快讯，据大连理工大学研究生院消息，2016年大连理工大学020204金融学考研报录比已发布，详情如下：学部（学院）专业代码专业名称统考

快讯，据大连理工大学研究生院消息，2016年大连理工大学085206动力工程考研报录比已发布，详情如下：学部（学院）专业代码专业名称统

快讯，据大连理工大学研究生院消息，2016年大连理工大学0807Z1能源与环境工程考研报录比已发布，详情如下：学部（学院）专业代码专业名称

快讯，据大连理工大学研究生院消息，2016年大连理工大学080705制冷及低温工程考研报录比已发布，详情如下：学部（学院）专业代码专业名称

快讯，据大连理工大学研究生院消息，2016年大连理工大学080703动力机械及工程考研报录比已发布，详情如下：学部（学院）专业代码专业名称

王轶农院系：材料科学与工程学院办公电话：0411-84708441电子信箱：wynmm@dlut.e.cn 更新时间：2008-3-28其他专业：

黄明亮院系：材料科学与工程学院办公电话：0411-84706595电子信箱：huang@dlut.e.cn 更新时间：2011-2-21其他专业：无个人简介黄明亮，1970年生，博士，教授，博士生导师。主要研究领域：电子封装中绿色环保无铅钎料与先进互连技术的研究，1992年、1995年、2001年在大连理工大学分别获学士、硕士、博士学位。1998-2001年香港城市大学电子封装与组装中心；2003-2004年韩国科学技术院（KAIST）电子封装材料中心；2004年-2006年德国微电子与微系统集成研究院IZM芯片连接与先进封装部门进行研究。2006年归国任教授。社会兼职美国TMS（矿物、金属、材料）学会会员。《JournalofMaterialsScienceandTechnology》学术期刊编委。国际期刊《JournalofAlloysandCompounds》，《PhilosophicalMagazineLetters》评阅人。研究领域（研究课题）1.”无铅化电子封装钎焊界面反应及焊点可靠性的基础研究"，国家自然科学基金-重点项目，经费：150万元，项目负责人。2.”替代含铅材料的系列产品开发及产业化"中“无铅焊料产品的开发及产业化”专题，“十一五”国家科技支撑计划项目，经费：170万元，项目负责人。3.2006年教育部新世纪优秀人才计划，经费：50万元，项目负责人。4.“大功率低成本GaN基LED的封装技术与产业化”，大连市重大计划项目，经费：20万元，项目负责人。5.“从基体金属溶解的角度研究现代电子封装中固/液界面反应”，国家自然科学基金-主任基金项目，经费：9万元，项目负责人。6.大连理工大学教改基金重点课题“集成电路特色专业方向建设”负责人。硕博研究方向1．微电子封装与连接材料2.芯片连接与可靠性评估3．绿色环保无铅钎料的研究与开发出版著作和论文AppliedPhysicsLetters,JournalofMaterialsResearch,JournalofElectronicMaterials,JournalofAlloysandcompounds,IEEETrans.OnAdvancedPackaging等刊物上发表的学术论文。SCI统计：目前已被引用250次。2011年发表论文目录1．M.L.Huang,Y.Liu,J.X.Gao,InterfacialReactionbetweenAuandSnfilmselectroplatedforLEDbumps,JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,22,2011,pp.193-199DOI10.1007/s10854-010-0113-z2．M.L.HUANG,Y.Z.HUANG,H.T.MA,andJ.ZHAO,MechanicalPropertiesandElectrochemicalCorrosionBehaviorofAl/Sn-9Zn-xAg/CuJoints,JournalofELECTRONICMATERIALS,40(3),2011,pp.315-323,DOI:10.1007/s11664-010-1459-y,2010年12月Online2010年发表论文目录1．L.D.Chan,M.L.Huang,S.M.Zhou,Effectofelectromigrationonintermetalliccompoundformationinline-typeCu/Sn/Cuinterconnect,JournalofAlloysandCompounds,504,2010,pp.535-541.2．X.Y.Liu,M.L.Huang,C.M.L.Wu,L.Wang,EffectofY2O3particlesonmicrostructureformationandshearpropertiesofSn-58Bisolder,JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,21,2010,pp.1046-1054,DOI10.1007/s10854-009-0025-y.3．XiaoyingLiu,MingliangHuang,YanhuiZhao,C.M.L.Wu,LaiWang,TheadsorptionofAg3Snnano-particlesonCu-SnintermetalliccompoundsofSn-3Ag-0.5Cu/Curingsoldering,JournalofAlloysandCompounds,Vol.492,2010,pp.433-438.(SCI)4．L.D.Chan,M.L.Huang,S.M.Zhou,EffectofelectromigrationonintermetalliccompoundformationinCu/Sn/CuandCu/Sn/Niinterconnects,The60thElectonicComponentsandTechnologyConference,IEEE,Nevada,USA,June1-4,2010(http://www.ectc.net)pp.176-181.