脂。随后该公司在此基础上研发了压缩和传递模塑成型用材料 (Kinel)。1972 年美国 GE 公司开始研究开发聚醚酰亚胺（PEI），并于 1982 年形成年产万吨级生 产装置。半导体产业的第一次转移：从美国转移到日本。随着半导体技术的创新，半导体逐渐从军 工应用转向民用家电领域。从 20 世纪 70 年代起，因有美国对日本的产业扶植，一些美国 的装配产业开始向日本转移。日本抓住了这次发展机会，其半导体产业趁势崛起，全球半 导体产业开始出现了第一次转移：从美国转移到日本。宇部兴产首次打破杜邦聚酰亚胺薄膜垄断。作为微电子应用的明星材料，日本的聚酰亚胺 产业随着日本半导体产业的崛起而快速发展。1978 年日本宇部兴产公司先后发展了聚联 苯四甲酰亚胺 Upilex R 和 Upilexs，打破了“Kapton”薄膜独占市场 20 年的局面，其 薄膜制品优异的线膨胀系数(12～20ppm)达到接近单晶硅和金属铜(17ppm)的线膨胀系 数，成为覆铜箔薄膜的最佳选材，可广泛应用于柔性印刷线路版，是聚酰亚胺电子薄膜划 时代的很大进步。日本钟渊化学(Kaneka)于 1980 年开始实验室内研究聚酰亚胺薄膜，并成功开发出一种新 型“均苯”型 PI 薄膜，商品名为“Apical”，公司于 1984 年建立了量产 PI 薄膜的生产线， 商品牌号为 Apical，产品主要应用于柔性印刷电路板(FPCs)。1995 年，公司 APICAL AH 型号生产厚度规格有 175μm、200μm 和 225μm。1983 年 杜邦与日本东丽对半合资建立东洋产品公司，由杜邦提供技术和原料,专门生产 Kapton PI 薄膜；1985 年 9 月，公司投产生产，薄膜宽度为 1500mm。1994 年日本三井东压化学公司报道了全新的热塑性聚酰亚胺(Aurum)注射和挤出成型用 粒料，该树脂的薄膜商品名为 Regulus。半导体产业的第二次转移：从日本转移到韩国和中国台湾。在 20 世纪 90 年代前后，日 本的半导体产业发展突飞猛进，一跃成为全球第一大半导体国家。之后，由于美国担心日 本半导体产业对其本土半导体产业的冲击，开始对日本的半导体进行打压，同时对韩国进 行扶植，随后半导体产业进行了第二次转移。PC 时代的兴起带动韩国和中国台湾聚酰亚胺产业的发展。随着 PC 时代的兴起，韩国和 中国台湾抓住了从大型机到消费电子的转变期对新兴存储器与代工生产的需求，承接了半 导体产业转移的市场，高端制造业迅速发展。作为半导体产业支撑的关键材料之一，韩国 和中国台湾的聚酰亚胺产业也获得了发展机遇。韩国 SKC 于 2001 年启动 PI 薄膜的研发 2005 年完成 LN、IF 型号的开发(12.5～25.0 μm)，并建立了批量生产线。2006 年完成 LS 型号的开发，并于 2007 年 6 月应用于三 星/LG 手机，2009 年 10 月开始供应给世界一号 FPCB 公司使用。中国台湾达迈公司从 2001 年开始试运行 T1 产线，后于 2012 年 T4 产线投入运营，至今，达迈工艺已经运营 5 条产线。2008 年 SKC 和 Kolon Instries 合资成立了 SKC KOLON PI 公司。中国：未来聚酰亚胺的重要供应市场。随着移动互联网和 5G 时代的发展，中国庞大的市 场和能容纳各种商业模式与应用场景的特点将进一步加强，中国大陆对于半导体产业的需 求将大幅提升。中国广阔的市场需求未来将极大地带动中国半导体产业的发展，以及吸引 众多海内外厂商和人才，这必然会促进半导体产业向中国大陆转移。因此，未来中国的聚酰亚胺产业将迎来发展的黄金时期，促进中国聚酰亚胺产业走向从低端走向中高端材料供 应的发展道路。6.2. 中美贸易战和日韩贸易摩擦 贸易战中美国针对部分中国企业实施制裁，并对中国商品加征高额关税，提高了下游终端 客户经营的成本和难度。基于对生产经营安全性和稳定性的考虑，下游部分大客户将配套 供应链向国内转移，国内企业订单有望增加。 根据日本 METI 政府网站消息，从 2019 年 7 月 1 日开始，日本将韩国从出口贸易“白名单” 中删除；从 7 月 4 日开始，日本向韩国出口氟化聚酰亚胺、光刻胶和高纯氟化氢这三种材 料需要单独申请出口许可证并进行出口审查。韩国是全球 OLED 和半导体制造和出口大国，对半导体产业发展有较高依赖度，根据韩国 贸易协会数据，2018 年韩国半导体出口额约 1267 亿美元，约占总出口 21%。日本把控全 球电子材料重要产能，特别是高端电子材料，例如光刻胶、硅片、特种气体等，对包括韩 国、台湾、大陆的半导体产业有着至关重要的作用。PI 是此次日韩贸易摩擦中日本限制出口的三种电子材料（PI、光刻胶和高纯氟化氢）之一， 主要用于柔性 OLED 基板制程，日本基本垄断了全球主要产能：OLED 用 PI 在全球范围内 目前主要是日本的 UBE 和 Kaneka 两家公司生产，分别供应韩国三星和 LGD。此次日本三大材料出口韩国政策调整的影响，我们判断其影响类似 18 年底韩国 OLED 行 业的 TopTec 对大陆设备出口限制事件，主要影响有：（1）下游各 OLED 和半导体制造商 会长期逐步降低对单一供应商或者单一地区供应商的依赖；（ 2）加快扶持本土产业集群是 降低供应链安全的重要趋势。因此我们判断韩国会逐步加快培养本土 PI/光刻胶/高纯氟化 氢等产品供应商，同时大陆 OLED 和半导体用战略物资（不仅仅是此次三大材料）将加速 进口替代。6.3. PI 材料进口受日韩疫情影响，将加速国产替代进程 我国目前的 PI 薄膜市场在制造水平上比较落后，高端 PI 膜高度依赖进口。2017 年，PI 膜 市场主要参与者，分别是美国杜邦、日本宇部兴产、钟渊化学、迈达、韩国 SKC 等。日韩疫情有望加速进口替代、行业盈利能力提升。目前，此次疫情若在日韩扩散，电子原 材料产商受到影响，可能会出现供货不足的问题。而我国目前 PI 材料依赖日韩进口，势必 受到影响，在这种环境下，国产替代必将加速进行，同时毛利率有望提升。达迈是专注聚 酰亚胺（PI）薄膜研发的中国台湾公司，近年毛利率在 25-35%，16Q1-16Q3 毛利率提升 显著，我们判断主要是因为上一轮行业提价，19Q1 以来行业盈利水平回有所回落，我们 判断日韩产能紧张情况下，行业盈利水平有望提升。7. 投资机会：大陆 PI 行业加速国产化红利（略）7.1. 万润股份：精细化工领先公司，布局发力 PI 新产品7.2. 时代新材：立足轨交应用，突破散热、折叠、功率材料等新产品7.3. 鼎龙股份：打印耗材领先公司，布局发力 CMP、PI 浆料7.4. 国内非上市公司7.4.1. 深圳瑞华泰7.4.2. 武汉依麦德……8. 附录：PI 行业全球重要公司介绍（略）8.1. 美国杜邦8.2. 日本住友化学8.3. 韩国 SKC Kolon PI8.4. 日本钟渊化学8.5. 宇部兴产8.6. 中国台湾达迈……（报告来源：天风证券）如需报告原文档请登录【未来智库】。

