姓名：高玉琳性别：女出生年月：1969年2月职称：副教授学院：物理与机电工程学院研究方向：半导体照明检测实验室建设及检测方法的研究个人简介：高玉琳，1969年2月出生，副教授，硕士生导师，主要从事半导体照明检测和半导体化合物光学性质研究。1991年毕业于成都科技大学应用物理系，1991年至1997年在厦门市电子仪器厂从事技术开发工作；1997年9月进入厦门大学物理系，攻读硕士、博士学位，并于2003年获得凝聚态物理专业半导体发光方向的博士学位。2006年起从事半导体照明检测实验室建设及检测方法的研究。 联系方式：E－mail:ylgao@xmu.e.cnTel:0592-2181681研究室主页：http://ssl.xmu.e.cn 科研项目1.白光LED辐射度学和色度学参数测量，福建省自然科学基金（主持）2.半导体照明评价与测试系统建设，国家“863”计划（参与）3.厚度渐变ZnO基量子阱研究，国家自然科学基金（参与）4.福建省半导体照明工程技术研究中心，福建省科技专项（参与）5.厦门半导体照明检测体系，厦门市重大科技专项（参与）代表性论文1.YijunLu,YulinGao,Jianshenzhen,ThephononsidebandsofexcitonboundtoNN1trapinGaAs1-xPx:N(x=0.88)alloys,SolidStateCommunication,2000,114(1),55-57.2.YijunLu,YulinGao,Jianshenzhen,Investigationonthephotoluminescenceoforderedstructurein(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)alloys,ChinesePhysicsLetters,2000,17(10),768-769.3.吕毅军，高玉琳，郑健生，四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱，厦门大学学报，2000,39(5),603-607.4.吕毅军，高玉琳，郑健生，三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金喇曼散射光谱研究，功能材料与器件学报，2000,6(4),393-396.5.吕毅军，高玉琳，郑健生，(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)PL谱的温度反常现象，发光学报，2000,21(2),125-128.6.高玉琳，吕毅军，郑健生，(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)光致发光谱的温度依赖关系，半导体光电，2000,21(4),293-295.7.高玉琳，吕毅军，郑健生，三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱，发光学报，2001,22(2),107-110.8.高玉琳，吕毅军，郑健生，三元有序合金GaxIn1-xP(x=0.52)的时间分辨谱，物理学报，2002,51(1),174-177.9.YijunLu,YulinGao,Jianshenzhen,Time-resolvedphotoluminescencespectraofnominallydisorderedGaInPalloy,SemiconctorPhotonicsandTechnology,2002,8(1),22-26.10.吕毅军，高玉琳，郑健生，部分有序(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的发光衰退过程，发光学报，2002,23(2),129-132.