姓名：李学良职称：博士教授职务：所属系：应用化学系邮箱：lixueL987@163.com电话：0551-2901450个人简历：曾主讲过的本科生课程

教师信息姓名周红平性别女出生年月 最终学位博士

教师信息姓名路强性别男出生年月1978-06最终学位工学博士

合肥工业大学材料科学与工程学院前身为合肥工业大学材料系。经过五十多年的建设和发展，已发展成为我国结构材料和新型材料领域教学、科学研究和应用开发高级专门技术人才培养基地之一。以下是合肥工业大学材料科

教师信息姓名范之国性别男出生年月1979．09最终学位博士

教师信息姓名徐小红性别男出生年月1976最终学位博士

姓名：揭建胜性别：男出生年月：职称：研究员学院：电子科学与应用物理学院研究方向：低维半导体可控合成与表征；半导体纳米结构电输运；纳米光电子器件．传感器件；新型微纳器件；纳米器件集成与应用；纳米显示技术。简    历 1995-1999年中国科技大学物理系本科，2004年于中国科技大学物理系获理学博士学位，其后进入香港大学与香港城市大学物理及材料科学系超金刚石及先进薄膜研究中心从事博士后工作；2006年以人才引进加入合肥工大，任研究员，博导。长期致力于低维半导体纳米结构的制备．表征及应用研究，以及探索纳米材料在新一代电子．光电．传感器等领域的应用，取得多项具有创新性的研究成果，受到广泛关注。在国际重要刊物发表论文近60篇，引用1200多次，并多次在国际国内会议上报告研究工作。担任Appl.Phys.Lett.．J.Phys.Chem.C．Mater.Chem.Phys.等国际期刊审稿人。主持或参与了国家自然科学基金．教育部人才计划．863．973等多项国家级研究项目。现任职校分析测试中心咨询委员会委员，电子科学与应用物理学院学术委员会委员，以及微纳功能材料与器件实验室负责人。  研究方向 主要研究方向：低维半导体可控合成与表征；半导体纳米结构电输运；纳米光电子器件．传感器件；新型微纳器件；纳米器件集成与应用；纳米显示技术。主要研究课题：1．2008年度教育部新世纪优秀人才计划基于低维半导体纳米结构新型微纳器件的设计．构建与应用研究，NCET-08-0764，主持。2．国家自然科学青年基金基于准一维半导体高性能场效应器件的研究，60806028，主持。3．合肥工业大学校创新群体新型微纳器件，2009HGCX0232，主持。4．中国高技术研究发展计划（国家863计划）基于II－VI族半导体纳米结构的光电子器件研究，2007AA03Z301，副组长。5．国家重点基础研究发展计划（973计划）硅纳米结构的控制生长及相关应用基础研究，2006CB933000，参与子课题。  教学工作 主讲研究生课程《纳米电子材料与器件》  获奖情况 微纳功能材料与器件实验室主页:[url]Http://nano.hfut.e.cn[/url]欢迎有志于纳米科技的同学报考硕士．博士研究生。  主要论著 [1]JianshengJie,W.J.Zhang,I.Bello,C.S.Lee,S.T.Lee,“One-dimensionalII-VInanostructures:Synthesis,propertiesandoptoelectronicapplications,NanoToday5(4),313-336(2010)(ReviewPaper).[2]JianshengJie,WenjunZhang,YangJiang,XiangminMeng,YanqingLi,S.T.Lee,“Photoconctivecharacteristicsofsingle-crystalCdSnanoribbons,NanoLetters6,1887-1892(2006).（HighlightedbyNatureChina）[3]JianshengJie,WenjunZhang,KuiqingPeng,GuodongYuan,Chun-SingLee,andShuit-TongLee,“Thesurface-dominatedtransportpropertiesofsiliconnanowires,Adv.Funct.Mater.18,3251-3257(2008).[4]JianshengJie,WenjunZhang,YangJiang,S.T.Lee,“Single-crystalCdSenanoribbonfield-effecttransistorsandphotoelectricapplications,Appl.Phys.Lett.89,133118(2006).[5]JianshengJie,WenjunZhang,YangJiang,S.T.Lee,“Transportpropertiesofsingle-crystalCdSnanoribbons,Appl.Phys.Lett.89,223117(2006).[6]JianshengJie,GuanzhongWang,YimingChen,XinhaiHan,QingtaoWang,andJ.G.Hou.“Synthesisandopticalpropertiesofthewell-alignedZnOnanorodsonundopedZnOfilm,Appl.Phys.Lett.86,031909(2005).（HighlightedbyNatureChina）[7]JianshengJie,GuanzhongWang,XinhaiHan,GongpuLi,andJ.G.Hou.“SynthesisandCharacterizationofZnO:Innanowireswithsuperlatticestructure,J.Phys.Chem.B108,17027-17031(2004).[8]JianshengJie,GuanzhongWang,XinhaiHan,JiepingFang,QingxuanYu,YuanLiao,BoXu,QingtaoWang,RongchuanFang,J.G.Hou.“GrowthofternaryoxidenanowiresbyAu-catalyzedvapor-phaseevaporation,J.Phys.Chem.B108,8249-8253(2004).[9]JianshengJie,GuanzhongWang,QingtaoWang,YimingChen,XinhaiHan,XiaopingWang,andJ.G.Hou.“SynthesisandcharacterizationsofwellalignedZnOnanorodsonporousaluminumoxidetemplate,J.Phys.Chem.B108,11976-11980(2004).[10]JianshengJie,ChunyanWu,YongqiangYu,LiWangandZhizhongHu，“Gallium-assistedgrowthofflute-likeMgOnanotubes,Ga2O3-filledMgOnanotubes,andMgO/Ga2O3co-axialnanotubes，Nanotechnology20,075602(2009).(ReportedbyNanotechweb.orginLabTalk)[11]JianshengJie,WenjunZhang,YangJiang,XiangminMeng,J.A.Zapien,M.W.Shao,S.T.Lee,“HeterocrystalandbicrystalstructuresofZnSnanowiressynthesizedbyplasmaenhancedchemicalvapourdeposition,Nanotechnology17,2913-2917(2006).