如需报告请登录【未来智库】。一、前言日本电子制造业部分细分行业的衰落受贸易摩擦影响有限，更多是因为日本企 业错失科技创新的浪潮以及不注重行业内水平分工。日美电子贸易摩擦从 1984 年持续 到 1991 年，措施上从限制专利输出到开征反倾销关税再到“最低价格协定”以及“最低市场份额协定”。贸易摩擦后日本电子行业出现两层分化，首先是低端组装业务开始海外迁移，只有集成电路和元器件在全球竞争力持续强势，另一层分化是集成电路行业内只 有设备与材料一骑绝尘，DRAM 等产品从全球霸主地位不断衰落。当前日本电子行业牢 牢把控着产业链的上游设备与材料环节，但是在中游制造以及下游组装环节节节败退，产业呈现空心化的格局。市场普遍认为其主要是受当年日美贸易摩擦的影响，我们认为日本本土电子制造业的中游制造以及下游组装的衰落一方面是因为日企主动向海外转移产能，另一方面日企注重垂直一体化的特点注定了其海外转移的程定满足不了全球经济一体化背景下追逐最低生产成本的需求。此外，日本电子制造业 的高端领域 DRAM 产品的失败也不能完全与贸易摩擦挂钩，尽管美国在贸易摩擦期 间针对日本 DRAM 产品多次发难，但是在 1991 年日美半导体贸易摩擦结束时日本 DRAM 仍然保有全球市场 60%左右的份额（最高时 80%），我们认为日本的失败一方 面受贸易摩擦的影响，但主要是因为日本 DRAM 企业专注于大型机用的 DRAM 产 品，而从 1990 年开始个人 PC 开始兴起，个人 PC 需要的 DRAM 与大型机的 DRAM 相差甚大，日企对个人 PC 的忽视，使得韩国 DRAM 厂商趁势崛起，并且敢于逆势 大幅度扩产，韩国DRAM厂商凭借低成本优势拿下了个人PC用DRAM第一把交椅。乐观看待中美两国在电子制造业领域存在的差距。当前中美两国在电子制造业领域差距已经在不断缩小，目前在半导体领域，我们所需的设备与材料基本都依赖 进口，而当年日本 1976 年开始半导体的举国体制之前与中国当前情况类似，但是经 过多年的发展，1985 年贸易摩擦前的日本半导体企业已经基本实现了核心设备的自 制，甚至在部分核心产品上领先于美国同行量产上市。可以看出，同样在面对美国开打贸易摩擦时日美电子制造业的差距是小于中美之间的差距，值得欣慰的是，中国目前已经出现一批优质半导体公司，如中微公司、澜起科技、汇顶科技等。此外，日本半导体的举国体制之路给我们发展半导体制造提供了可复制的案例，我们应该 加大举国体制的力度，力争用最短的时间实现核心设备与材料的突破。举国体制是发展高精尖制造业实现突围的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制 法革新”项目下的“VLSI 技术研究所”共耗资 720 亿日元，其中政府出资 320 日元， 企业界筹集 400 亿日元，最后日本得以先于美国研发 64k 集成电路、256k 动态储存 器，完成对美国技术的赶超，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。包括韩国在 内也采用举国体制发展半导体，1983 年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府 共投入了 3.46 亿美元的贷款，并激发了 20 亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产 业的发展。当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，且已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子证明举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国的半导体大 基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国，日本 电子行业对外贸易依存度自 1950 年来一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对 外贸易依存度仅为39.32%，08年金融危机之后中国电子制造业的出口比重一路下滑， 造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上升，其中生产总额从 08 年来增幅 接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需增长旺盛，内需消化的产值远 高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不断提高主要是因为出口增幅远 高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总值在 2000 年达到顶峰后一路下滑， 导致贸易依存度被动性提高。科创板开闸+大基金二期上马，中国版新型举国体制助力国产半导体，预计存储 产业有望率先突围。科创板推动优质半导体企业快速上市，大基金二期大手笔投资，大国重器加速突围。优质半导体企业如中微公司、澜起科技、沪硅产业通过在科创板快速上市募集资金，加速对各环节国际龙头企业的追赶。中芯国际也拟于科创板 上市及交易，中芯国际作为国内实力最强的晶圆制造厂，14nm 已开始量产，与台积 电、三星等国际巨头差距正逐步缩小，科创板上市有利于公司募资资金加速先进制 程的研发。半导体行业自主可控是国家意志的体现，受到国家政策的持续加码支持。大基 金二期大手笔加持，大基金二期注册资本 2041.5 亿元，按照撬动比例 1:3 计算，所 撬动的社会资金规模可达 6000 亿元以上。与大基金一期总投资 1387 亿、撬动 5145 亿地方及社会资金相比，二期在资金规模上远超一期。大陆存储产业呈现“大市场”+“低自给率”特征，新型举国体制下有望率先突围。 同时半导体设备及材料预计也将成为大基金二期投资的重点。存储领域国内 IDM 厂 商长鑫引领 DRAM、长存引领 NAND 产业崛起。设备端包括刻蚀设备商中微公司、 北方华创，测试设备商精测电子、长川科技，清洗设备商盛美半导体和至纯科技、 CVD 供应商沈阳拓荆等。材料端如硅片供应商沪硅产业、中环股份，靶材龙头江丰 电子，光刻胶供应商容大感光、南大光电，特种气体龙头华特气体、抛光垫供应商 鼎龙股份等，均有望得到大基金二期以及后续国家政策的大力支持率先突围。二、占据产业链上游的日本电子制造业当前日本厂商仍然持着电子制造业的上游关键环节，尤其是在核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商在全球依然有着最强竞争力，例如元器件领域有 村田以及 TDK，半导体设备领域有东京电子以及 DNS，材料领域有 SUMCO，这些 日本公司在各自领域几乎垄断了全球市场。（一）日本电子制造业占据产业链上游 核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商在全球依然有着最强竞争力。近年来尽管日本电子终端产品在全球市占率较低，但是日本厂商仍然把持着电子制造业的上游关键环节，尤其是在核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商 在全球依然有着很强竞争力，例如元器件领域有村田以及 TDK，半导体设备领域有 东京电子以及 DNS，材料领域有 SUMCO，这些日本公司在各自领域几乎占据了全 球绝大部分的份额。1、日本半导体产业：把控上游设备与材料 日本半导体产业整体呈衰退趋势。2018 年，全球半导体销售额达到 4779.4 亿美 元，年增长率为 15.9%，创历史新高，而日本地区半导体销售额为 335 亿美元，在世 界市场中的份额不足 8%，落后于韩国、中国等国家和地区。在 2018 年发布的半导 体企业排名中，日本企业仅有东芝在前十大供应商中占据一个席位，而在 1990 年的 前十大半导体厂商中，有六家是日本企业，日本企业萎缩明显。日本在半导体设备和材料领域表现强劲。日本在芯片产品领域已经衰落，但是在芯片产业链的上游设备领域仍处在不可忽视的地位。在设备领域，近年来日本销 售额占全球市场销售额的比重能够维持在 10%左右。其中，TEL、日立高新、DNS 等企业占有举足轻重的地位。除了在设备领域仍存在较大影响力之外，日本企业在半导体材料持续领先。日本半导体材料产业在贸易摩擦后继续保持强劲增长势头，市场占有率在随后的五年中继续扩大。而日本半导体材料产业发展至今，在世界半导体材料领域保持着绝对 优势，Si 晶圆、光罩等重要的半导体材料全球市场中占据了主要份额，Sumco、信越 等企业占据绝对的霸主地位。2、日本元器件：村田、TDK 占据绝对领导地位 日本电子元器件总产值在整个日本电子行业中占比上升。日本电子元器件在日 本电子工业中占有重要地位，2019 年电子元器件产值达到 8.27 万亿日元，约占日本 电子行业总产值的 43.78%，且这一比例在过去十年时间里呈不断上升趋势的。日本的电子元器件主要由集成电路、液晶装置、被动元件、分立半导体和连接 部件组成，其中 2019 年集成电路、液晶装置、被动元件在日本电子元器件产值中占 比分别为36.25%、13.92%和10.21%，分立半导体和连接部件也达到了9.95%、13.24%。