阎惜姣

各位考生：烟台大学2015考研复试安排已经公布，及时为大家发布。各位报考该校的同学应详细阅读下文，做好充分准备，预祝大家顺利赢取复试，取得理想的成绩！报到时间：3月26日上午8:30-11:30报到地点：办公楼楼前广场外语考试安排时间：3月27日下午地点：综合楼院系：复试专业专业笔试专业面试同等学力、跨专业考生加试时间、地点笔试时间笔试地点面试时间面试地点海洋化学26日下午2：00～4：00海32927日上午8：30开始海329 海洋渔资源26日下午2：00～4：00海32927日上午8：30开始海329 水生生物学26日下午2：00～4：00海32927日上午8：30开始海329  更多

考研调剂是考生初试成绩在符合国家复试的分数线但不满足报考院校分数线要求的情况可选择途径。及时关注院校调剂信息，做好考研调剂准备>>各省市研招院校考研调剂信息汇总|制定考研复试学习指南各大院校考研调剂招生公布一般会在三月中旬到四月底间发布。广西大学考研调剂信息陆续公布中，及时关注院校官网通知公告。考研调剂小技巧Tips一、先校内，再校外考生发现报考学校的专业已经满额，但该校其他专业还没有招满，可考虑申请调剂到其他专业，当然，前提是对方愿意让调过去。二、普校好专业大于好学校差专业如果考的是985高校，分数不错，但是被挤掉了，建议考生可考虑211或以下学校的优势专业调剂。如果考的是A区普通高校，大家也可考虑去B区好一点学校继续读书。这样调剂成功可能性大，性价比较高。三、有名校情结考生，可考虑冷专业很多学校冷专业是招不满，即便是985、211，都可能存在，考生也可考虑。四、选择复试难度较低学校调剂申请，可以申请几个学校，但根据复试准备时间和面试时间上，一个考生能走过2所大学复试已经是万幸，所以，千万注意时间上的安排，尽量不要冲突，尽量选择复试要求较低一点学校，比如指定参考书少一些这类的，对提调剂成功率会大。以上是小编整理“广西大学考研调剂信息如何获取？”相关内容，为方便各位考研考生及时了解院校官方调剂招生公告，请及时关注调剂信息频道！推荐内容：迎战考研复试都该做好哪些准备？考研调剂常见问题及应对方法历年考研国家线汇总 更多

快讯，据上海大学研究生院消息，2019上海大学0701数学方向全日制考研复试分数线详情如下：学校名称：上海大学学院名称：理学院年份：2019专业代码：0701专业名称：数学总分：347.00小科（满分=100分）：45.0大科（满分>100分）：90.0说明：1、本数据不含专项计划复试分数线（少干及退役大学生士兵）2、各院系可根据本学科、专业特点及生源和计划数制定不低基本分数线的复试基本要求。考生须达到院系确定的学科、专业复试基本要求才能进入复试。 更多

姓名：吴根柱职称：教授所在学院：数理与信息工程学院研究方向：半导体微腔激光器理论与制作技术、光子晶体光纤传感技术科研项目（课题）半导体微腔激光器理论与制作技术、光子晶体光纤传感技术论文著作1．四极子量子级联微腔激光器（60366001），国家自然科学基金项目，2004.1-2006.12，25万元，主持人，已结题。2．高Q值高定向输出半导体变形光学微腔的研究（Y1100041），浙江省自然科学基金项目，2010.8-2012.7，5万元，主持人，正在执行。3．GaInP/AlGaInP多量子阱四极子微腔激光器的研究（FMI2009-11），中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室开放课题，2009.7-2011.6，10万元，主持人，正在执行。发表论文和著作1．DaruChenandGenzhuWu，Highlybirefringentphotoniccrystalfiberbasedonadouble-holeunit，APPLIEDOPTICS，Vol．49,No．9，1682（2010）2．SHAOJie，WUGen-Zhu，etal．WavelengthMolationAbsorptionSpectroscopyUsingaFrequency-QuadrupedCurrent-MolatedSystem,CHIN．PHYS．LETT．Vol．27,No．5,054206(2010)3．GenzhuWu，X.H.Wang,Q.Zheng,D.C.Ren,X.D.Zhang，InGaAs/InGaAsPmicrodisklasersgrownbyGSMBE，JournalofCrystalGrowth,227-228(2001)343-3454．吴根柱，张子莹，任大翠，张兴德，MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器，半导体学报,Vol.22,No.8,2001,1057-10615．李赞佳，吴根柱，霍海燕，凤兰，四极子光场分布，光学学报，Vol.27No.05(2007)903~9066．吴根柱，李赞佳，霍海燕，凤兰，四极子量子级联微腔激光器模式理论，光子学报，Vol.35No.10(2006)1452~14547．吴根柱，杜宝勋，杨进化，任大翠，张兴德，半导体微碟激光器设计原理与工艺制作，光学学报,Vol.22,No.5,2002,563-5678．吴根柱，张宝顺，曲轶，任大翠，张兴德，半导体微腔激光器阈值特性特性分析，半导体光电，Vol.21No.5(2000)325~3279．吴根柱,王晓华,王玉霞,王玲,张兴德，平板波导光子阱中自发发射特性，光子学报,Vol.29No.11(2000)993~99710．WuGenzhu,YangJinhua,LiZhonghui,RenDacui,ZhangXingde，LightRayTheoryofSemiconctorMicrodiskLasers，FourthInternationalConferenceonThinFilmsPhysicsandApplications,ProceedingsofSPIEVol.4086(2000)255~25711．吴根柱，齐鸣，何友军，张永刚，李爱珍，半导体激光器腔面镀膜研究，半导体光电，Vol.24,No.03(2003)203~20512．吴根柱，齐鸣，叙安怀，张永刚，李爱珍，半导体激光器后腔面高反射涂层的研究，功能材料与器件学报，Vol.09No.03(2003)343~34513．吴根柱,长波长(l=10mm)四极子GaAs-AlGaAs微腔激光器,稀有金属,Vol.28No.03(2004)536~53814．凤兰（申请人研究生），吴根柱，霍海燕，徐明兰，孟潮洛蒙，四极子形量子级联微腔激光器，内蒙古大学学报（自然科学版），Vol.39No.06(2008)716~719发明专利情况：1．吴根柱，齐鸣，张永刚、李爱珍，“一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构”，中华人民共和国发明专利ZL02136624.1，2005年1月12日授权，2．吴根柱，齐鸣，李爱珍，张永刚，“一种用于半导体激光器腔面镀膜的非接触固定夹具”中华人民共和国发明专利ZL02151295.7，2005年4月27日授权指导研究生简况：已毕业研究生5名，在读研究生3名。*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式 更多