一、基本情况：崔碧峰，女，1972年出生，副教授，2004年毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位。二、主要研究方向：大功率边发射半导体激光器及其阵列设计与制备

导师简介一、基本情况 男，1958年11月生，博士，教授，博士生导师2000年入选"北京市首批高素质科技人才赴美培训班",在美国Cincinn

个人简介:郭霞，2003年获得北京工业大学博士学位，2001-2002年 香港科技大学      200

导师简介一、基本情况 李建军 男，1966年生于河北省宣化县，副教授。2001年于北京工业大学获博士学位。二、主要研究方向：1．III-V族半导体材料的MOCVD生长2．半导体光电子器件的研究3．半导体器件的计算机模拟三、在研课题：1．新型高亮度红光发光二极管2．新型双波长可寻址隧道带间级联半导体激光器3.多源高效共振腔发光二极管四、科研成果作为项目申请者和负责人，完成了北京市自然科学基金项目“多色发光管及多波长半导体激光器的研究”，利用隧道带间级联机理，制备出了同一管芯可以发出不同波长光的半导体激光器及发光管。作为主要成员，参加了多项国家及省部委项目，如国家自然科学基金项目“一种新型振荡用双向负阻器件的研究”、“纳米硅薄膜应用探索性研究”，“新型高效多色发光管及多波长半导体激光器的研究”，国防科工委项目“多晶硅发射极晶体管理论模型及计算机模拟”、“锗硅合金异质结晶体管研究”，国家973项目“信息功能材料相关基础问题/带间和带内量子级联耦合光电子功能材料”等.在从事半导体材料的MOCVD生长等实验的同时，还长期进行半导体器件理论模拟工作，独立开发了用于锗硅HBT数值模拟的软件GSHBT；为分析多模复折射率光波导的特性，创新提出了数值求解的RPS法，该方法具有简单、求解速度快和结果精确的优点。目前已在国内外学术刊物上发表论文70余篇。五、联系方式北京工业大学电控学院北京光电子技术实验室邮政编码：100022(E-mail:lijianjun@bjut.e.cn，Tel:010-67392503转813 

吴郁，副研究员，IEEE会员。1992年7月毕业于山东工业大学半导体物理与器件专业，获工学士学位。1995年2月毕业于北京工业大学微电子学与固态电子学专业，获工学硕士学位。研究方向为功率半导体器件

郭伟玲，女，博士，副研究员。1988年毕业于天津大学半导体器件与物理专业，1993年和2003在北京工业大学分别获得硕士和博士学位。1998年至2001年应邀到香港大学电子工程系从事半导体光

一、基本情况吕长志研究员中国电子学会高级会员。1974年毕业于北京工业大学无线电系半导体物理与器件专业并留校任教，1991年在北京工业大学在职研究生毕业。因本人在科研方面的突出成绩，于1

林平分 女  北京市嵌入式系统重点实验室主任；毕业于美国罗得岛大学，获电子工程专业硕士学位。多年从事嵌入式系统的研究工作，曾在美国麻省Waltham市Signa

一、基本情况张万荣，男，1996年毕业于西安交通大学信息工程学院，获工学博士学位，博士学位论文于1999年荣获陕西省省级优秀博士论文。现为北京工业大学电子信息与控制工程学院教授，博士研究生导