在被动元器件市场上，日本一家独大。日本最大三家的被动元件制造商村田、 TDK 和太阳诱电 2019 年被动元件的销售收入分别为 67.4 亿美元、45.93 亿美元和 18.04 亿美元，分别在全球被动元件市场中排第一、第二和第四，合计超过了 130 亿 美元，占据了一半以上的市场份额。连接器市场竞争格局相对稳定，日本三家公司进入全球前十。在连接器上，根 据 Bishop and Associates 发布了一份新的全球 100 强电子连接器制造商榜单，日本共 有三家公司进入了前 10 名，分别是矢崎、日本航空电子和日本压着电子，分别排第 七、第八和第九名。对比 2004 年的市场占有率，日本的这三家公司稳定排在全球第 六到第十名之间。半导体分立器件市场占有率不高，但相对稳定。日本是全球半导体分立器件厂商主力国，主要有东芝、瑞萨、罗姆、富士电机等半导体厂商，日本厂商在半导体分立器件方面具有较强竞争力且厂家众多，但很多厂商的核心业务并非半导体分立器件，使得日本半导体分立器件的市场占有率不高。日本半导体分立器件的代表性 企业日本罗姆，2018 年分立器件销售收入为 14.36 亿美元，2010 年以来市场占有率 徘徊在 6%左右，相对稳定。3、日本 PCB 产业：巅峰已过，加速向海外转移 日本 PCB 产业景气高点已过。1990 年后随着日本电子制造业的崛起，全球 PCB产业开始向日本聚集，到了 2000 年日本 PCB 产值占全球比重达 28%。但是 2008 年 全球金融危机的冲击，同时日元的升值以及中国台湾、韩国、中国大陆地区的厂商 的崛起，日本 PCB 行业加速海外转移。日本 PCB 产值中硬板占比最大， 各类 PCB 产品产值均在下滑。2019 年日本 PCB 总产值为 4438 亿日元，同比上年下降 7%，其中硬板产值为 2983.51 亿日元， 占 PCB 总产值 67%，同比下降 6.50%。从 2002 年到 2019 年整体来看，日本 PCB 产 值不断下滑，年复合增长率为-3.33%，其中硬板复合增长率为-3.25%，软板为-6.78%， 载板为-1.07%。日本 7 家企业进入 2018 年全球 PCB 厂商前 30 名。根据 Prismark 2018 年全球 PCB 厂商前 30 排名，日本的旗胜、藤仓、揖斐电、名幸、住友电工、中央铭板、新 光电器排名全球第 2、11、13、14、17、21、30 名。在软板（FPC）方面，日本处于行业领先地位，3 家企业进入全球前 10。根据 PCB 信息网的统计，2018 年全球 FPC 前 10 厂商中，日本的旗胜、住友电工、藤仓 分别排在第 2、第 4 和第 5 位。虽然软板在日本 2018 年 PCB 产生中占比仅 10.61%， 占比不大，且整个日本软板的产值也是逐年下降，但是日本的软板仍然处于全球软 板的领先地位。在硬板方面，日本名幸在 2018 年全球 HDI 前 10 大厂商中排第 6。作为日本最 大的硬板厂商，名幸 2018 年 PCB 销售收入为 10.74 亿美元，同比增长 13.40%，在日 本前五大 PBC 厂商中是增速最快的。公司增长主要来源于汽车板市场需求的稳定增 长以及中国和韩国手机客户需求的增长。4、日本面板行业：产能逐渐转移，仅剩 JDI 独自奋战 面板产业开始向中国转移，日本厂商逐渐衰落。1988 年，夏普推出了世界第一 台 14 英寸液晶显示器，这让日本几乎垄断了世界液晶面板产业，在 1990 年-1994 年， 日本在全球液晶面板产业的份额占比高达 90%-94%以上。随着韩国实行集中国家力 量进行超强投入进行创新的策略，韩国液晶面板逐渐实现了对日本的赶超，韩国三 星和 LG 在显示面板领域全面超过日本。JDI 成为日本面板行业唯一厂商。随着日本面板行业的衰落，曾经的日本面板各 大厂商三洋电机、爱普森、NEC、东芝、索尼、日立、三棱也开始逐渐退出了面板 市场，曾经的行业巨头夏普也被鸿海收购，日本目前能实现量产的面板厂商只剩下JDI。JDI 专注于中小尺寸面板市场。2017 年全球显示面板出货面积约 2.01 亿平米， 其中大尺寸面板出货面积合计约 1.81 亿平米，占比达到约 90%，中小尺寸面板出货 面积合计 0.2 亿平米。在大尺寸面板市场中，主要还是由韩国、中国大陆和中国台湾 的企业所瓜分，在中小尺寸面板市场中，韩国三星电子和 LGD 占据行业第 1、第 3， 日本 JDI 排名第 2。OLED 时代，JDI 收入开始下滑。随着三星提前推出 OLED 面板，在各方面性 能上领先于 JDI 的液晶面板，全球高端手机开始选择使用 OLED 屏幕，JDI 因此受到 巨大冲击。JDI 一半以上的收入来自苹果手机，随着中国 LCD 面板厂商的崛起，苹 果手机销量的下跌，且 2017 年 iPhone X 也开始使用 OLED 屏幕，JDI 的收入进一步 下降。JDI 长期以来的亏损和只注重营业利润的企业文化导致了财务造假。2020 年 4 月对历年财务报告进行修正。（二）日本电子行业分布：主要集中于九州岛 九州岛被称之为日本的“硅岛”， 是日本集成电路工业的重要基地。因为九州 岛富含硅片洗净工程所需超纯水（九州岛阿苏外轮山周边有丰富的泉水）、电力充足、 航空运输便利（九州岛现有 13 个机场）、税收政策对企业有利、生产成本较低等有 利条件吸引了大批半导体企业。从上个世纪 60 年代起，九州逐渐成为半导体企业群 聚的地区。东京电子、索尼、瑞萨科技、SUMCO 等都在九州设有生产基地。九州岛 半导体企业众多，且因为有知名大企业牵头，所以是拥有世界级尖端半导体技术的 地区。全球约有 15%的半导体硅片在九州生产，九州岛半导体年产值为日本全国年 产值的三分之一左右。由于 IC 一般只使用飞机运输，以集成电路为主的九州岛的半导体企业及工厂一 般都是围绕主要城市和机场辐射分布。公路干线沿线、九州沿海也是半导体企业/工 厂设址地点。同时，九州岛半导体产业链完整，从 IC 设计到封装测试以及材料与设 备的供应，都有领域内重要企业设厂。（三）日本电子制造业的转移：终端组装加速海外拓展，主要 流向东南亚国家日本电子制造业早期并不注重地理上的水平分工，并且早期日本电子行业大量出口彩电、收音机等偏终端产品，这样的后果一方面是容易遭受反倾销和反补贴的 调查，另一方面也没有利用发展中国家的低成本劳动力优势。1960 年代为了躲避日 美彩电战，日本彩电企业曾开始在美国建厂，1980 年代半导体战之后日本加速对发 展中国家的投资，方向主要是中国以及东南亚国家。三、贸易摩擦前日本电子制造业：腾飞的 30 年日美贸易摩擦整体延续近 30 年，其中电子行业战争始于 1985 年，终于 1991 年。 广义层面看日美贸易摩擦肇始于 1960 年代，激化于 1970 年代，高潮于 1980 年代， 基本上跟日本制造业的重生、崛起、鼎盛三个阶段相契合，从 1960-1990 这三十多年 间，日美之间爆发了无数次贸易纠纷。但是在行业层面看日美贸易摩擦在电子制造业领域开始于 1985 年之后，尤其是 在半导体领域。早期，日本凭借低价芯片对美国产业造成重大冲击，美国以反倾销、 反投资、反并购等手段进行贸易保护，最高时对相关产品加收 100%关税。因此本报 告所指贸易摩擦是指电子行业层面的贸易摩擦，相关时间节点以 1985 年为界。（一）二战后初期，快速复苏二战后，美国对日本的经济政策可以大致划为为三大阶段：1945-1950 年战争刚 刚结束阶段、1950-1985 年的冷战时期以及 1985 年开始冷战缓和时期。战后初期（1945-1950） “1940 体制”+“道奇计划”，日本电子制造业快速复苏。 战后日本原材料奇缺、生产开工率低、物资供给匮乏并且通胀恶劣，为迅速度 过经济混乱和生产衰退的难关，日本政府在 1947 年到 1951 年推行著名的倾斜生产 方式，集中力量增加煤炭、钢铁等基础工业的生产，从而使得日本经济能重新进入 再生产的循环轨道，到 1948 年，工业生产指数已由战败初年的 30%左右上升到 60% 以上，严重的经济混乱、生产滑坡局面已经过去。