姓名：王延年性别：男职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：ieynwang@zzu.e.cn所在专业：计算机应用技术通信地址：郑州大学信息工程学

姓名：钱晓捷性别：男职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：iexjqian@zzu.e.cn所在专业：计算机系统结构通信地址：郑州大学信息

姓名：穆玲玲性别：女职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：iellmu@zzu.e.cn所在专业：计算机应用通信地址：郑州市大学路75号郑州大学

 姓名：李正民性别：男职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：iezmli@zzu.e.cn所在专业：计算机科学与技术通信地址：郑州大

姓名：李向丽性别：女职称：副教授电子邮件：iexlli@zzu.e.cn所在专业：计算机应用技术通信地址：郑州大学信息工程学院研究方向：计算机网络、数据库

姓名：朱浩性别：男职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：iehzhu@zzu.e.cn所在专业：通信通信地址：郑州大学信息工程学院450001

姓名：陆彦辉性别：女职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：ieyhlu@zzu.e.cn所在专业：通信通信地址：郑州大学信息工程学院45000

姓名：徐力平性别：男职称：副教授电话：0371-67783108电子邮件：ielpxu@zzu.e.cn所在专业：电路与系统通信地址：郑州大学信息工程学院4

姓名：李常青性别：男职称：副教授电话：0371-67781541电子邮件：iecqli@zzu.e.cn所在专业：电子信息通信地址：郑州大学信息工程学院1986年西安交通大学真空电子器件专业毕业工学学士2000年筑波大学工学研究科智能机能材料工学硕士2003年筑波大学工学研究科智能机能材料工学博士科研课题主持完成国家自然科学基金一项，2007-2009；获教育部留学回国人员资助一项，2005-2006；实验室现有纳米硅材料制作装置，光谱分析及检测系统等平台。主要论文1.N.Fukata,C.Q.Li,T.MukimuraandK.Murakami;“HydrogenationeffectonenhancementofphotoluminescenceofErandSinanocrystallitesinEr-dopedSiO2synthesizedbylaserablation”,Appl.Phy.A,84(2006)395-401.SCI/EI2.N.Fukata,C.Q.Li,T.MukimuraandK.Murakami;“HydrogenPassivationofErErandSinanocrystallitesinEr-dopedSiO2synthesizedbylaserablation”,MRSSymp.Pro,Grop-IVSemiNanostructions,V832,(2005)379-383.EI3.T.Makimura,K.Kondo,C.Q.LiandK.Murakami;“ExcitationofEratomsbyenergytransferfromSinanocrystallitesembeddedinSiO2matricesfabricatedbylaserablation”,Appl.Phys.A.79(2004)799-802.SCI/EI4.T.Makimura,K.Kondo,C.Q.LiandK.Murakami;“OpticalexcitationofErionswith1.5μmluminescenceviatheluminescentstateinSinanocrystallitesembeddedinSiO2matrices”,Appl.Phys.Lett.83(2003)5422-5424.SCI/EI5.C.Q.Li,K.Kondo,T.MakimuraandK.Murakami“Increaseof1.5μmluminescencefromCryogenicTemperaturetoRoomTemperaturefromEr-dopedSiO2FilmswithSiNanocrystallitesFabricatedbyLaserAblation”,Jpn.J.Appl.Phys.PartA6(2003)3424-3428.SCI/EI6.C.Q.Li,K.Kondo,T.MakimuraandK.Murakami“FabricationofEr-dopedSinanocrystalliteswithoutThermalQuenchingof1.5μmPhotoluminescence”,Appl.Surf.Sci.197-198(2002)607-609.SCI/EI7.K.Murakami，C.Q.Li,K.KondoandT.Makimura;"ErandPImpurityDopinginSinanostructuresFabricatedbylaserAblation",ProceedingsofSPIEvol.4636(2002)67-72.EI8.K.Kondo,Y.Yamamoto,T.Mizuta,C.Q.Li,T.MakimuraandK.Murakami"Phosphorus-dopedSinanocrystallitesembeddedinSiO2films",Appl.Surf.Sci.197-198(2002)670-673.SCI/EI9.T.Makimura,C.Li,T.MizutaandK.Murakami,“FabricationofMaterialsfromAblationPlasma”,J.Plasma&FusionResearch76(2000)1139-1144.(inJapanese).国际会议：1.C.Li,H.Uematsu,K.Kondo,T.MakimuraandT.Makimura,“ExcitationofErAtomsbyEnergytransferfromSiNanoparticlesEmbeddedinSiO2MatricesFabricatedbyLaserAblation”,The7thInternationalConferenceonLaserAblation(Hersonissos,Greece,2003)PS59.2.C.Li,T.Makimura,T.Shima,Y.MakitaandK.Murakami,“1.5μmPLofEr-dopedSiliconNanoparticlesFabricatedbyLaserAblation”,The3rdNIMCInternationalSymposiumonPhotoreactionControlandPhotofunctionalMaterials(Tsukuba,Japan,2000)pp.152-153.3.C.Li,K.Kondo,Y.Kawaguchi,T.MakimuraandK.Murakami,“1.5μmPhotoluminescenceofEr-dopedSiliconNanocrystallitesFabricatedbyLaserAblation”,The4thNIMCInternationalSymposiumonPhotoreactionControlandPhotofunctionalMaterials(Tsukuba,Japan,2001)pp.260-261.4.C.Li,K.Kondo,T.MakimuraandK.Murakami,“Er-dopedSinanocrystalliteswithoutThermalQuenchingof1.5μmPhotoluminescence”,The6thInternationalConferenceonLaserAblation(Tsukuba,Japan,2001)p.126.5.C.Li,K.Kondo,Y.Kawaguchi,T.MakimuraandK.Murakami,“BandgapEffecttoThermalQuenchingofPhotoluminescenceat1.5μmfromEr-dopedSiNanocrystallitesinSiO2Matrices”,The5thAISTInternationalSymposiumonPhotoreactionControlandPhotofunctionalMaterials(Tsukuba,Japan,2002)pp.194-195.6.C.Li,K.Kondo,T.MakimuraandK.Murakami,“Er-dopedSiNanocrystalliteswithoutThermalQuenchingof1.5μmPhotoluminescence”,InternationalSymposiumonManipulationofAtomsandMoleculesbyElectronicExcitations(Tokyo,Japan,2002)pp.94-95.7.K.Kondo,C.Li,T.MakimuraandK.Murakami,“FabricationofEr-dopedSinanocrystallitesinSiO2MatriceswithoutThermalQuenchingof1.5μmPL”,The5thAISTInternationalSymposiumonPhotoreactionControlandPhotofunctionalMaterials(Tsukuba,Japan,2002)pp.196-197*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式>>