大会论文及口头报告5．黄明亮，柏冬梅,化学镀Ni-P与Sn-3.5Ag在钎焊及时效过程中的界面反应,中国有色金属学报,vol.20,No.6,2010年6月，pp.1189-11946．柏冬梅，黄明亮，镀液pH值及浓度对铝基表面化学镀镍-磷镀层磷含量及镀速的影响，机械工程材料，2010年6月，第34卷第6期，pp.28-32。7．张福顺，黄明亮，潘剑灵，王来，无氰金-锡合金电镀液的成分优化及电流密度确定，机械工程材料，2010年11月，第34卷第11期，pp.50-54。8．M.L.Huang,L.Wang,J.Zhao,InterfacialReactionsandReliabilityIssuesofFinePitchFlip-ChipLead-freeSolderJoints,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China（国际会议ICEPT-HDP特邀报告）9．HuanLiu,MingliangHuang,HaitaoMa,YipengCui,ComparativeStudyofInterfacialReactionsofHigh-SnPb-freeSolderson(001)NiSingleCrystalandonPolycrystallineNi,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.293-298.（国际会议论文）10．JianlingPan,MingliangHuang,Au–SnCo-electroplatingsolutionforFlipChip-LEDBumps,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.283-287.11．NanziFan,MingliangHuang,LaiWang,ElectrolessNickel-BoronPlatingonMagnesiumAlloy,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.288-292.12．LuweiLiu,MingliangHuang,EffectofSolderVolumeonInterfacialReactionsbetweenSn3.5Ag0.75CuSolderBallsandCuPad,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.299-304.13．ShaomingZhou,MingliangHuang,LeidaChen,Electromigration-incedinterfacialreactionsinline-typeCu/Sn/ENIGinterconnect,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.467-471.14．YingzhuoHuang,MingliangHuang,NingKang,MechanicalPropertyandElectrochemicalCorrosionBehaviorofAl/Sn-9Zn-XNi/CuJoints,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.422-428.15．SongYe,MingliangHuang,LeidaChen,XiaoyingLiu,Electromigrationof300μmdiameterSn-3.0Ag-0.5Culead-freebumpsinflipchippackage,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.1132-1137.16．LeidaChen,MingliangHuang,ShaomingZhou,SongYe,EffectofelectromigrationontheCu-Nicross-interactioninline-typeCu/Sn/Niinterconnect,2010InternationalConferenceonElectronicPackagingTechnology&HighDensityPackaging(ICEPT-HDP),IEEECatalogNumber:CFP10553-CDR,August16-19,2010,Xi’an,China,pp.324-329. 工作成果（奖励、专利等）教育部新世纪优秀人才（2006年入选）；辽宁省“百千万人才工程”百人层次人才（2009年入选）；德国洪堡基金奖（洪堡学者）（2004年2月~2006年2月）；辽宁省科学技术发明二等奖；2005年获得IEEE在新加坡主办的国际电子封装技术会议(EPTC)的最优会议论文奖。2009年获得ICEPT-HDP国际电子封装技术会议优秀会议论文奖。发明专利1.黄明亮，潘剑灵，卿湘勇，马海涛，王来，一种无氰Au-Sn合金电镀液的共沉积电镀方法，发明专利申请号：200910187274.5。2.赵杰，黄明亮，于大全，王来，锡锌基含稀土元素的无铅钎料合金，已授权的中国发明专利号:ZL02109623.6，授权公告日:2004年11月17日。3.马海涛，王来，马洪列，黄明亮，赵杰，一种SnZn系无铅钎料用助焊剂及其制备方法，已授权的中国发明专利号:ZL200710010114.4，授权公告日:2009年01月28日。 在读学生人数14毕业学生人数9 

赵杰院系：材料科学与工程学院办公电话：0411-84709076电子信箱：jiezhao@dlut.e.cn 更新时间：2010-10-2其他专业

张立文院系：材料科学与工程学院办公电话：0411-84706087电子信箱：zhanglw@dlut.e.cn 更新时间：2010-3-19其他专