我们把日本战后所使用的倾斜生 产以及特殊行业贷款政策等统称为“1940 体制”。但“1940 体制”后遗症也非常明显，其中最引人注意的就是通胀，在推行倾斜生产期间，尽管政府通过多种手段控 制物价上涨，通货膨胀率仍居高不下，两年间消费物价上涨 7 倍。美国管制之下的驻日盟军总司令部在二战后占领了日本，美军对日本的扶持态度比较暧昧。美方考虑扶持日本战后复苏，但又怕日本工业迅速发展实现军事化。于是美方出台了旨在援助日本的道奇计划。道奇计划是当时占领日本军队的统治者为维持日本经济的稳定，平衡其财政预算，抑制通货膨胀而制定。计划最开始实行时日本经济遭遇了严重的衰退，但日本货币和物价也因该计划迅速趋于稳定，通货膨胀也得到了抑制，道奇计划的实施为之后的信贷和其他产业政策的实行提供了稳 定的宏观经济环境，有助于日本产业结构实现合理化、现代化。尽管当时美国的援助计划没有特别针对电子制造业，但是占领军当局要求日本政府确保通信和交通事业的发展，并大力推动了电报电话和广播事业的复兴。当时 驻日同盟总部指定要求日本生产收音机，并且重建 NHK 成为特殊法人，同时，日本 民间广播事业也开始发展起来。得益于占领军的这一系列政策，日本电子产业开始 快速复苏。 （二）1950-1985，日本电子产业腾飞的 30 年 经过战后初期的复苏，日本电子制造业迎来了真正腾飞的30年。30多年的时间， 其产值从 1955 年的 0.02 万亿日元增长到 1985 年的 17.7 万亿日元，同期出口产值从 近乎为 0 增长到 9.9 万亿日元，贸易收支方面， 1955 年为贸易逆差发展到 1985 年 顺差 8.92 万亿日元，同期日本整体贸易顺差 10.87 万亿，电子制造业贡献了其中的 82%，足以证明到 1985 年电子制造业已经成为日本的支柱产业。日本电子制造业取得的成就是辉煌的，但辉煌的原因在不同时间段却有很大的 不同，以 1970 为界可以分为上半场和下半场。 上半场：1950-1970 冷战背景下美国加大对日本援助。随着冷战的局面越来越紧张，特别是朝鲜战 争（1950-1953）的爆发，美国对日本政策发生巨大的变化，开始转变为支援日本的 产业发展。另一方面，朝鲜战争期间，日本作为西方势力最靠近战场的大本营，顺理成章成为了后勤基地，美国想要把日本发展成为物美价廉的工业产品供应地，使之服务于自身的军事目的。美国的态度转变对日本经济的复苏作用巨大，朝鲜战争 期间，美国因为战争需要在日本进行大量的订货，极大地促进了日本经济的增长。一方面是军用订单的刺激，另一方面在民用电子领域日本趁势壮大。因为在二 战期间美国主要生产军用订单，所以靠进口才能满足民用电子订单的需求。1950 年 美国电子产业中民用电子产值为 15 亿美元，军用电子产值为 6.5 亿美元，然而 1957 年却逆转为 17 和 41 亿美元，美国产业政策的此次改变给日本民用电子产品进入美 国市场创造了条件。下半场：1970-198515 年的时间，出口增加 11 倍。日本电子产业出口收支从 1970 年开始飙升，一 直到 1985 年达到顶峰， 1970-1985 的 15 年间，电子产业的产值增加了 5 倍，内需 增加了 3 倍，出口则增加了额 11 倍之多，可以说日本电子制造业在 1970 年后完全靠 出口实现了腾飞。1970 年-1985 年电子行业出口大幅增长的同时日元的汇率在不断升值，日元兑美 元的汇率从期初的 360 升值到期末的 234，说明日本电子行业的出口并不是因为日元 汇率贬值所带动，相反，日本电子制造业公司需要不断降低成本以抵消日元升值带 来的下游国外客户采购成本上升。产业结构转变，大力扶持半导体。上世纪七十年代至 80 年代中期，日本产业结 构巨变。原油进口量以及钢铁产量自 1973 年开始降低，而此时日本对硅的需求量逐 渐加大。以钢铁代表的“重、大”型产业日渐衰落，半导体等“轻、薄、小”型产 业飞速发展。上世纪 70 年代初微处理器的出现，引发了微型计算机的热潮，而半导 体内存是计算机的主要部件，于是半导体产业由此得以发展。1970 年到 1985 年之间 日本内存行业得到了迅猛发展，在一段时期内全球市占率高达 80%。回答日本内存 行业为什么能获得如此成就一定程度上可以解释日本电子制造业能够腾飞的原因。举国体制加创新型模仿造就日本 DRAM 的辉煌。1970 年初，尽管日本可以生产 DRAM 芯片，但没有掌握关键的制程和设备。因此，1976 年在大藏省等多个部门的 协商下，日本开始实行“DRAM 制法革新”国家项目。由政府出资 320 亿，富士通、 NEC 等公司出资 400 亿，总共筹资 720 亿日元，目标是在短期内提高 DRAM 的制作 水准。国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”因此设立，该所是由日本电子综合 研究所和计算机综合研究所主导创办的。VLSI 技术研究所汇集了 800 多名技术精英 以研制日本产高性能 DRAM 制程设备，想要短期内实现 64K DRAM 和 256K DRAM 可实用性，并在 10 到 20 年之间实现 1M DRAM 的可实用性。在产业化方面，日本政府为半导体企业，提供了高达 16 亿美元的巨额资金，包 括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造 DRAM 集成电路产业群。 到 1978 年，日本富士通公司研制成功了 64K DRAM 大规模集成电路。创新型模仿，日本 DRAM 成功的又一关键。英特尔当初凭借 4KB DRAM 抢占 了超过 80%的市场份额，日本公司纷纷效仿，导致英特尔的市占率急转直下。后来 英特尔研发了 16KB DRAM（三电源供电）和 64KB DRAM（三电源供电），然而由 于跟风者不断追进，英特尔很难持续垄断市场。于是英特尔在 1979 年推出杀手锏产 品：单电源供电的 16KB DRAM，日本公司根本无从下手，所以该款 DRAM 产品在 发售时获得 100%市占率，然而，竞争对手纷纷模仿英特尔开发单电源 DRAM 产品， 最终英特尔的市占率跌到 10%左右，最后英特尔决定退出 DRAM 行业。英特尔的退 出造就了日本 1985 年取得全球 80%的巅峰市占率。（三）对日本电子制造业取得成功的一点思考 纵观日本电子制造业在 1950-1985 年这 35 年间取得的成就，我们认为有几点值 得当前中国电子制造业思考与学习起步低不代表长不大。日本电子制造业从 1950 年开始发展，在此之前从没有哪 一项电子技术是从日本起步，朝鲜战争爆发后日本的收音机出口开始迅猛增长，但 是让索尼引以为傲的晶体管收音机的核心晶体管技术也是索尼从美国购买，1959 年 德州仪器制作了世界上第一块集成电路，在美国企业一直认为晶体管已经成为过去， 集成电路才是未来的背景下日本自主研发了第一台晶体管计算机NEAC-2201并参加 巴黎万国博览会，但与美国同行差距仍然甚大。 日本的电子制造业正是从收音机开始做起，最后在半导体技术方面跻身全球一流。我们一直对当前中国电子制造业所从事的低端生产存有偏见，认为中国电子制造业就是以富士康为代表的产品组装，中国电子制造业的精密制造就是生产以线束连接器为代表的低端产品，但日本例子告诉我们起步低但依然可以通过后续追赶而 在全球市场拥有一席之地，中国智能机行业近年来的发展也证实这一可能。模仿可以短期内获得最大的进步。日本 DRAM 行业发展壮大的历程告诉我们通 过模仿龙头产品，可以短期之内获得与龙头同台竞技的资格。此外，韩国 DRAM 也 是靠模仿日本而壮大，相信中国电子制造业在创新型模仿的战略下并结合自身实际， 可以迅速赶上龙头国家。举国体制是发展高精尖制造业的有效方式。1976 年日本的“DRAM”制法革新 项目下的“VLSI 技术研究所”共耗资 720 亿日元，其中政府出资 320 亿，企业界筹 集 400 亿日元，最后日本得以先于美国研发 64k 集成电路、256k 动态储存器，完成 对美国技术的赶超，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。