一、基本情况：崔碧峰，女，1972年出生，副教授，2004年毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位。二、主要研究方向：大功率边发射半导体激光器及其阵列设计与制备

导师简介一、基本情况 男，1958年11月生，博士，教授，博士生导师2000年入选"北京市首批高素质科技人才赴美培训班",在美国Cincinn

个人简介:郭霞，2003年获得北京工业大学博士学位，2001-2002年 香港科技大学      200

导师简介一、基本情况 李建军 男，1966年生于河北省宣化县，副教授。2001年于北京工业大学获博士学位。二、主要研究方向：1．III-V族半导体材

吴郁，副研究员，IEEE会员。1992年7月毕业于山东工业大学半导体物理与器件专业，获工学士学位。1995年2月毕业于北京工业大学微电子学与固态电子学专业，获工学硕士学位。研究方向为功率半导体器件

郭伟玲，女，博士，副研究员。1988年毕业于天津大学半导体器件与物理专业，1993年和2003在北京工业大学分别获得硕士和博士学位。1998年至2001年应邀到香港大学电子工程系从事半导体光

一、基本情况吕长志研究员中国电子学会高级会员。1974年毕业于北京工业大学无线电系半导体物理与器件专业并留校任教，1991年在北京工业大学在职研究生毕业。因本人在科研方面的突出成绩，于1998年获中华人民共和国国务院特殊津贴奖励。1996—2000年作为访问学者分别在美国伊利诺依大学（UIUC）和弗吉尼亚州立大学（VCU）从事氮化镓（GaN）基器件的研究，获得了当时世界领先的AlGaN/GaNMODFET(调制掺杂场效应晶体管)、GaNP-I-N紫外光探测器科研成果，并发表了相应的论文。因本人在出国留学期间发表的高水平科研论文、在此期间取得的科研成果及所创造的经济效益，于2005年获第二届北京市留学人员创业奖。二、主要研究方向：AlGaN/GaNMODFET、GaN基紫外探测器等新型半导体器件的设计及制造；半导体器件、集成电路热阻的测试研究；电子元器件、集成电路可靠性及加速寿命试验的研究。三、在研课题：GaN/AlGaNHFET的结构材料生长和器件设计制造基础技术；GaN基紫外探测器研究；军用半导体分立器件加速寿命试验新方法的应用研究；电源模块可靠性快速评价技术的研究。四、科研成果1．获北京市、电子工业部科技进步奖7项，其中有“功率晶体管峰值结温非破坏性测量技术”“砷化镓场效应晶体管沟道温度精确测量技术”“税务数据自动化采集和计算机读卡接收系统”等。2．获国家发明专利6项，实用新型专利4项。3．与他人合著《超大规模集成电路设计技术－从电路到芯片》、译著《半导体器件电子学》《低成本倒装芯片技术》。4．发表科研论文80多篇。四、联系方式：北京工业大学电子信息与控制工程学院邮编100022 E-mail:chzhlu@bjut.e.cn，Tel:67392125

林平分 女  北京市嵌入式系统重点实验室主任；毕业于美国罗得岛大学，获电子工程专业硕士学位。多年从事嵌入式系统的研究工作，曾在美国麻省Waltham市Signa

一、基本情况张万荣，男，1996年毕业于西安交通大学信息工程学院，获工学博士学位，博士学位论文于1999年荣获陕西省省级优秀博士论文。现为北京工业大学电子信息与控制工程学院教授，博士研究生导