姓名：程晓舫性别：男职称：研究员学院：人文与社会科学学院 研究方向1．热辐射信息的测量与辨读a．谱色测温方法b．人类色觉的数学机制c．植

姓名：汤书昆性别：男出生年月：1960年职称：教授学院：人文与社会科学学院研究方向：知识管理，信息传播，公共政策学术简历1982年毕业于南开大学，历

范维澄，男，汉族，1943年1月出生，湖北省鄂州市人。教授，博士生导师。现任火灾科学国家重点实验室主任、中国科学院热安全工程技术研究中心主任。2001年当选为中国工程院院士。 1

钱逸泰教授，江苏无锡人。1962年毕业于山东大学化学系。中国科学技术大学化学系教授，中国化学会副理事长,安徽省化学会理事长，中国科学院院士，中国科学院化学部常委。1997年当选为中国科学院院士。2

何多慧，男，1939年2月生，四川省仪陇县人。1964年毕业于中国科学技术大学近代物理系并留校任教至今。现任中国科学技术大学学术委员会主任、中国粒子加速器学会理事长、中国核学会常务理事。&nbs

王水院士，1942年4月出生，1961年毕业于南京大学，分配到中国科学技术大学任教至今。1978年评为副教授，1985年晋升教授，1986年被批准为博士生导师，1993年当选为中国科学院院士。现任

刘有成，男，1920年11月出生，安徽省舒城县人。现任中国科学技术大学化学系教授和兰州大学化学系教授，专业有机化学。1980年当选为中国科学院院士。2008年当选为英国皇家化学会会士。 

孔斌，女，1967年生，安徽肥东人，研究员，博导。1986年复旦大学计算机系毕业，主要从事图象处理、计算机视觉等方面的研究工作。曾参加过国家“七五”、“

姓名：孙治湖性别：男出生年月：1975年1月1日职称：副研究员学院：国家同步辐射实验室研究方向：功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究，磁性半导体的结构和性能及其相互关系，IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。个人详细信息 1．个人学习、工作及研究经历：1975年1月1日生，湖南益阳人。1993年考入中国科学技术大学材料科学与工程系，2000年7月于该系获得硕士学位，随后进入中国科学技术大学国家同步辐射实验室攻读博士学位。2004年1月博士毕业后，留在国家同步辐射实验室工作。从2002年3月至2003年3月在日本产业技术总合研究所（AIST）进行博士联合培养，2007年10月至2009年9月，在日本AIST进行博士后研究工作。2．主要研究方向：功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究，磁性半导体的结构和性能及其相互关系，IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。3．代表性科研成果：(1)设计、发展和利用原位化学反应发生装置，深入研究了Au、CdSe等金属和半导体纳米颗粒在初期成核和生长的动力学过程，在J．Am．Chem．Soc．、J．Phys．Chem．C和Appl．Phys．Lett．等国际高影响力杂志上发表了系列研究论文。(2)利用变温原位同步辐射XAFS装置，成功地研究了高温退火法制备的高纯VO2材料在升温和降温过程中的原子结构和电子结构信息以及变化规律，在物理学科国际顶级刊物上发表研究论文[Phys．Rev．Lett．105,226405(2010)]。(3)从理论和实验两方面研究了一系列半导体、磁性半导体材料的结构、性能及其相互关系，在Phys．Rev．B和Appl．Phys．Lett．等著名杂志上发表了一系列研究论文。(4)在利用多重散射XAFS方法研究IV和III-V族半导体薄膜、量子点以及超硬多层膜的初期生长机理、界面扩散行为、晶格畸变等研究领域，以第一作者在凝聚态物理学领域的top期刊Phys．Rev．B上发表了连续论文。