包括韩国在内也采用 举国体制发展半导体，1983 年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府共投入了 3.46 亿美元的贷款，并激发了 20 亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产业的发展。 当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子告诉我们对于落后者而言，举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国 的半导体大基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。四、贸易摩擦后的日本电子制造业：开始分化美国对日贸易摩擦的时间跨度大约为 1985～1991 年，从 1975 年～1991 年，美 国共向日本发起了 15 次 301 调查。在电子制造业领域美国对日本的贸易摩擦一直持 续不断，前有收音机进口数量限制后有彩电反倾销政策，但是美国对日本电子制造 业最担忧的也是贸易摩擦中最激烈的领域发生在半导体行业。（一）美国对日贸易摩擦在电子制造业领域具体政策 1、起因：日本在全球半导体市场份额持续上升 在全球半导体市场上，美国半导体收入在全球半导体总收入中所占的比重由 1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%，而同期日本由 28%上升到 46%，1985 年后， 日本的企业首次成为世界最大的半导体销售商，到 1986 年，世界半导体销量排行榜 前三位均为日本企业。此外，上世纪 80 年代，日本高科技出口已经超过进口，日本 电子计算机在美国市场的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%，电子部件 由 3.2%上升到 7.2%。与此同时在机器人、集成电路、光纤通讯、激光、陶瓷材料等 技术方面处于世界领先水平。2、美国对日半导体贸易摩擦措施：知识产权委员会+最低价格协定+超级 301 条款 1）1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。1983 年美国商务部认定，“对美国科技的挑战主要来自日本，目前虽仅限少数的高技术领域，但预计将来这种挑战将涉及更大的范围”，以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范措施， 并加大对知识产权的保护力度，1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。2）1986 年初，日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》。在美国政 府强力施压之下，1986 年初日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》， 该协议的主要内容为：美国暂停对日本 DRAM 倾销诉讼，但作为交换条件，要求日 本政府促进日本企业购买美国生产的半导体，加强政府对价格的监督。《协定》的具体内容包括：1）在市场准入方面：日本扩大外国半导体加入日本 市场的机会，要求在日本市场必须有 20%的美国半导体产品占有率； 2）在倾销方面， 美国暂停对 DRAM 的反倾销调查，并根据日本生产商提供的成本资料确立了外国市 场价格。当销售价低于外国市场价水平时，就可以断定该生产商正在以低于平均成 本的价格进行倾销(在美国的反倾销法中，允许加上 8%的边际利润)。3）加征关税以及“超级 301”条款。1987 年 3 月，美国政府以日本未能遵守协 议为由，就微机等日本有关产品采取了征收 100%进口关税的报复性措施。1988 年美 国通过“综合贸易与竞争法”，祭出“超级 301”条款，使日本所有出口商品都处于 美国贸易制裁风险之中。1989 年美国认定日本在大型计算机、卫星和林业产品方面 封闭市场，动用“超级 301”条款进行调查。4）新半导体协议。之后，日美两国政府于 1991 年 6 月签定了五年期的新半导 体协议，其主要内容为：扩大市场准入条款，削减并修改了反倾销条款。具体内容为：1）在扩大市场准入条款方面：美国希望于 1992 年底以前外国半 导体产品在日本市场占有的份额能超过 20%；2）在反倾销条款方面：美国政府不再 从日本公司收集成本和价格资料，也不再为 DRAM 规定外国市场价值。但日本公司 应自己收集资料，以备在一旦发生反倾销调查时使用。5）广场协定：日本 DRAM 成本优势不再的直接原因。尽管美国迫使日本签订 广场协定不是只针对半导体产业，但是不得不提广场协定对日本半导体的出口影响 是巨大的。1985 年 9 月，日元汇率在 1 美元兑 250 日元上下波动，在“广场协议” 生效后不到 3 个月的时间里，快速升值到 1 美元兑 200 日元附近，升幅 20%。1986 年底，1 美元兑 152 日元，1987 年最高达到 1 美元兑 120 日元。1985 年后日本电子 制造业的贸易顺差开始掉头向下，DRAM 产品的市场占有率也开始急剧下降，时间 点与广场协议签订时间高度相关。（二）贸易摩擦后的日本电子制造业的两层分化 1、第一层分化：终端产品萎缩，零部件与设备占比提升 1985 年后集成电路、零部件出口持续增长，视频、音频、计算机持续萎缩。出 口是衡量一个国家某种产品在全球竞争力最有效的方式之一。我们对日本电子行业 每种细分品类在 1985 年之后的出口额进行了详细统计，以此来观察在 1985 年贸易 摩擦之后日本电子行业哪些产品衰落了，哪些产品竞争力提升了。从下图中可以看 出在 1985 年之后出口额能持续增长的只有集成电路产品，零部件产品在 1985 年后 2000 年之前仍然保持高速增长，视频产品、音响设备、计算机及相关设备等产品在 1985 年之后出口额持续萎缩。零部件与设备成为出口创汇主力。1985 年之后日本电子制造业中零部件与设备 的产值占比持续提升，从 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%，出口创收占比更是 从不到 30%提升到接近 80%，同时占电子行业进口额的比重持续下降到 40%，说明 日本本土零部件与设备厂商的竞争力不断提升，不光实现了实现进口替代，更是成 为了出口创汇的主力产业。2、第二层分化：半导体领域 DRAM 开始衰败，设备与材料兴起 除了终端电子产品之外，日本半导体领域也同样出现分化趋势。日本 DRAM 行 业在 1985 年之后在全球市场份额持续下滑，但是日本半导体行业中核心设备在全球 的份额持续提升，80 年代是日本半导体设备及材料崛起的黄金十年。在 1980 年全球 前十大半导体设备厂商中，美国占有 9 席，日本仅仅占 1 席；而到 1990 年全球前十 大厂商中，日本占有 5 席，美国占有 5 席。根据 SEMI 的预测，在半导体材料领域，日本企业全球市场占有率约为 52%，其 中欧洲与北美占比都为 15%左右。在全球该领域中日本行业占据了绝对优势，此时 期日本半导体材料在光刻胶、模压树脂、硅晶圆、键合引线及引线框架等重要材料方面占了非常高的份额，日本半导体材料企业在全球行业中地位举足轻重。像日立 化学、京瓷化学、信越、三菱佳友株式会社 SUMCO、佳友电木等日本企业几乎垄断 了全球半导体材料。靶材领域，市场占有率超 90%的全球 6 大厂商中前两大就是日 本的厂商 Shin-Etsu 和 SUMCO，两家市场占有率合计超过 50%。硅片领域被日本信 越化学、三菱住友、中国台湾地区环球晶圆、德国世创和韩国 LG 五大供应商垄断， 全球硅片供应占比超 90%。其中日本的信越化学、三菱住友分别占比 27%、26%。