姓名：江灏性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带化合物半导体材料与器件研究重点:1.GaN基(Al,In)GaN半导体材料的MOCVD外延生长及其特性表征；2.高性能AlGaN太阳盲紫外光探测器的制作及其性能评价；3.GaN基大功率电子器件的制作及其性能评价.每年计划招收博士后1-2名，博士研究生2-3名，硕士研究生3-5名。承担课题中山大学“百人计划”二层次引进人才科研启动项目国家自然科学基金面上项目国家“863”计划创新研究项目广东省重大科技专项发表论文1.S.Senda,H.Jiang,andT.Egawa,“AlInN-basedultravioletphotodiodegrownbymetalorganicchemicalvapordeposition”,Appl.Phys.Lett.92,203507(2008).2.H.JiangandT.Egawa,“LowdarkcurrenthighperformanceAlGaNsolar-blindp-i-nphotodiodes”,Jpn.J.Appl.Phys.,Part147,1541(2008).3.H.JiangandT.Egawa,“HighqualityAlGaNsolar-blindSchottkyphotodiodesfabricatedonAIN/sapphiretemplate”,Appl.Phys.Lett.90,121121(2007).4.H.Jiang,T.Egawa,andH.Isikawa,“AlGaNsolar-blindSchottkyphotodiodesfabricatedon4H-SiC”,IEEEPhotonicsTechnol.Lett.18,1353(2006).5.H.JiangandT.Egawa,“DemonstrationoflargeactiveareaAlGaNsolar-blindSchottkyphotodiodeswithlowdarkcurrent”,Electron.Lett.42,1120(2006).6.Y.Liu,T.Egawa,andH.Jiang,“Enhancement-modequaternaryAlInGaN/GaNHEMTwithnon-recessed-gateonsapphiresubstrate”,Electron.Lett.42,884(2006).7.Y.Liu,H.Jiang,T.Egawa,B.Zhang,andH.Ishikawa,“AlcompositiondependentpropertiesofquaternaryAlInGaNSchottkydiodes”,J.Appl.Phys.99,123702(2006).8.H.Jiang,T.Egawa,M.Hao,andY.Liu,“RectionofthreadingdislocationsinAlGaNlayersgrownonAlN/sapphiretemplatesusinghigh-temperatureGaNinterlayer”,Appl.Phys.Lett.87,241911(2005). 

姓名：刘扬性别：男出生年月：1969年8月职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件教学科研情况1991年、

姓名：张佰君性别：男出生年月：1971年7月职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：宽禁带半导体材料与器件教学科研情况1997年12月，毕业于吉

姓名：江绍基性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学薄膜教学科研情况教学情况：讲授研究生专业课：“薄膜光学&rdquo

姓名：蔡志岗性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光电子集成与器件物理；光通信器件与测量技术；光电子集成与

姓名：李宝军性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光电子器件及集成，纳米光子学及技术目前兼职国家自然科学基金委员会第十二届专家评审

姓名：佘卫龙性别：男职称：教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：高速光电子学及其光通信应用教学科研情况主要从事光物理,非线性光学等方面的研究，课

姓名：文锦辉性别：男职称：副教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学、光学工程教学科研情况承担本科《近代物理实验》和研究生《超快激光技术及其应

姓名：余向阳性别：男职称：副教授学院：理工学院最后学历：博士主要研究方向：光学、材料物理与化学教学科研情况：高速光信息处理，量子光信息，新型光子学材料承担课题：主持国家自然科