[12]JianshengJie,GuanzhongWang,XinhaiHan,QingxuanYu,YuanLiao,GongpuLi,andJ.G.Hou.“Indium-dopedzincoxidenanobelts,Chem.Phys.Lett.387,466-470(2004).(2003-2007,Chem.Phys.Lett.Top-50mostcitedarticles).[13]JianshengJie,GuanzhongWang,XinhaiHan,JiepingFang,BoXu,QingxuanYu,YuanLiao,FanqingLi,andJ.G.Hou.“Growthandpropertiesofwell-alignedZnOhexagonalconespreparedbycarbonthermalreaction,J.CrystalGrowth267,223-230(2004).[14]L.Wang,JianshengJie*,C.Y.Wu,Z.Wang,Y.Q.Yu,Q.Peng,X.W.Zhang,Z.Z.Hu,D.Wu,H.E.Guo,Y.Jiang,“CoaxialZnSe/Sinanocableswithcontrolledp-typeshelldoping,Nanotechnology21(28),285206(2010).[15]DiWu,JiangYang,LiWang,ShanyingLi,BoWu,YongqiangYu,ChunyanWu,JianshengJie*,“High-performanceCdS:Pnanoribbonfield-effecttransistorsconstructedwithhigh-κdielectricandtop-gategeometry,Appl.Phys.Lett.96(12),123118(2010).[16]ShanyingLi,YangJiang,DiWu,LiWang,BoWu,XinzhengLan,YongqingYu,ZhuangxingWang,JianshengJie*,“Enhancedp-typeconctivityofZnTenanoribbonsbynitrogendoping,J.Phys.Chem.C114(17),7980-7985(2010).[17]XiujuanZhang,JianshengJie,WenfengZhang,LinbaoLuo,ZhubinHe,ChengyiZhang,XiaohongZhang,WenjunZhang,Chun-SingLee,andShuit-TongLee,“Photoconctivityofasinglesmallmolecularorganicnanowire,Adv.Mater.20,2427(2008).[18]ZhubingHe,JianshengJie,WenjunZhang,WenfengZhang,LinbaoLuo,XiaFan,GuodongYuan,IgorBello,andShuit-TongLee,“TuningelectricalandphotoelectricalpropertiesofCdSenanowiresviaindiumdoping,Small5,345-350(2009).[19]L.B.Luo,JianshengJie,W.F.Zhang,Z.B.He,J.X.Wang,G.D.Yuan,W.J.Zhang,L.C.M.Wu,andS.T.Lee,“SiliconnanowiresensorsforHg2+andCd2+ions,Appl.Phys.Lett.94,193101(2009).[20]WenfengZhang,JianshengJie,ZhubingHe,SiluTao,XiaFan,YechunZhou,GuodongYuan,LinbaoLuo,Chun-SingLee,WenjunZhang,andShuit-TongLee,“Singlezinc-dopedindiumoxidenanowireasdrivingtransistorfororganiclight-emittingdiode,Appl.Phys.Lett.92,153312(2008).[21]WenfengZhang,JianshengJie,LinbaoLuo,GuodongYuan,ZhubingHe,ZhiqiangYao,ZhenhuaChen,Chun-SingLee,WenjunZhang,andShuit-TongLee,“HysteresisinIn2O3:Znnanowirefield-effecttransistoranditsapplicationasanonvolatilememorydevice,Appl.Phys.Lett.93,183111(2008).[22]KuiqingPeng,JianshengJie,WenjunZhang,andShuit-TongLee,“Siliconnanowiresforrechargeablelithium-ionbatteryanodes,Appl.Phys.Lett.93,033105(2008).[23]GuodongYuan,WenjunZhang,JianshengJie,X.Fan,J.A.Zapien,Y.H.Leung,L.B.Luo,P.F.Wang,C.S.Lee,S.T.Lee,“P-typeZnONanowireArrays,NanoLett.8,2591-2597(2008).[24]GuodongYuan,WenjunZhang,JianshengJie,XiaFan,JinxinTang,IsmathullakhanShafiq,ZhizhenYe,Chun-SingLee,andShuit-TongLee,“Tunablen-typeconctivityandtransportpropertiesofGa-dopedZnOnanowirearrays,Adv.Mater.20,168-173(2008).[25]YangJiang,WenjunZhang,JianshengJie,XiangminMeng,J.A.Zapien,S.T.Lee,“HomoepitaxialgrowthandlasingpropertiesofZnSnanowireandnanoribbonarrays,Adv.Mater.18,1527-1532(2006).[26]YangJiang,WenjunZhang,JianshengJie,XiangminMeng,XiaFan,andS.T.Lee,“PhotoresponsepropertiesofCdSesingle-nanoribbonphotodetectors,Adv.Funct.Mater.17,1795-1800(2007).

姓名：解光军性别：男出生年月：1970-08职称：教授学院：电子科学与应用物理学院研究方向：集成电路设计，量子信息处理简 &nbs

姓名：邓小玖性别：男出生年月：1958-12-28职称：教授学院：电子科学与应用物理学院研究方向：1．激光技术与应用2．信息光学与光子学理论及应用3