日本集成电路行业整体贸易顺差在 1985 年之后曾经历短暂快速下跌，主要是由 于之前顺差贡献的主力 DRAM 出现较大滑坡所致，但是日本集成电路行业并未一蹶 不振，从 87 年开始恢复增长一直持续到金融危机前的 2007 年，这其中设备和材料 的贡献功不可没。（三）贸易摩擦加速了日本电子制造业的第一层分化，但并不 影响第二层分化 1、贸易摩擦的确加速了第一层分化 贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化的过程，日美贸易摩擦不 是这一进化的根本原因，但具有加速作用。1985 年之后日本电子制造业的贸易顺差开始急速下降，日本彩电以及曾经的贸易顺差主力产品 VTR 从 1985 年开始下滑。 日本电子制造业从彩电出口为主到液晶面板出口为主，从终端组装产品出口为主到集成电路出口占比持续上升，贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化 的过程。 我们认为日美贸易摩擦只是影响了日本部分终端产品的出口，相反，日美贸易摩擦却是日本电子制造业升级转型的催化剂。从一国产业发展规律来看，日本电子制造业的这一升级并不是遭受了贸易摩擦的日本一国独有的专利，从全球来看，虽然美国从来不是被贸易摩擦的国家，但是美国电子制造业的历史其实就是一部低端产品生产不断向日本以及亚洲四小龙再向东南亚国家迁移而美国本土制造业不断升 级的历史。只是因为贸易摩擦的影响使得日本电子制造业在 1985 年就开始被迫需要 升级。 2、第二层分化更深层次原因是其没有跟上科技产业创新潮流 日本 DRAM 行业的溃败最根本原因在于错过了个人 PC 的兴起。DRAM 是日本 半导体行业最具代表性的产品，考察日本 DRAM 产品的兴衰可以一窥日本半导体行 业的整体兴衰。日美半导体贸易摩擦在 1991 年以签订《新半导体保证协议》结束， 新条款当中对日本 DRAM 的最低价格决定者已经从美国变更为日本，由日本厂商参 考全球 DRAM 平均价格自行决定最低售价，相比由美国决定最低售价已经宽松很多， 但此时日本 DRAM 的全球市占率还有接近 70%，贸易摩擦可以解释日本 DRAM 市 占率从 80%下降到 70%，但是无法解释为何后来日本 DRAM 在全球的市占率从 70% 下降到 10%以及后续强强联合的尔必达的倒闭。我们认为日本 DRAM 行业失败的根 本原因在于日本厂商错过了个人 PC 的兴起。日本 DRAM 厂商错失个人 PC 创新潮流。20 世纪 90 年代，电脑界开启了换代 潮流，从大型机向个人 PC 转变，这一换代也导致了 DRAM 需求的变化，DRAM 的 主力需求从大型机生产商向 PC 生厂商切换。伴随着这一转变，日本 DRAM 市占率 不断萎缩，韩国开始后来居上，在 1992 年超过日本成为霸主。主要是大型机和 PC 需要的 DRAM 规格是完全不同的，PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是25 年的质量保证，而韩国厂商生产的 DRAM 切合了低成本的要求最终打败了日本。但是，处于潮流转变中的日本厂商肯定也感受到了 PC 的兴起，但日本厂商的追 求极致的文化告诉他们可以将大型机高质保要求的理念用于生产PC用DRAM当中， 于是日本厂商坚持生产 25 年质保的 PC 用 DRAM，而这种 DRAM 对于 PC 来说质量 明显过剩。结果，大量生产低成本 PC 用 DRAM 的韩国厂商崛起，而日本失去了霸 主地位。日本半导体行业的文化过于追求极限。半导体制造需要精密的技术，而这些技 术并不是一朝一夕能形成的。当时 DRAM 多用于大型电脑和电话交换机设备，其立 下的技术标准是要求大型电脑用的 DRAM 有 25 年的质保，日本半导体制造商的工 匠精神生产出了这种可靠性要求极其严格的DRAM，由此日本DRAM开始横扫全球。此时，在技术上追求极限，生产高品质的 DRAM 这一技术文化开始扎根于日本 半导体企业的方方面面，而这种技术文化正是日本半导体行业竞争力的源泉。强强联合的尔必达也未能挽救日本的 DRAM 行业。1999 年底，日立和 NEC 合 资成立专门生产 DRAM 的公司尔必达，当时普遍认为尔必达是“强大技术研发实力 的日立”和“强大生产技术的 NEC”合二为一，由此将诞生世界上最强大的 DRAM 制造商。甚至后来还有三菱电机的加入，但是尔必达的命运却以破产倒闭而告终。尔必达最根本的问题在于公司固守生产大型机 DRAM 思维而缺乏用低成本来 生产低价格 PC DRAM 的意识。金融危机之后 DRAM 曾经跌破了 1 美元，当时尔必 达高管在公开场合认为 1 美元的 DRAM 是无稽之谈，尔必达还是坚持了早年日本 DRAM 行业走高端高价格的路线，必然遭到时代的淘汰。日元升值并不是日本 DRAM 丧失地位的主因。部分研究认为主要是贸易摩擦导 致的日元汇率升值使得日本成本优势降低，于是韩国的 DRAM 后来居上，我们认为 不应高估汇率变动对日本 DRAM 产品竞争力的影响，85 年之后的韩国在 DRAM 市 场可谓一骑绝尘，但 97 年韩元在短暂贬值后开启了 10 年的升值周期，升值幅度接 近一倍，但这期间韩国 DRAM 的全球市占率却从 35%上升到接近 50%，而且在 08 年金融危机后韩元同样持续升值，但 DRAM 市占率一路冲到最高接近 70%。并且以 美元计价的日本和韩国两国制造业平均工资水平韩国曾一度与日本相当，但日本却 再也没能重拾当年的雄风，在 DRAM 市场一路溃败。（四）鹬蚌相争，渔翁得利：日美半导体贸易摩擦最大的赢家 是韩国 1984年才成立知识产权委员会限制对日技术输出的意义不大。1983年美国认定， 对美国科技的挑战主要来自日本。以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范 措施，并加大对知识产权的保护力度于 1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术 外流。而此时的日本半导体技术虽然无法完全与美国抗衡，但关键技术都已经获得 突破。1980 年，日本宣布为期四年的“VLSI”项目顺利完成，期间申请实用新型专 利 1210 件，商业专利 347 件。更重要的是，到了 64K DRAM 大规模集成电路时代， 富士通公司的研发进度开始与 IBM、德州仪器等美国企业并驾齐驱，而到了 256K DRAM 时代，美国才刚研制出来，日本富士通和日立的产品已经量产上市。可以说 此时的日本 DRAM 产业已经不需要依靠美国技术。对日本 DRAM 反倾销牺牲了日本却成全了韩国。到了 1985 年眼看限制对日技 术输出也无法阻止日本 DRAM 一统天下，美国开始对其进行更直接的反倾销调查直 至后续逼迫日本签订《日美半导体协议》。尽管我们认为日本 DRAM 衰败更多原因 来自于日本企业自身，不可否认美国的反倾销调查加速了日本 DRAM 的下滑，但美 国没有想到的是韩国的 DRAM 厂商却趁势崛起，以三星为代表的厂商获得了全球 70% 左右份额。韩国DRAM厂商崛起而美国无力阻止。1985年之后韩国DRAM份额逐渐上升， 此时 DRAM 的消费主力逐渐从大型机转向个人 PC，而个人 PC 的生产主力地区在中 国台湾，因此韩国DRAM主要销往台湾等地，美国无法阻止台湾厂商进口韩国DRAM。 当然美国进口的 PC 当中也有使用韩国 DRAM 的，但是这些进口 PC 中大部分都是美 国自己的品牌，并且，在 1980 年之后由于受日本 DRAM 冲击太大，美国本土企业 已经逐渐撤出 DRAM 生产，此时美国对韩国 DRAM 进行贸易摩擦已经没有意义。五、贸易摩擦后日本电子制造业的演进对中国的启示既没有富士康，更没有苹果与高通。日本电子制造业在二战后因为美国的扶持以及本国举国体制发展半导体，曾经取得了辉煌的成就，但近年来日本电子制造业却持续萎靡，只在半导体材料和设备领域维持着领先的市场份额，日本电子制造业 60 多年的发展史既没有产生富士康这种代工领导者，更没有产生苹果与高通这类核 心设计品牌，偏居上游的日本电子制造业有逐渐空心化的趋势。日本电子制造业衰落主要原因没有把握住科技产业创新的趋势。