姓名：江灏性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带化合物半导体材料与器件研究重点:1.GaN基(Al,In)GaN半导体材料的MO

姓名：刘扬性别：男出生年月：1969年8月职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件教学科研情况1991年、

姓名：张佰君性别：男出生年月：1971年7月职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带半导体材料与器件教学科研情况1997年12月，毕业于吉林大学并获得博士学位。主要从事1.3微米高速高功率InGaAsP/InP半导体激光器的研究工作。1998年3月至2000年5月，中国科学院半导体研究所，博士后。主要从事半导体激光器芯片高频特性测试及高速封装；DFB激光器与EA调制器集成技术。2000年5月至2002年5月，日本名古屋工业大学极微构造器件研究中心，日本学术振兴会（JSPS）特别研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。2002年5月至2006年8月，日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心（原极微构造器件研究中心）研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。2006年9月至今，中山大学，教授。教学课程:《现代光电子材料器件微加工技术基础》承担课题1.中山大学“百人计划”人才引进科研启动项目2.国家“863”计划重大项目“半导体照明工程”项目发表论文近年发表的论文：1.B.Zhang,T.Egawa,G.Y.Zhao,N.Nishikawa,M.Adachi,H.Ishikawa,T.Jimbo,andM.Umeno,Appl.Phys.Lett.,Vol.79,pp.2567-2569(2001) 

姓名：江绍基性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学薄膜教学科研情况教学情况：讲授研究生专业课：“薄膜光学&rdquo

姓名：蔡志岗性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光电子集成与器件物理；光通信器件与测量技术；光电子集成与

姓名：李宝军性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光电子器件及集成，纳米光子学及技术目前兼职国家自然科学基金委员会第十二届专家评审

姓名：佘卫龙性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：高速光电子学及其光通信应用教学科研情况主要从事光物理,非线性光学等方面的研究，课

姓名：文锦辉性别：男职称：副教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学、光学工程教学科研情况承担本科《近代物理实验》和研究生《超快激光技术及其应

姓名：余向阳性别：男职称：副教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学、材料物理与化学教学科研情况：高速光信息处理，量子光信息，新型光子学材料承担课题：主持国家自然科