姓名：黄际英性别：女职称：教授学院：理学院个人简历：黄际英教授，女，教师编码073819，生于1938年11月，江西省南昌市人，1962年毕业于武汉大学无

姓名：葛德彪性别：男职称：教授学院：理学院个人简历：葛德彪教授1961年毕业于武汉大学物理系。西安电子科技大学教授(1991—)，博士生导

姓名：吴振森性别：男职称：教授学院：理学院吴振森教授，男，出生于1946年11月，湖北沙市人，汉族，中国民主促进会成员。1969年7月毕业于西安交通大学数理系，1

姓名：韩一平性别：女职称：教授学院：理学院个人简介韩一平教授,女，1963年出生，光学专业博士生导师、等离子体物理专业硕士生导师，享有国务院政府特殊津贴。西

姓名：郭立新性别：男职称：教授学院：理学院个人简介郭立新教授，西安电子科技大学校特聘教授，无线电物理学科学术带头人，无线电物理专业博士生指导教师，西安

姓名：段宝兴性别：男职称：教授学院：微电子学院个人简介陕西大荔人，博士，教授。2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位；2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授，2012年破格评为教授。国际重要学术期刊《IEEEElectronDeviceLetters》、《Solid-StateElectronics》、《Micro&NanoLetters》、《IEEETransactionsonPowerElectronics》、《IETETechnicalReview》审稿人。国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。主要研究方向主要从事：（1）硅基功率器件与集成；（2）宽带隙半导体功率器件；（3）45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3-DRESURF概念并已被国际同行认可。 如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式

姓名：赖睿性别：男职称：副教授学院：微电子学院 赖睿，重庆人，工学博士，2002年获得西安电子科技大学信息工程专业学士，2007年获得西安电子科技大学电子科

姓名：史讲义性别：男职称：副教授学院：微电子学院1995年西安电子科技大学本科毕业，2007年获得西安电子科技大学“电子科学与技术”学科工学博

姓名：张军琴性别：女职称：副教授学院：微电子学院研究方向：微电子学与固体电子学张军琴：女，副教授，博士，西安电子科技大学微电子学院硕士生导师。分别于2000年、