我们认为贸易摩擦并不是日本电子制造业的这一空心化趋势的核心因素，究其原因，主要是日本 没有把握住科技产业创新的潮流，在 1985 年之前大型机时代，日本电子制造业逐渐 崛起，但是从 2000 年互联网 1.0 时代开始日本逐渐与行业最新潮流脱钩，以至于持 续错过了互联网 1.0 以及 2.0 时代，当前处于互联网 2.0 向 AI、5G 以及智能驾驶变 革的关键时期，能否抓住这一潮流对日本以及当前的中国都至关重要。中国当前虽有贸易摩擦，但基本卡位了科技创新的每一波潮流。当前中国虽然处于贸易摩擦的阴霾笼罩下，但是我们紧扣科技产业创新的节奏，中国科技公司紧 跟互联网 2.0 以及移动互联网的步伐，并且在新能源车领域整体水平不输国外公司， 在这过程中涌现出一大批领导者企业如 5G 领域的华为、AI 领域的海康威视、商汤 科技以及智能驾驶领域的百度。我们持续看好中国科技企业今后的创新，在这之前 日本公司的一些经验教训值得我们学习。（一）加大核心零部件与设备的自制，降低对产品组装的依赖贸易摩擦不可否认对日本电子制造业的出口额造成了巨大影响，尤其是对于部 分电子产品如电视机以及家庭录像设备（VTR）而言几乎是毁灭性的打击，但日本 电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的 毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐 减，但是日本液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全 球市场的 40%以上。2008 年之前我国半导体设备基本全靠进口，因此国家设立了 02 专项研发国产 化设备。但是，由于设备制造对技术和资金需求要求比较高，只有北方华创、中微 半导体、上海微电子等少数重点企业能够承担 02 专项研发工作，整个行业集中度相 对较高。虽然在 02 专项的支持下，我国半导体设备实现了从无到有，但相比国内庞 大的市场规模而言，自给率不足 15%。即使在发展水平相对较高的 IC 封装测试领域，我国与先进国际水平相比仍然 存在较大差距。尤其是单晶炉、氧化炉、 CVD 设备、磁控溅射镀膜设备、 CMP 设 备、光刻机、涂布/显影设备、 ICP 等离子体刻蚀系统、探针台等设备市场几乎被国 外企业所占据。（二）注重水平分工，降低生产成本 我们认为水平分工分为两个层次：一个是产业内的从 IDM 模式到 Fabless 模式， 另外是地域性的从国内到国外的水平分工。忽视产业内的水平分工是日本半导体企业失败的重要原因之一。贸易摩擦对日本电子制造业低端产品影响较大，而相对高端的日本半导体企业之所以衰退的第一 个重要原因就是坚持垂直一体化的生产模式（IDM）。早期日本半导体企业都是和 Fabless 的模式背道而驰，与此同时日本半导体企业也在节节败退，从 2000 年开始， 日本半导体企业已经无法继续坚持 IDM 的模式开始向 Fabless 模式转变。收入增长时设备投入也增加。日本半导体企业在销售额增加的时候，当年的设备投资额也会相应增加，销售额减少的时候设备投资额也会减少，结果是当销售额减少的时候，由于前期投资持续增加，带来设备的折旧也是在增加的，导致企业的 盈利忽高忽低。而采用 Fabless 模式的高通公司营收与折旧增长基本同步，就连需要 重资产投入的代工厂台积电的营收与折旧增长相关性也远高于日本的情况。1985-1986 年，由于刚受到贸易摩擦的影响，日本半导体企业的出口受到一定影 响，销售额开始下滑，但是折旧却大幅度上升，折旧金额和销售下降叠加，企业利 润压力增大。忽视地理上的水平分工是日本半导体企业失败的另一重要原因。日本企业主张“设计部门和生产部门必须属于同一个地区同一个企业”，这是因为设计部门和生产部门需要密切交流，共享信息，否则就无法做出优秀的产品。这样的企业文化导致 日本很少考虑地理上的水平分工。我们用一国对外 FDI总额与本国当年GDP 的比重来衡量地理上水平分工的程度。 1980 年代美国 FDI 与 GDP 的比重略超 5%，到近两年一路提升到 30%左右，而日本 的数据却一直在 5%以下徘徊。同为后起之秀的韩国的 FDI 比重在 1992 年首次超过 日本之后一直到 2014 年才重新被日本超越，一方面说明过去 20 年日本对 FDI 确实 过于保守，也说明了近年来日本对 FDI 开始更加重视。地理上的水平分工有利于企业降低生产成本，1985 年之后日元持续升值，日本 DRAM 厂商完全可以对外进行 FDI，将生产基地转移至国外，由于日元升值，厂商 的海外购买力其实不断增强，一方面利用国外廉价劳动力，一方面购买国外廉价零 部件，但 90 年代前几乎没有日本半导体厂商这么做。六、贸易摩擦背景下中国电子制造业的突围贸易摩擦后的日本电子制造业出现了两层分化，我们认为日美贸易摩擦对日本电子制造业的第一层分化只是催化剂的作用，而对于第二层分化，其主要原因是日本自身没有把握住科技创新的趋势。对当前中美贸易摩擦背景下中国电子行业会如 何发展这个问题，我们首先从中日电子行业比较开始入手。（一）美国对中国限制措施持续升级 本轮中美贸易摩擦开始于特朗普于2018年 3月 22 日签署备忘录，宣布依据 1974 年贸易法第 301 条指示美国贸易代表对从中国进口的商品征收关税，以“惩罚中国 偷窃美国知识产权和商业秘密”，涉及商品总计达 600 亿美元。中国商务部其后作出 反制措施向 128 种美国进口商品征税，其中包括美国向中国出口最多的货品大豆。 中美双方曾一度于 2018 年 5 月达成暂停贸易摩擦的共识，并发表联合声明寻求和解。 但美国贸易代表办公室仍于 6 月 16 日公布对华加征关税清单，中国国务院关税税则 委员会其后作出对等报复，中国商务部亦重启对美输华多项产品的反倾销调查。2018 年 7 月 6 日，特朗普政府正式对来自中国价值 340 亿美元的商品加征 25% 关税，标志着特朗普对华关税政策正式实施。中国商务部其后在声明中指出，“美国违反世贸规则，发动了迄今为止经济史上规模最大的贸易摩擦”。中国海关总署指， 中方的报复措施已在美方加征关税措施生效后即行实施。（二）遭受贸易摩擦前中日两国电子制造业实力对比 日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国。我们用电子制造业的出口金额与 行业总产值的比来衡量对外贸易依存度。日本电子行业对外贸易依存度自 1950 年来 一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外 贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对外贸易依存度仅为 39.32%，贸易摩 擦开始后日本为了减少对对外贸易的依赖加大内需的开发，日本电子行业从 1985 年 到 2000 年期间对外贸易依存度呈现持平状态，到 2000 年该数字为 55%，由于日本 电子制造业本身发展迅速，并且在全球市场竞争力较强，我们认为这 15 年间日本电 子制造业的对外贸易依存度能保持持平说明开发内需确实效果显著。然而中国近年来的情况与日本当时的情况完全相反，08 年金融危机之后中国电 子制造业的出口比重一路下滑，造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上 升。生产总额从 08 年来增幅接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需 增长旺盛，内需消化的产值远高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不 断提高主要是因为出口增幅远高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总 值在 2000 年达到顶峰后一路下滑，导致贸易依存度被动性提高。总结来看，中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求 结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。