导师姓名：李泽宏性别：男出生年月：1970年10月 职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：lizh@uestc.e.cn个人简介：1997年于

导师姓名：周伟性别：男出生年月：1968年12月 职称：副教授学位：博士属性：专职电子邮件：weizhou@uestc.e.cn学术经历：曾在新加坡、日本北海道大学、香港科技大学作访问学者。2004年底回国到电子科技大学微电子与固体电子学院工作。个人简介：于1991年、1996年在天津南开大学物理系分别获得学士、硕士学位，并在1999年博士毕业于中国科学院半导体研究所。后出国去新加坡，在材料工程研究(InstituteofMaterialsResearch&Engineering）研究GaInNAs材料的MOCVD生长和性质以及它在光电子器件的应用。2002年至2003年在日本北海道大学电子科学研究所作访问学者，用新的金属有机物源研究和生长发光波长为1.55mm的GaInNAs/GaAs量子阱激光器。2003年至2004年在香港科技大学电子电机工程系作客座研究员，研究与开发MOCVD生长锑化物材料的变形异质双集结晶体管(MetamorphicHBT)和变形异质结高迁移场效应晶体管(MetamorphicHEMT)。2004年底回国到电子科技大学工作。在《Appl.Phys.Lett.，》、《J.Cryst.Growth.》、《Appliedsurfacescience.》、《JournalofElectronicMaterials》、《J.Vac.Sci.Technol.》、《J.Appl.Phys.》等SCI重要刊物上发表论文三十多篇，主要研究领域为：III-V族化合物半导体异质结构材料的MOCVD和MBE外延生长、物理及器件应用研究。目前主要研究方向为：III-N(GaN、GaInN、AlGaN等）材料的光电子、微电子器件(HEMT、HBT）设计、制备及微系加工技术(MEMS）研究。硕士招生专业080903微电子学与固体电子学06方向：射频微波、超高速器件与电路07方向：新型固体器件与应用09方向：微细加工与MEMS技术

导师姓名：于奇性别：男出生年月：1972年11月 职称：副教授学位：博士属性：专职电子邮件：qiyu@uestc.e.cn学术经历：2007年，

导师姓名：李竞春性别：女出生年月：1963年11月职称：副教授学位：硕士属性：专职电子邮件：achun@uestc.e.cn学术经历：本科毕业于四川大

导师姓名：方健性别：男出生年月：1969年10月职称：副教授学位：博士属性：专职电子邮件：fjuestc@uestc.e.cn学术经历：主要从事新型功率器

导师姓名：刘诺性别：女出生年月：1963年12月职称：副教授学位：硕士属性：专职电子邮件：liunuo2002@yahoo.com.cn个人简介：19

导师姓名：罗萍性别：女出生年月：1968年12月职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：pingl@uestc.e.cn学术经历：2002年8月至2003

导师姓名：陈勇性别：男出生年月：1965年09月 职称：副教授学位：博士属性：专职电子邮件：yongchen@uestc.e.cn学术经历：20

导师姓名：叶星宁性别：男出生年月：1964年08月职称：副教授学位：硕士属性：专职电子邮件：xnye@uestc.e.cn学术经历：参加自然科学基金的评审