一、基本情况张延华，男，1960年生，教授。1988年获兰州大学理学硕士学位。主要从事信号及信息处理领域的科研与教学工作；曾作为访问学者赴加拿大CONCORDIA大学从事研究工作。

一、基本情况邢艳辉，2001年毕业于长春理工大学光学工程专业，获硕士学位，同年到在北京工业大学电子信息与控制工程学院从事教学与科研工作，2008获北京工业大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年获得“北京工业大学德育教育先进个人”，2009年获得“北京工业大学就业工作先进个人”。二、科研工作主要从事GaAs，GaN，InP，GeSi等半导体材料的光电特性测试分析工作，近年来主要利用高精度X射线双晶衍射（XRD）、光致发光（PL）、原子力显微镜（AFM）等测试仪器研究GaN材料特性及LED器件制备工作。工作期间作为骨干成员参加了包括国家自然科学基金、863、北京市自然科学基金、北京市教委等课题的研究。目前作为负责人主持北京市自然科学基金项目“MOCVD生长非极性a面GaN材料光电特性研究”的研究工作。三、教学工作主讲本科生课程：《热力学与统计物理》四、论文在国内外学术刊物发表论文30余篇，其中SCI、EI收录32篇，代表性论文：1.XingYanhui,HanJun,DengJunetal,InvestigationofGaNlayergrownondifferentlowmisorientedsapphirebyMOCVD，AppliedSurfaceScience2009255(3):6121-61242.XingYanhui,HanJun,DengJun,etal，InterruptedMgdopingofGaNwithMOCVDforimprovedp-typelayers. Vaccum 2007，82（9）：1-43.邢艳辉，邓军，李建军等，引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究物理学报200958（1）：590-595              4.邢艳辉,刘建平，邓军等，垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性物理学报2007，56（12）：7295-72985.邢艳辉，韩军，邓军等，淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究物理学报200958（4）：2644-26486.邢艳辉,邓军,徐晨等，p型GaN低温粗化提高发光二极管特性物理学报201059（2）：1233-1236五、联系方式办公电话：010-67392503-814，010-67392924-814Email：xingyanhui@bjut.e.cn 

邓军        一、个人简历1993年7月毕业于北京工业大学学获学士学位。1999年在北京

一、基本情况：谢红云，女，1978年出生，工学博士，副教授，硕士生导师。2006年6月毕业于中国科学院半导体研究所，获博士学位；2006年7月到北京工业大学电子信息与控制工程学院

一、基本情况 冯士维 博士教授博士生导师。现任北京工业大学电子信息与控制工程学院副院长（主管教学）。于1983年、1986年分别获吉林大学理学学士、硕士学位。198

一、基本情况谢雪松副教授。毕业于北京工业大学无线电系微电子器件专业并留校任教，曾赴比利时IMEC学习先进集成电路设计。二、主要研究方向：半导体器件、集成电路热阻的测试研究；电子

2001年毕业于山东大学，获学士学位；2007年毕业于北京工业大学，博士学位。微电子学与固体电子学专业，研究方向是大规模集成电路与系统集成。承担国家发改委项目（子项）两项，负责或参与其他科研项目7

胡冬青，女，副研究员，1988年兰州大学理论物理专业毕业，2002年兰州大学凝聚态物理专业硕士毕业，2005年兰州大学微电子学与固体电子学专业博士毕业。1988年本科毕业后在兰州铁道学院（现兰州

一、基本情况韩军，1964年出生，男，副教授。1985年于北京师范大学物理系获学士学位，2008年在北京工业大学电子信息与控制工程学院获微电子与固体电子学专业博士学位。现为北京工业大学电子