中国电子制造业在全球是“参与者”而不仅仅是“供给者”角色。我们以集成 电路行业为例，中国 2016 年集成电路进口 2270 亿美元，本土产值 652 亿美元，出 口 614 亿美元，本土总产值与出口额相近，说明本土产品或服务基本都是用于出口， 中国集成电路行业封装环节产值占比达到 36%，封装占比高说明中国集成电路出口 基本都是给国际厂商提供封装服务，同时中国每年进口 2270 亿美元，出口额与进口 额相差较大与中国集成电路行业本身产业结构有关，中国一方面提供封装服务，同时从国际市场进口大量集成电路成品，说明中国集成电路在全球市场是“参与者” 的角色。日本集成电路行业在 1985 年时总产值达到 80 亿美元，而出口和进口分别 只有不到 30 亿美元和 6 亿美元，极少的进口额和极高的总产值说明日本半导体产品 基本不需要参与国际分工，其 IDM 的模式可以实现自给自足，同时日本当年的出口 额是进口额的接近 5 倍，如此大的差额比中国当前的结构更容易遭受贸易摩擦，而 事实上日本集成电路行业当年就遭到了美国的多次反倾销调查。我们认为当前中国集成电路的产值与贸易结构相比日本当年在抵御反倾销调查上具有优势，同时因为我们是国际分工“参与者”，在“禁运”（美国对中国出口） 方面对方又不得不考虑对其本土企业生产的影响。 （三）与日美电子贸易摩擦相比，美国对中国打击力度加大 当前中美贸易摩擦针对电子制造业美国已出台措施的打击力度不亚于当年日美 贸易摩擦。80 年代日美贸易摩擦从 1984 年开始一直延续到 1991 年，期间出台多项 限制日本电子制造业的合约，1986 年签署的《日美半导体保证协定》决定对日本出 口的半导体产品价格进行监督，一般认为 1986 年《日美半导体保证协定》是左右日 后日本半导体产业命运的重要因素。当时日本最擅长的存储行业，因为对美协定的 制约，被中国台湾、韩国赶超上来，风光不再。当前中美贸易摩擦美方已经出台的措施主要有禁运和加征关税两种。我们统计了美方三次加征关税的清单当中涉及电子制造业的部分，从加征关税的名单来看主 要是对 160 亿美元加征关税的清单二涉及较多集成电路板块出口，但对上市公司涉及金额较小，受影响程度较小。此外，中美贸易摩擦美方已出台的措施最为严厉的 当属去年 4 月份的中兴通讯和福建晋华禁运事件。中兴事件虽然和解，但却为中国电子制造业敲响警钟。中兴通讯全线产品过多依赖于美国芯片和光模块厂商，美国实施完全禁运的情况下，中兴通讯及关联公司 不能直接或者间接购买美国零部件、商品、软件和技术，从上述分析看，基站侧 FPGA、 高速 AD/DA、功率放大器、高速光模块等都会受到美国制裁影响，而且没有办法从 其他国家获得替代性产品，这些核心元器件无法供应的情况下，公司产品的交付能 力会面临比较大的挑战。华为、晋华事件凸显核心设备和材料国产化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日，美国 商务部宣布一项新计划，将通过修改出口管理条例（EAR），要求全世界所有公司， 只要利用到美国的设备和技术帮华为生产产品，都必须经过美国政府批准。此次升 级继续针对华为。自 2019 年 5 月 17 日美国 BIS 将华为及附属公司超过 70 家纳入实 体名单以来，华为芯片核心产业链去 A 化进展已取得显著成效，在 IC 设计端的移动 处理器、存储、模拟、传感器、射频前端、功率半导体等部件都已经具备绕开美国供应商的可行性路径。但国内半导体核心环节依然受制于人，本次美国对华为的限 制升级新规主要集中芯片设计所需的 EDA 软件和半导体设备。日本怕反倾销，中国怕出口禁运。我们认为中日两国的贸易结构决定了两国在贸易摩擦方面的软肋，日本的电子制造业主要是出口导向型，对外贸易依存度不断 提升，近年来更是达到了最高的 80%，日本的产业结构注定了其容易遭受反倾销的 调查，而历史上日美贸易摩擦时美方使用的手段也基本都是围绕反倾销和最低价格协定等诸如此类的限制日本出口的措施。而中国电子行业对贸易依存度较低，最新 数据不到 40%，尤其在集成电路行业进口额达到出口额的 4 倍左右，中国的产业结 构注定了高端材料和设备以及芯片是软肋，从华为、中兴事件和晋华事件来看，中 国对禁运几乎毫无还手之力。 （四）中美贸易摩擦对中国电子制造业的长期影响 中美贸易摩擦的解决不会一蹴而就，反复摩擦将是常态。日美贸易摩擦从 1960 年开始一直延续到 1990 年，其中电子制造业战争集中发生在 1985 年到 1991 年，美 国用 6 年时间改变了日本电子制造业的生产和出口结构，我们认为中美之间贸易摩 擦将是主流，尤其对于电子制造业而言，近年来中美贸易顺差总额为 2500 亿美元左 右，电子信息行业贡献占比 45%，因此电子行业必将成为中美贸易双方最为瞩目的 行业，有可能会招来美方更多的限制措施。终端产品生产下降，零部件占比提升。参考当时日本的案例，日本电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐减，但是日本 液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全球市场的 40% 以上。日本消费电子终端产品产值与行业总产值占比从 2000 年以来基本处于下降通 道，2019 年的比例已经不足 4%。当前中国智能机、计算机等整机产品在全球市占率第一，而关键零部件以及高端设备基本都是依赖进口，日美贸易摩擦的案例告诉我们在当前中美贸易摩擦的背景下我们的终端产品在全球的成本优势会下降，提高核心零部件以及设备的研发与 自制是保证中国电子制造业拥有下一个增长点的关键。加大对外直接投资力度。1985 年之前日本制造业对外直接投资金额维持在 4000 亿日元上下，总体增速较为平稳，制造业对外直接投资与制造业国内总产值的比例 保持在 1%左右。在 1985 年之后的对外直接投资金额开始迅速增长，1988 年开始达 到 17679 亿日元，与总产值的占比攀升到 2%，此后日本制造业对外直接投资波动上 升，在 2013 年达到最高点，与总产值的占比为 7%。预计中美贸易摩擦会加速中国 偏终端产品生产的海外直接投资力度。 当前中美贸易摩擦当中的加税措施预计会提 升中国电子制造业在国内生产的出口成本，如果后续 2000 亿美元加征关税措施出台， 以及加税力度提升，预计偏终端产品的海外转移会加大。尽管终端产品生产的海外转移是一国产业升级必然会出现的现象，但加税等措施会对这一转移过程起到加速 的作用。加大举国体制力度，实现核心设备与材料的自制。相对于加税等措施，出口禁运是当前中国电子制造业面临的最严重的问题。我们认为举国体制是后发国家突破核心设备自制最好的方式，日本以及韩国都在举国体制下实现了核心设备的突破。 我国半导体行业在 02 专项以及大基金项目的帮助下核心设备自给率尚不足 20%，预 计后期政府会持续加大对半导体设备与材料企业的投入，并且晶圆厂会加大与设备 厂的合作力度，改变以往双方合作水平较低的状态。七、日本电子制造业重点公司案例 （略，详见报告原文）（一）村田——持续根据市场需求改变发展战略（二）TDK——重视资本投入和技术创新，年平均资本投入远 高于行业水平（三）京瓷——注重钻研开发，注重多领域发展（四）太阳诱电——“精细”和“极致”铸就优良品质八、投资建议长期看好中国电子制造业受益于全球产能的转移，以及在举国体制下对核心设备以及材料的突破。建议重点关注半导体设备、材料、设计、封测环节具备国产化 替代的优质公司：1）半导体设备：中微公司、北方华创、至纯科技、华峰测控、精 测电子、晶盛机电等。2）半导体材料：深南电路、安集科技、鼎龙股份、沪硅产业、 华特气体、江丰电子、上海新阳等。3）设计：韦尔股份、兆易创新、卓胜微、澜起 科技、北京君正、汇顶科技、圣邦股份等。4）封测：深科技、通富微电、长电科技、 华天科技、晶方科技、太极实业等。……（报告观点属于原作者，仅供参考。报告来源：民生证券）如需报告原文档请登录【未来智库】。