姓名：梁齐性别：男出生年月：1958-12职称：副教授学院：电子科学与应用物理学院研究方向：新型光电功能薄膜材料的脉冲激光沉积制备新型半导体薄膜材料与器件新型光伏薄膜材料简历1982年毕业于东北重型机械学院物理专业，获理学学士学位。1992年毕业于合肥工业大学半导体器件与微电子学专业，获工学硕士学位。1982年至今，在合肥工业大学应用物理系、理学院、电子科学与应用物理学院工作。曾参与国家火炬计划预备项目、新型微电子学薄膜研究实验室建设项目、省级教学研究项目，参与国家自然科学基金项目、省自然科学基金项目、横向课题、省级特色专业建设项目。研究方向新型光电功能薄膜材料的脉冲激光沉积制备新型半导体薄膜材料与器件新型光伏薄膜材料教学工作本科生课程：半导体物理、电子材料物理、薄膜技术及应用研究生课程：高等半导体物理、纳米电子学、模拟集成电路设计自动综合获奖情况主要论著1.夏雨，梁齐，梁金，PLD法制备ZnO/Si异质结的I-V特性研究，真空，2011,48（5）2.李丽丽，梁齐，史成武，孔明光，李兵，脉冲激光沉积制备SnS薄膜及其光学特性的研究，真空科学与技术学报，2011，31（4）3．梁金，梁齐，安宁宁，饶晓俊，王莉，PLD法制备基于缓冲层的ZnO薄膜及纳米棒研究进展，电子元件与材料，2010，29，(10)4．安宁宁，梁齐，饶晓俊，梁金，于永强，脉冲激光沉积制备纳米材料研究进展，真空，2010,47（6）5．饶晓俊，梁齐，梁金，安宁宁，汪壮兵，脉冲激光沉积制备ZnO纳米棒研究进展，材料导报，2010，24(纳米与新材料专辑16)6．李丽丽，梁齐，仇旭升，汪壮兵，宣晓峰，于永强，原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用，发光学报，2009，30（1）7．YUYong-qiang,LIANGQi，MAYuan-ming，QIUXu-sheng，ZHANGWei，JIEJian-sheng，InfluenceofSubstrateTemperatureontheOpticalConstantsofZnOThinFilmGrownbyPLD，发光学报，2009，30（3）8．谢可可，仇旭升，孔明光，刘炳龙，汪壮兵，于永强，章伟，梁齐，PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究，材料导报，2008，22（纳米与新材料专辑X）9．仇旭升，谢可可，孔明光，汪壮兵，刘炳龙，马渊明，章伟，梁齐，脉冲激光沉积(PLD)法生长纳米ZnO薄膜的探索，材料导报，2008，22（纳米与新材料专辑X）10.张娜娜，梁齐，一种新型过流保护电路的设计研究，中国集成电路，2007，511．Q.Liang,X.F.Hu,H.Q.Li,X.X.He,X.Wang,W.Zhang,TemperaturedependenceoforthogonalpinningoftwoferromagneticlayersinasyntheticantiferromagneticTMRdevice，MaterialsScienceandEngineering:B，2006,126(2-3),176-17912．Q.Liang,X.F.Hu,H.Q.Li,X.X.He,XiaoruWang,W.Zhang,EnhancementofcoercivitywithrecedgrainsizeinCoCrPtfilmgrownbypulsedlaserdeposition，AppliedSurfaceScience，2006,252(13),4628-463113．X.F.Hu,Q.Liang,H.Q.Li,X.X.He,XiaoruWang,W.Zhang,SuperlatticeCoCrPt/Ru/CoFestructurefabricatedbypulsedlaserdeposition，AppliedSurfaceScience，2006,252(13),4625-462714．任晓慧，梁齐，视频解码器中插值与加权预测的硬件实现，现代电子技术，2006，29（18）15．王学权，梁齐，一种带增益提高技术的高增益CMOS运算放大器的设计，现代电子技术，2006，29（12）16．王宗宝，梁齐，VerilogHDL中阻塞与非阻塞过程赋值的区别与应用，现代电子技术，2005，28（18）17．王志鸿，李桂宏，梁齐，一种8bRISC微处理器的综合，现代电子技术，2004，27（22）18．梁齐，高启安，长方闪烁体镜反射光收集效率的解析计算，光学学报，1996，16（3）19．梁齐，高启安，闪烁体中光传输与收集研究进展，核电子学与探测技术，1995，15（5）20．梁齐，高启安，常勇，长方塑料闪烁体光收集效率的研究，核技术，1994，17（8）